铜箔皱原因分析及改善措施

压合工序是线路板工厂中最重要的工序之一,铜皱问题是行业内推广薄铜箔最大的阻碍。文章通过自行设计简易试验装置,设计对比试验,分析了压合铜箔皱的机理,阐述了温度均匀性对铜皱的影响,完善了行业内对该问题的理论认识;提出了一种针对铜皱问题全新的解决思路和方法即通过参考树脂融化点调整压合程序的方式解决压合铜箔皱问题。     

一种特殊刚挠结合产品的加工流程研究

挠性层有沉金焊盘且外层使用纯铜箔和有大面积预开窗半固化片压合的刚挠结合板,在批量加工时常会遇到预开窗区铜箔破裂的情况,同时纯铜箔蚀刻开盖工艺不足以在外层蚀刻工序保护内层焊盘。文章介绍一类低成本、低风险、高效率、高品质的加工流程,使得此类产品更具备批量生产性。     

层压板厚控制分析报告

从影响层压板厚的基材厚度、PP100%残铜时压合厚度、各内层残铜率、内外层铜箔厚度等各方面经过大量实验准确得出板厚的控制方法,并设计“多层板压合后板厚计算表”,简单输入所需信息后可方便快捷的计算出层间半固化片厚度和压合后最终板厚。方法合理科学,可完全指导实际生产。     

新产品与新技术(92)

磁性研磨法去除激光钻孔孔口铜粒 PCB微小孔形成大多数采用直接激光钻孔,此过程中激光热熔化板面铜箔,铜会飞溅在板面特别是留在孔口成为细小铜粒,通常采用机械磨刷或化学蚀刻去除,易损伤表面铜箔和孔口.日本宇都宫大学与JCU研究所合作,开发一项用电磁研磨法除去孔口与表面铜凸出物技术.     

铜箔毛面形态对蚀刻性能的影响

随着电子信息技术的快速发展,对覆铜板用铜箔在质量上的要求越来越高。为使铜箔与基材之间有更强的结合力,需要对原铜的毛面进行粗化处理,一般是通过增大铜箔毛面的比表面积来提高铜箔的剥离强度。在铜箔获得高剥离强度的同时,也需注意铜箔毛面粗化层的微观形态对蚀刻性能的影响,避免因残铜的蚀刻不净而增加PCB出现短路的风险。本文对不同厂家HOZ铜箔的微观形态进行了研究,并由此探讨了铜箔毛面形态对PCB蚀刻性能的影响,为CCL和PCB的从业者在选用铜箔时提供一定的借鉴。     

从招远金宝铜箔的发展看我国铜箔产业的结构调整

铜箔是电子信息产业十分重要的基础材料，主要有电解铜箔和压延铜箔，用途就是将其压合或胶粘在纸、玻璃布、薄膜等绝缘基材上，制成刚性或挠性覆铜箔板，再经过蚀刻制成可以组装电子元件并传递电信号的印制电路板。电解铜箔产品最早起源于美国，后来在日本得到较快的发展，到上世纪九十年代，日本铜箔无论是规模，还是技术水平，均居世界领先水平，一度控制世界80％的市场份额。     

一种超厚铜板制作工艺探讨

通常铜厚≥350mm（10 oz）以上电路板称为超厚铜板,其主要应用于大电流大功率电源、清洁能源太阳能等产品。随着这类产品需求量的迅速增长,未来超厚铜板必然会成为PCB发展的另一趋势之一。超厚铜板由于铜厚较厚,制作时内层无铜区填胶、钻孔、蚀刻等工序都存在一定的难度。文章通过制开发28 oz的超厚铜板,对选用的材料及制作工艺等方面进行优化,解决了这类板制作过程中蚀刻、压合、钻孔等工序的制作难点,为业内同行制作此类超厚铜板提供参考。     

碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究

采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中（Cu2＋）、（Cl-）、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律.结果表明：在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度〉Cu2＋浓度〉pH值〉Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为（Cu2＋）=100g/L,（Cl-）=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76mm/min.     

高多层板压合起皱的原理与解决办法

压合工序是高多层板线路板工厂最重要的工序之一,压合起皱问题困扰多数高多层线路板工厂的一大难题。文章分析了压合起皱问题的机理;介绍了解决压合起皱传统的方法:增加假铜点、升温速率与压力的调整、压合结构的调整、增加牛皮纸提高缓冲度、工具边图形设计优化等方法,提出了一种全新的解决思路和方法即通过钢板与线路板的铜箔之间的膨胀匹配性的解决压合起皱问题。     

直接键合铜工艺

直接键合铜(DBC)工艺是实现功率电路基板的一种金属化工艺，是把铜箔直接键合到陶瓷基板上，没有中间键合层。这种工艺是利用有0．39％氧的共晶混合物在1065℃时呈液相作为粘接剂的原理，把0.001-0．020英寸厚的铜箔化学粘接到基板上。工艺过程是先将铜箔表面氧化，然后加热到1065℃，这时共晶混合和变成液相，     

厚铜板线路制作工艺探讨

在厚铜板件的生产制作过程中,蚀刻一直是一个难点。为了达到蚀刻目的,制作上一般选择多次快速蚀刻或者一次性慢速蚀刻。本文通过对比不同面铜厚度的板进行蚀刻,分析比较不同蚀刻方式对蚀刻因子、线宽和线形的影响,并对其差异性进行原因分析。为生产和设计提供有价值的参考。     

厚铜板阻焊起泡原因分析及改善

目前厚铜印制板的应用越来越多,使其在阻焊印刷过程中工艺参数管控与板面清洁工作就显得尤为重要.本文主要分析厚铜板油墨起泡的原因及探究改善措施;分析线路毛边长度、油墨粘度、阻焊印刷参数、静电对油墨起泡的影响后,通过新增二流体补充蚀刻、管控油墨粘度、静置加吸真空、调整印刷室湿度,针对性改善油墨起泡.     

