电子束纵向泵浦准分子激光器

本文描述一电子束纵向泵浦准分子激光器。分析了螺旋管产生的磁场和它对电子束的影响。用 CVR 和探针线圈研究了磁场,用法拉弟探头和重氮化铬薄膜检测了电子束的位置和空间 FWHM 值。测量了整个电子束的能量。得到了可调谐 XeF(C→A)激光输出。     

电子束纵向泵浦准分子激光器

本文讨论了电子束纵向泵浦准分子激光器,详细分析描述了用三个线圈产生约束磁场使相对论性电子束能够最有效地与激光介质进行耦合产生能量转移,从而获得尽可能高的功率输出。给出的装置中磁场的分布、电子束的标准都达到了良好状态。在电子束入端与出端截面上,从轴线到边壁得到了钟型对称分布。单脉冲能量10～15J,脉宽8～10ns。在这个装置     

电子束泵浦XeCl准分子激光器输出特性

为了确保窄脉宽XeCl准分子激光系统获得高峰值功率紫外激光脉冲,实验研究了紧凑型四向电子束泵浦XeCl准分子激光器的输出特性。通过调节激光腔室气体介质的总气压和气体摩尔比、激光器的充电电压、二极管阳极钛箔厚度等参数,发现了激光能量随以上条件的变化规律,分析得到了激光器运行的最佳条件。在最佳条件下XeCl准分子激光器的脉冲能量大于100 J、脉宽约200 ns,电光效率约为5.81。另外,通过改变激光器内部Marx发生器的开关气压,研究了紧凑型电子束泵浦XeCl准分子激光器输出激光脉冲的延迟抖动特性,发现激光脉冲的延迟抖动可优于20 ns。研究结果表明:紧凑型电子束泵浦XeCl准分子激光器可实现脉冲抖动小于20 ns、103 J的高能紫外激光输出,可满足窄脉宽XeCl准分子激光系统运行的需要。     

准分子激光器参数测量

测量了快放电激励氟化氙准分子激光器的激光脉冲波形和放电电流波形，并由此测出了激光器和放电球隙开关的动态电感和电阻。讨论了储能电容、器件的电感和充电电压对激光脉冲的影响。     

电子束泵浦异核型XeF准分子激光器的实验研究

本文报导了一种用电子束泵浦的紫外XeF准分子激光器。它采用长刀片阴极这种简便的方法获得了高密度的矩形截面电子束,成功地泵浦了工作物质。     

LD纵向泵浦固体激光器参数优化

通过对四能级系统速率方程的分析,采用Ｍ＾２因子来描述泵浦光在激活介质中的传播规律,给出了含有泵浦光光束质量因子Ｍ＾２和激活介质特征参数在内的泵浦阈值、输出功率和斜转换效率的解析表达式大激活介质中泵浦光有效 浦体积最小的条件下,对输出功率进行了最佳化,从而确定激光腔的最优参数选择。据上述理论,对ＬＤ纵向泵浦、自聚焦透镜耦合的Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器进行了研究,实验结果与理论相符。     

电子束泵浦XeF准分子激光

本文介绍用强流脉冲电子束横向泵浦 XeF 准分子激光的初步实验,在 Ar:Xe:F_2=97.2:2.5:0.3混合气体总气压为2.5大气压条件下,获得5.1焦耳激光输出能量。     

电子束纵向泵浦的无冷却CdS和GaAs脉冲激光器

大家知道，用高能电子束激发半导体激光器可获得足够高的辐射功率。文献[1]报导在无冷却的多元硫化镉激光器中获得了~100 kW(辐射面积~1 cm2)的功率。用液氮冷却时，纵向泵浦砷化镓激光器的最大功率仅为2.3 MW(辐射面积为4.6 cm2)。上述功率值不是电子束泵浦的半导体激光器的极限值。     

