宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

EMX—500交换机系统带数据丢失的原因分析

ＥＭＸ－５００交换机系统带数据丢失的原因分析江苏省徐州邮电局朱小枫ＥＭＸ－５００交换机的系统带最初是由ＭＯＴＯＲＯＬＡ公司提供的，它共有３个组成部分，即ＰＡＴＣＨ，ＳＹＳＧＥＮ（ＳＹＳＴＥＮＧＥＮＡＲＡＴＩＯＮ）和空的ＣＨＡＮＧＥＪＯＵＮＡＬ。前两部...     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

EGNOS——-GPS和GLONASS的欧洲区域增强

欧洲正在开发的ＥＧＮＯＳ系统可为欧洲物陆、海、空用户提供ＧＰＳ和ＧＬＯＮＡＳＳ的区域增强服务。ＥＧＮＯＳ计划是欧洲卫星导航计划一个主要组成部分，它是由欧洲联盟委员会（ＣＥＵ）、欧空局（ＥＳＡ）和欧洲航空安全组织（ＥＵＲＯ ＣＯＮＴＲＯＬ）联合制定的。ＥＧＮＯＳ将提供如下的业务：基于ＧＥＯ的类ＧＰＳ测距信号（Ｒ－ＧＥＯ），用以改善ＧＰＳ定位在静地广播区域（ＧＢＡ）上接收机自主完善性监测（ＲＡＩＭ）的     

海洋红藻R—藻胆蛋白的扫描隧道显微镜研究

Ｒ－藻红蛋白（Ｒ－ＰＥ）从海洋红藻多管藻中分离获得，然后用扫描隧道显微镜对其结构进行了研究。结果表明当Ｒ－ＰＥ在基底高定向石墨（ＨＯＰＧ）上吸附时，大部分蛋白分子聚集在一起，少数单个的蛋白分子分布于ＨＯＰＧ的表面。进一步缩小扫描范围，以可清楚地观察到Ｒ－ＰＥ分子为圆盘壮结构，但分子中央的孔洞的不象－Ｃ藻蓝蛋白那样清晰，这是由于λ－亚基位于分子的中央孔洞内。     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

BaO－P_2O_5和R_2O－BaO－P_2O_5系统磷酸盐激光玻璃RAP法除

研究了熔炼温度和气相反应剂（ＣＣｌ４，ＳＯＣｌ２和ＰＯＣｌ３）对ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（Ｎ２１）和Ｒ２Ｏ－ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（ＨＬＣ－５）系统磷酸盐激光玻璃ＲＡＰ法除水速率的影响．讨论了Ｎ２１和ＨＬＣ－５型玻璃中Ｎｄ３＋的荧光寿命与ＯＨ基含量的关系，井对除水前后玻璃的激光性能和物理性质进行了比较。     

银胶,金胶的结构形态和聚合特点

本文报道了用兑制的方法制备的银胶，金胶在电镜下的结构形态和聚合行为，并与表面增强拉曼散射（ＳＥＲＳ）常用的活性基底的其它银胶和金胶进行了对比。发现兑制方法制备的胶体与以往其它方法制备的胶体明显不同，兑制的银胶，金胶颗粒形成不够完善，尺度较小且大多成团状堆积；加入吡啶分子后并未像其它方法制备的银胶，金胶那样进一步凝聚，而是凝聚程度有所减弱，加入Ｃｌ＾－后，结构形态发生显著变化，原来胶体中大量的团状结     

S1240用户计次表乱跳故障的处理

Ｓ１２４０用户计次表乱跳故障的处理．黑龙江省电信技术支援中心聂学春Ｓ１２４０程控交换机的用户计次表若乱跳，即每隔１２小时，用户计次表总在原脉冲数上累加２４０次计费脉冲，并不断打印ＲＲＮ＝７７７（ＣＨＡＲＧＩＮＧ－ＭＥＴＥＲ－ＯＶＥＲＦＬ（７Ｗ）报告：...     

掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

HDTV声音编码技术（下）

ＨＤＴＶ声音编码技术（下）门爱东，全子一，蔡朝晖三、ＭＵＳＩＣＡＭ环绕声系统￣［７］［８］自１９８９年以来，ＩＳＯ和ＩＥＣ成立了一个ＭＰＥＧ专家组，制定了大家熟知的ＭＰＥＧｌ（ＩＳＯ１１１７２）、ＭＰＥＧ２（ＩＳＯ１３８１３）标准，其中包括声音编码。...     

关于光纤用户传输网的研究（续）

关于光纤用户传输网的研究（续）解金山，赵玉兰，桂厚义，杨邦湘（武汉邮电科学研究院４３Ｏ０７４）ＳＴＵＤＹＯＮＦＩＢＥＲＯＰＴＩＣＳＵＢＳＣＲＩＢＥＲＮＥＴＷＯＲＫ（Ｃｏｎｔｉｎｕｅｄ）￥ＸＩＥＪｉｎ－Ｓｈａｎ；ＺＨＡＯＹｕ－Ｌａｎ；ＧＵＩＨｏｕｙｉ；...     

如何提高呼叫建立成功率

呼叫建立成功率是衡量一个网络质量的重要指标之一,所以想办法提高网络的呼叫建立成功率是非常重要的。 下面详细说明根据呼叫建立成功率计算公式分析可能原因,最后定位到哪套ＲＦ硬件问题。 一、呼叫建立成功率计算公式 Ｃａｌｌ_Ｓｅｔｕｐ_Ｓｕｃｃｅｓｓ_Ｒａｔｅ＝（ＴＯＴＡＬ_ＣＡＬＬＳ＋ＣＯＮＧＥＳＴ_ＡＳＳＩＧＮ　ＨＯ　ＳＵＣ）／（ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ＳＥＲＶ_ＲＥＱ_ＣＡＬＬ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ ＲＥＥＳＴＡＢＬＩＳＨ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ ＰＲＯＣ：ＰＡＧＥ_ ＲＥ-ＳＰＯＮＳＥ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ…     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

上网注册表修改技巧四则

技巧一：使拨号网络可以储存密码方法１：“开始”→“执行”→启动注册表编辑器（ＲＥＧＥＤＩＴ．ＥＸＥ）,打开ＨＫＥＹ－ＬＯＣＡＬ－ＭＡＣＨＩＮＥ／ＳＯＦＴＷＡＲＥ／Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ／Ｗｉｎｄｏｗｓ／ＣｕｒｒｅｎｔＶｅｒｓｉｏｎ／Ｎｅｔｗｏｒｋ／Ｒｅ...     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

mPEG发展概况及应用

一、ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２简介 ＭＰＥＧ－１制定于１９９２年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ＩＳＯ／ＩＥＣ１１１７２中。可适用于不同带宽的设备．如 ＣＤ－ＲＯＭ、ＶＣＤ、ＣＤ－ｉ,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。ＭＰＥＧ－２制定于１９９４年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视（ＳＤＴＶ）和高清晰度电视（ＨＤＴＶ）在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从３Ｍｂｉｔ／ｓ－１００Ｍｂｉｔ／ｓ,标准的正式规范在ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８…     

热门站点——网上购书(下)

热门站点———网上购书（下）炎黄网上书店炎黄网上书店（ＣＨＩＮＡＯＮＬＩＮＥＢＯＯＫＳＴＯＲＥ）为中国人开设在纽约的美国开明出版社（ＫＡＩＭＩＮＧＰＵＢＬＩＳＨＩＮＧＨＯＵＳＥ［ＵＳＡ］，ＩＮＣ）组建的一家书店，以函购方式为全世界华人和想读汉语书...