覆铜板用厚铜箔产品的性能及其应用

介绍了覆铜板用厚铜箔的定义、应用特性以及厚铜箔覆铜板市场,并重点讨论了厚铜箔所需达到的关键性能,以及它与PCB加工性、品质提高的关系.     

High throughput, high quality dry etching of copper/barrier film stacks

Dry etching of copper interconnect lines in a chlorine-based plasma has been investigated. Copper dry etching was carried out in a modified diode-type reactive ion etch (RIE) system and in an inductively coupled plasma (ICP) etch system. The ICP system offers a significant increase in copper etch rate compared with the low-efficiency RIE system while maintaining excellent pattern transfer accuracy. A number of fundamental issues in high quality and high throughput copper dry etching will be discussed. Electrical characterization of patterned copper lines with line width as small as 0.25 μm indicates low electrical resistivity and good electromigration performance.     

厚铜箔印制板尺寸稳定性研究

伴随着电源模块等大功率元器件的市场需求量不断加大,厚铜箔印制电路板的产量也不断增加,其对品质的要求也越来越严格。众所周知,厚铜箔印制电路板在其生产制作中产生的热膨胀系数量一直是影响其品质的重要因素,本文正是着眼于信息产业高科技、高精度的要求,通过对厚铜箔板的工艺流程、材料本身特点、设计三个因素来试验找出厚铜箔印制板系数补偿的重点考虑因素,同时对热膨胀系数量进行统计分析,从而保证厚铜板涨缩控制在范围之内,达到客户的要求。     

Plasma etching of copper films at low temperature

Experimental verification of a low temperature (<20 °C), reactive plasma etch process for copper films is presented. The plasma etch process, proposed previously from a thermochemical analysis of the Cu-Cl-H system, is executed in two steps. In the first step, copper films are exposed to a Cl₂ plasma to preferentially form CuCl₂, which is volatilized as Cu₃Cl₃ by exposure to a H₂ plasma in the second step. Plasma etching of thin films (9 nm) and thicker films (400 nm) of copper has been performed; chemical composition of sample surfaces before and after etching has been determined by X-ray photoelectron and flame atomic absorption spectroscopies.     

Polymer residue chemical composition analysis and its effect on via contact resistance in dual damascene copper interconnects process integration

During via and trench plasma etching in dual damascene copper interconnects process integration, polymer residues and copper damage were created as by-products of the dry-etch process. The polymer residue chemical composition and copper damage were analyzed by Auger electron spectroscopy. Analysis result indicated that besides copper, carbon, oxygen, and nitrogen and trace amounts of chlorine and sulphur were also observed. The polymer residue and copper damage are the important reasons of cause higher via contact resistance and lower via yield. It could be reduced and eliminated effectively using optimized plasma etch recipe, improved polymer residue removal methods and improved pre-treatment before metal deposition and so on.     

塑料封装铜丝内连电子元器件开封新工艺研究

采用两种开封工艺对塑料封装、铜丝内连的电子元器件进行了开封实验.通过自动开封机对开封工艺参数的精确控制,使用浓硝酸与浓硫酸的混合液对样件进行开封,比较完整的保留了铜丝内连结构,达到了开封测试的基本要求.另外通过在混合腐蚀液中添加过量CuSO4·5H2O晶体使腐蚀液中的Cu2 在开封过程中始终保持饱和溶解状态下进行手工开封,结果表明改进后的腐蚀液对铜丝及铜球焊点的腐蚀破坏得到有效抑制.研究结果对于解决塑料封装、铜丝内连电子器件开封测试的难题具有指导意义.     

355nm和1064nm全固态激光器刻蚀印刷线路板

采用输出功率8 W的355 am Nd:YVO4紫外激光器和50 w的1064 nm Nd'YAG激光器对覆铜板(CCL)和柔性线路板(FPC)进行了刻蚀实验,研究了激光功率密度、重复频率、扫描速度和单脉冲能量等加工工艺参数对刻蚀质量的影响.实验结果表明,由于铜和聚合物材料对紫外激光有更高的吸收率,紫外波段的激光只需要较低的能量就可以将表面铜层刻蚀完全,并且引起的热作用也较小.相反,红外激光加工最大的优势就是对环氧树脂和聚酰亚胺基板的破坏较小,从而适合于表面铜层的去除加工.与此同时,355 nm紫外激光器由于能快速轻易地将厚聚合物基板分离,更适合于印刷线路板(PCB)的切割成型加工.