PTH化学沉铜的稳定性

本文就在不同的化学沉铜条件下的沉铜厚度作了探讨,并提出了如何保证沉铜厚度的稳定性和合理的工艺参数。     

化学沉铜工艺技术探讨

（接上期） 在化学镀铜液中，添加微量的含羧基、醚基的高分子表面活性剂，它能有效地防止低溶液的表面张力，提高溶液对小孔、深孔的润湿能力；另外，还能缩短氢气在反应面上的滞留的时间，改善镀层结构，提高镀层韧性；同时，这些高分子化合物还能有效地、选择性地吸附在溶液中的分散颗粒的表面，使其失去催化活性。常使用高分子化合物为聚乙二醇、聚乙醇硫醚等。     

高厚径PCB化学沉铜

震动的加强对孔无铜的改善作用很大,采用隔板插架方式生产可以使板孔无铜比例大幅下降。磨板机的高压水洗是去除粉尘塞孔困扰至关重要的一环。正确的沉铜后处理方法是用低浓度的稀硫酸或柠檬酸养板,浓度控制在1～5‰为宜。     

化学沉铜工艺技术探讨

多层印制电路板孔金属化是很关键的工序，孔金属化质量的优劣依赖于钻孔质量和孔金属化处理的全过程质量的控制。为此，要确保多层印制板金属化孔的完整性和可靠性，首先要熟练的掌握孔金属化所涉及的各种各样的镀液和处理溶液的组织成分和工艺条件的动态变化。同时，还要监控各槽液工艺性能的变化，这样才能更有把握的处理多层板孔金属化过程所发生的故障。     

化学沉铜工艺中背光失效分析及改善探讨

主要讲述化学沉铜工艺中背光失效问题,通过对一次沉铜背光不良原因的查找及分析,并给出相应的改善措施,达到有效改善此类异常引发的沉铜背光失效的目的。     

一种应用于全印制电子沉铜催化浆料制备及其应用

制备出一种应用于全印制电子沉铜催化浆料,采用电化学工作站的开路电位-时间(OCP-t)的技术,测定活化浆料引发沉铜的Emix-t曲线,比较不同含银量对引发过程的影响;在此基础上,应用于制造电子标签(RFID)。结果表明:随银含量增大,缓慢生成铜活性中心的诱导时间越短,活性越高;沉铜催化浆料及其对应的工艺加成法制作的电子标签导电性和结合力符合工业化要求,可以作为一种全印制电子技术来推广应用。     

适合新材料的化学镀铜工艺

1、前言。近年来，伴随着以数字照相机为首的电子电器产品的小型化、多功能化，对印制电路板的需求也越来越多样化。由于挠性印制板可充分利用有效空间设计并具有高密度、耐高频的性能特点，其需求急剧增加。     

化学镀铜用前处理工艺——Alkatpe工艺

概述了化学镀Cu用的前处理工艺-Alkatpe工艺,适用于制造高密度PCB。     

在Ag导电胶上化学镀铜工艺

概述了由Ag导电胶形成的Ag导电膜上的化学镀铜工艺,其特征在于采用新的活化工艺取代传统的Pd催化剂,可以在Ag导电膜上形成均匀致密,无镀层扩展和优良附着性的化学镀铜层,特别适用于印制板的Ag导电胶上选择性化学镀铜。     

化学镀铜工艺中内层铜的可靠性

文章作者Crystal Li是罗门-哈斯电子材料亚洲有限公司（香港）电路板技术集团的研究技师。文章主要介绍化学镀铜过程中-目前做通孔或盲孔金属化最常用的制程,可能会影响PcB互联缺陷的一些因素。印制电路板的绝缘材料,其热膨胀系数高于铜材料。因此当焊接使温度升高时,介质的延展大大超过铜的延展。因此,导致增加的应力加到了内层互连的各个表面上。镀铜的通孔和内层铜之间必须要有非常强的结合力,才能使PCB成功地发挥其作用。如果化学镀铜和铜之间或内层化学镀铜和电解铜之间的结合力非常差,热应力就会导致互连缺陷（ICD）发生。     

化学镀铜液

概述了含有醌类、多元酚类以及它们的衍生物等添加剂的化学镀Cu液,可以有效地抑制镀Cu层膨胀起泡的发生,以便在平滑的树脂表面上形成微细线路,适用于制造薄型绝缘层的高密度高多层印制板.     

无电解镀镍工业生产的维护及管理

研究了无电解镀Ｎｉ－Ｐ及Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＦＥ工业生产的维护及管理。研究探讨了生产中的管理问题，提出了科学的自动化管理及镀液的补加方法。研究探讨了无电解复合镀Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＦＥ的工艺管理。     

Electroless CoWP as a Diffusion Barrier between Electroless Copper and Silicon

In this work, an electroless CoWP film deposited on a silicon substrate as a diffusion barrier for electroless Cu and silicon has been studied. Four different Cu 120 nm/CoWP/Si stacked samples with 30, 60, 75, and 100 nm electroless CoWP films were prepared and annealed in a rapid thermal annealing (RTA) furnace at 300°C to 800°C for 5 min. The failure behavior of the electroless CoWP film in the Cu/CoWP/Si sample and the effect of CoWP film thickness on the diffusion barrier properties have been investigated by transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and sheet resistance measurements. The composition of the electroless CoWP films was 89.4 at.% Co, 2.4 at.% W, and 8.2 at.% P, as determined by energy dispersive X-ray spectrometer (EDS). A 30 nm electroless CoWP film can prevent copper penetration up to 500°C, and a 75 nm electroless CoWP film can survive at least up to 600°C. Therefore, increasing the thickness of electroless CoWP films effectively increases the failure temperature of the Cu/CoWP/Si samples. The observations of SEM and TEM show that interdiffusion of the copper and cobalt causes the failure of the electroless CoWP diffusion barriers in Cu/CoWP/Si during thermal annealing.     

铝合金化学镀Ni-P合金层退镀工艺探讨

介绍了一种化学镀Ni-P合金层的退镀溶液配方，对Ni-P合金层退镀液对金属基体的腐蚀量进行了测定，并对退镀反应的机理进行了初步的探讨。     

浅析孔金属化和图形电镀生产线的管理

随着印制板朝着高密度、多层次的方向发展,对应着设备自动化程度的提高,作为印制板制造过程中的关键工序,孔金属化和图形电镀的管理也面临挑战。本文从工艺规范、工艺操作、人员团结精神和责任心的培养、工序衔接工作、工艺质量检验五方面给出建议,希望能给同行以借鉴。