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相似文献
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1.
主要介绍了一直困扰印制电路沉铜生产工艺过程中频繁出现的背光不良问题的追踪改善情况,通过深入研究和探索,找到了问题的产生根源,制定了有效的改善措施,最终杜绝了背光不良问题的发生,稳定了沉铜工序的生产。  相似文献   

2.
本文介绍了一种应用于印制电路板化学沉铜工艺的新型沉薄铜药水。该产品具有简易分析及操作;沉积速度慢、厚度薄且背光能力优异、背光稳定性好;药水表面张力小、可满足高厚径比(13:1以上)板料生产要求;抗热冲击能力优异、同时能适应于高Tg和普通Tg板料等多种板料的优点。  相似文献   

3.
挠性板化学镀铜   总被引:2,自引:2,他引:0  
传统化学沉铜液经微量管理可以满足挠性板的要求。但当众多成份中任何一个太高或太低时就会出现问题。对于聚酰亚胺或聚酯基材的挠性板,少些则更为理想。 在一个挠性板研究事例中,电镀铜后检测出空洞(voids)现象,沉铜线的化学成份没有被引起怀疑,因为槽液浓度及添加量都是严格按照供货商推荐的数值执行。然而,从沉铜线出来的制品孔周围有灼红(flaming)现象。背光试验显示有分散的片状沉积,即沉铜  相似文献   

4.
通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。  相似文献   

5.
引言:化学沉铜是印制板生产中极为重要的一环。沉铜层的质量直接影响着印制板的质量。以前我们公司的印制板生产从沉铜前处理到沉铜一直采用手工操作,工人劳动强度大,工艺参数不易控制,使得印制板质量难以保证。为了改变这种状况,我们通过一年的时间,研制出了一条自动沉铜生产线。它将沉铜前处理和沉铜工艺融为一体,既提高了效率,又改善了印制板质量。本文就该系统的组成和电控原理作一简单介绍。  相似文献   

6.
文章主要介绍线路板行业重要三个湿制程:沉铜、板电、图电对孔内无铜的影响,通过对三个湿制程的流程优化及设备改造,大幅度降低了孔内无铜的报废率。同时,文中详细介绍了沉铜、板电、图电产生孔内无铜的原因,缺陷模式及对应行动。特别是在沉铜,板电及图电线通过引进新型震动在线检测警报系统,基本上改善了沉铜气泡型,电铜气泡型及电锡气泡型孔内无铜问题。  相似文献   

7.
在印制板的化学沉铜过程中,用于中Tg基板的工艺流程和配方,在加工高Tg基板时会出现非钻孔腻污等常见现象引起的孔壁微裂纹。实验表明,在不改变溶液体系的情况下,通过改善化学沉铜工艺流程和优化配方两种方法,可以极大的改善高他印制板的孔壁微裂纹情况,其中化学沉铜槽的配方对孔壁微裂纹起到决定性的影响。  相似文献   

8.
以二水合氯化钯为原料,PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂,抗坏血酸(从)为还原剂,在常温下还原Pd^2+制备纳米钯。通过激光动态散射法(DSL),透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对纳米钯进行了表征分析,结果显示,在PVP分散剂的作用下,得到的纳米钯为粒径8nm~22nm,无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液,可以减少沉铜的工艺步骤,经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级,通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。  相似文献   

9.
树脂塞孔板通过沉铜板电等流程制作,将塞孔位置镀上一层铜,用于满足PCB后续产品的焊接,当沉铜不良,则会导致后续树脂上无法镀上所需的铜,影响PCB焊接,而影响沉铜不良的因素主要有化铜活性、活化Pd不良、沉铜药水与树脂不匹配等因素,文章主要通过实验和过程确认,验证树脂塞孔沉铜不良的品质影响因素,为能更好地解决因盖帽不良造成的报废,现从多个角度分析影响树脂塞孔盖帽不良的因素,找出最佳生产参数,有效地实现了树脂塞孔盖帽不良问题的改善。  相似文献   

10.
简单介绍了碱性离子钯活化体系在PTH制程中的应用,通过正交试验优化PTH重要工艺参数。介绍了PTH常见故障及其排除方法,分析了多层线路板生产中去钻污段调整对化学沉铜过程的可能影响机理。阐述了PTH制程中去钻污对背光稳定性的贡献及传统PTH制程对高厚径比板件孔金属化过程的控制方向。  相似文献   

11.
金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉.未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理.采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力.金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求.GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃.金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3%,热沉焊接后空洞率不大于5%,满足高功率芯片散热要求.按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求.  相似文献   

12.
大尺寸TFT-LCD的LED背光技术   总被引:3,自引:2,他引:3  
传统的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transister crystal display,TFT-LCD)通常采用冷阴极荧光灯(cold cathode fluorescent lamps,CCFL)作为背光光源。相比较而言,由于发光二极管(LED)TFT-LCD背光源系统具有色彩还原性好、对比度高、亮度高等优点,近年来应用于大尺寸TFT-LCD的LED背光技术取得了长足的进步。当前应用于大尺寸TFT-LCD的LED背光源主要有两种:RGBLED背光源和白光LED背光源。大尺寸的LED背光系统结构主要采用直下式和侧式结构。本文将对这几方面进行系统阐述,并对大尺寸TFT-LCD的LED背光系统的应用前景进行预测。  相似文献   