电激励准分子激光系统的电磁辐射和抑制

为了抑制电激励准分子激光系统产生的强电磁干扰,采用电磁辐射理论分析了准分子激光器电磁辐射机理,确定了激光器辐射干扰源主要来源于激光器的主放电回路、出光口和氢闸流管;采用近场探头分别对各关键部位不同距离电磁辐射进行了测试;结合测试结果与电磁屏蔽原理对激光器电磁辐射进行了屏蔽设计和屏蔽效能测试,针对准分子激光系统,提出了抑制电磁干扰的几种措施。结果表明,设计的屏蔽盒的屏蔽效能达到40dB;引入电磁干扰抑制措施后,准分子激光系统能稳定可靠工作。该研究满足了工程实际要求。     

喇曼自由电子激光器电子束速度分散度的测量

我们建造的一台喇曼自由电子激光器巳投入运转。其电子束能量为0.5MeV,束流为0.1～1kA。作为该激光器参量研究的一部分,我们测试了电子束的轴向速度分散度。 为使电子束的集体效应占主导地位(即激光器工作在受激喇曼散射模式),电子束必须足够“冷”,其轴向速度分散度Δν_x应满足如下判据:     

带磁开关的冲击-自持脉冲放电技术及其应用

本文通过对带磁开关的冲击-自持脉冲放电电路放电过程的分析,指出了该电路在激发准分子激光时的优点,在考虑准分子激光形成过程特点的基础上,进一步指出了利用该电路有利于制成高效率、高功率、长脉冲准分子激光器件.     

激光参数的测量

本文综述了激术参数的测量方法,并重点介绍一些近年来发展起来的新的测试方法和技术。     

激光散斑干涉法测量力学参数

本文阐述了激光散斑干涉法测量平面位移、转角及振动等力学参数的基本原理、试验技术,并对灵敏度进行了讨论,以实验进行了验证。     

高功率准分子激光参数测量研究

介绍了对高功率XeCl准分子激光MOPA系统中前三台激光器的输出激光进行的参数测量.实验分别对MOPA系统的前端输出种子光及其经过一级、二级、三级放大后所得激光进行了测量,研究包括采用哈特曼波前传感器对激光近场波前的测量和采用激光光束分析仪对激光远场光强的测量两个方面,分别得出激光的近场相位均方根误差和不同光斑尺寸定义下的远场发散角等实验测量结果,将实验结果与系统设计值进行比较分析,从而对激光器系统输出激光作出评价.     

快放电激励准分子激光器的过压击穿及其测量装置

本文报道了采用电阻分压器测量准分子激光器放电电压的实验结果.讨论了影响测量装置性能的各种因素和消除办法,并研究了器件的过压击穿形式及其变化规律.     

Measurement of Auger recombination in silicon by laser excitation

A new experimental arrangement for the study of Auger recombination in silicon is described and analyzed. A relatively weakly absorbed YAG:Nd laser beam was used for excitation. The decay of the carrier concentration after the injection pulse was studied by measuring the recombination radiation in a direction perpendicular to the laser beam. At some distance from the injection surface the influence of surface recombination and diffusion is then negligible. It has previously been shown that in this geometry the carrier concentration distribution after the laser excitation is accurately described by an analytical expression which accounts for attentuation of the laser beam by both interband and free carrier absorption. Thus the local carrier concentration in the sample can be computed to a high degree of accuracy, which is essential in the determination of the Auger recombination coefficient from decay measurements. Furthermore, this experimental geometry eliminates the problems with laser stray light. Assumptions regarding the influence of surface recombination and diffusion are not necessary in the interpretation of the experiments. The method is usable for silicon in the temperature interval 150–400 K. Preliminary measurements of the Auger coefficient at room temperature are reported.     

准分子激光直写加工特性与脉冲参数关系的研究

以玻璃为实验靶材,用精密微动平台准确调节靶材位置,利用波长248nm的KrF准分子激光器,研究了准分子激光直写加工图形和激光脉冲数及脉冲能量之间的关系。实验证明,随着加工槽深度的增大,单个激光脉冲所烧蚀的深度逐渐减小,当达到一定的脉冲数时,所烧蚀槽的深度基本上保持不变。脉冲能量越大,刻蚀速率越大,其速率同样具有一个上限值。     

纵向放电激励的XeCl准分子激光

采用纵向气体放电激励,获得了XeCl激光作用。脉宽35毫微秒,最大能量317微焦耳,效率0.29％。