13.
关于超薄LED背光模组设计探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
背光模组随着彩色液晶显示器的应用领域不断加大,其厚度也向超薄方面发展,并解决了液晶电视中LED背光源的结构设计难题.本文通过对传统背光模组和超薄LED背光模组、传统侧光式背光模组和超薄LED背光模的结构设计来进行分析与探讨.  相似文献   

14.
临界背光亮度法改善LCD动态调光中的灰度截断   总被引:3,自引:3,他引:0  
LED背光源LCD采用动态调光后,为了在灰度截断和功耗之间取得平衡,文章提出了基于临界背光亮度的灰度截断改善方法。该方法首先根据不同的算法分别计算出背光中间模块和边缘模块不产生灰度截断的临界背光亮度,然后将所得到的临界背光亮度与用传统方法得到的对应背光亮度做比较,选择较大值作为最终该模块的理想背光亮度并进行亮度的叠加。液晶补偿的灰度级由叠加后背光亮度得到。81cm(32in)LED背光源实验结果表明,该方法能够有效地改善灰度截断,同时功耗没有显著增加。  相似文献   

15.
LCD背光源产品的新发展   总被引:21,自引:13,他引:8  
季旭东 《液晶与显示》2002,17(2):119-127
目前,多数LCD器件都配备了背光源,在这些器件中,背光源对显示画面的亮度,对比度,发光均匀性等许多重要的性能都有影响,因而不断地改进LCD背光源,并研制新型LCD背光源是开发LCD技术的一个重要的组合部分。鉴此,对LCD背光源产品的新发展作了介绍。  相似文献   

16.
隧道再生大功率半导体激光器瞬态热特性研究   总被引:9,自引:2,他引:7  
讨论了隧道再生大功率半导体激光器内部的热源分布,利用有限元方法模拟计算了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布,同时测量了不同时刻波长的漂移量并换算为温升值,与计算结果进行了比较,二者基本吻合。模拟结果还表明靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度;用金刚石一铜热沉替换铜热沉,还可以很好地降低器件内部温升,使隧道再生大功率半导体激光器能够高效工作。  相似文献   

17.
汪军  沈健  屈军  张伟  赵松 《光电子技术》2020,(1):52-56,69
提出一种基于U型导光板的特种液晶显示背光模组以缩小侧入式背光模组的厚度。首先,利用Lighttools软件对分别采用1 mm和2 mm U型导光板的曲型侧边背光模组进行了设计和建模;接着对两种不同厚度的曲型侧边背光模组与采用4 mm常规平板式导光板的侧入式背光模组进行仿真并对比分析;最后对采用2 mm U型导光板的曲型侧边背光模组进行了相对偏移的仿真,结果表明其光学性能在强振动和宽温环境中具有较高的稳定性。文章得到一种采用2 mm U型导光板的曲型侧边背光模组,相比较常规侧入式背光模组,在保持了光学性能一致性的前提下厚度缩小了2 mm,对特种显示器的薄型化设计有一定的参考意义。  相似文献   

18.
液晶显示需要低功耗、均匀度好的光源作为背光源。为了降低功耗,提高显示图像质量,未来的液晶显示需要实现对背光源进行时间与阵列调制。对比现有的液晶显示用背光源,研究制备了氧化锌场发射光源。该光源采用氧化锌纳米针作为场发射阴极,采用平面栅极作为门电极调制结构实现亮度的连续可调,通过带有氧化镁二次电子发射层的金属栅网对电子进行聚焦实现光源的均匀照度。实验结果表明,带电子聚焦的氧化锌场发射光源具有较低的开启场强(1.1V/μm),较小的电压调制区间(小于150V),较高的发光强度(大于1 000cd/m2),且基于电子聚焦结构的设计,实现了光源的均匀稳定照度,可以提高液晶显示的图像质量。带电子聚焦结构的氧化锌场发射光源,既可实现对发光的时间与阵列调制,同时能提高发光的均匀性,将可作为液晶显示的理想背光源。  相似文献   

19.
一种直下式LED背光源的设刮   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了LED背光源代替CCFL背光源的具体应用。通过对CCFL背光源特点的说明.进而阐述了LED背光源实际方案及达到的技术效果.并通过对一款47inLED背光源的设计和制作,进行了详细的阐述。测试结果为中心亮度11,230nits、整体功耗178W、均匀度96.26%、色彩还原性达到NTSC标准的128.15%,远远超过了CCFL背光源的70%。  相似文献   

20.
新型LED背光源技术及应用   总被引:18,自引:0,他引:18  
汪敏  夏咸军 《光电子技术》2005,25(4):267-270
介绍了LED背光源的最新技术进展,最新设计工艺,并分析了侧光式与直下式LED背光源工艺设计中应注意的问题,以及LED背光源相对于CCFL背光源在大尺寸LCD应用上的优势,分析结果表明LED背光源将是LCD最理想的背光源。  相似文献   

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