半导体材料

Y2002-63474-65 0327563THz频率的锑化铟旋转电子特性=Gyroelectric proper-ties of Indium antimonide at THz frequencies[会,英]/Tio,L Y & Davis,L.E.//2001 IEEE High Fre-quency Postgraduate Student Colloqmum.—65-70     

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Y98-61403-131 9907094利用塞贝克和导热率品质因数对半导体结构化学特征的描述=Structural-chemical characterization of semicon-ductors using the Seeback and thermal conductivity quail-ty factors[会,英]/Tuomi,D.//1997 16th InternationalConference on Thermoelectrics.—131～137(AG)利用电子迁移率——有效电子质量成分μ_0(m~*/m_0)(3/2),塞贝克品质因数 Qs 和经验确定的热传递品质因数 Qk 等来评价合金的质量,有助于对生产改进型优质热电合金的方案的认识和选择。本文主要讨论了如何利用 Qs 和 Qk 和电子迁移率表征半导体的结构化学特性。参15     

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电子情报通信学会技术研究报告:有机电子学OME98-138～144(信学技报,Vol.98,No.642)(见0004137)电子情报通信学会技术研究报告:电子显示 EID98-184～190(信学技报,Vol.98,No 641)(见0004136)敏感材料动态检测的知识获取方法(见0004064)电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM98-210～222(信学技报,Vol 98,No.652)(见0003761)     

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0608488热挤压AZ91D镁合金的组织与力学性能〔刊,中〕/徐春杰//西安理工大学学报.—2005,21(4).—356-360(L)0608489一种改善晶片几何参数的研磨技术〔刊,中〕/常美茹//中国集成电路.—2005,(12).—54-57,39(G)研究表明,研磨工艺对改善半导体晶片几何参数非常关键。本文提出了一种在研磨工艺中采用多组厚度递减的游星片和晶片翻面的方法,有效地改善了晶片的几何参数。参40608490全球晶圆代工业面临更大的挑战〔刊,中〕/莫大康//中国集成电路.—2005,(12).—14-15(G)0608491硫酸盐还原菌包埋固定化技术处理含铬废水〔刊,中〕/柴立元//中南…     

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0015951激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究[刊]/刘传珍//液晶与显示.—2000,15(1).—46～51(B) 0015952超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究[刊]/周之斌//固体电子学研究与进展.—2000,20(2),—229～233(D)0015953软损伤吸杂作用机构的分析[刊]/夏玉山//固体电子学研究与进展.—2000,20(2).—223～228(D)用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损伤诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。参3     

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IELDVD060:9322:29630-65 0600152 Cu／TaSi／多孔硅金属镶嵌结构的泄电流研究=The leakage current study on Cu／TaSi／sub x／／porous silica damascene structures[会,英]／Chung-Hsien Chen／／ Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2004．IPFA 2004 Proceedings of the 11th International Symposium on the．-65-68(A) 0600153 GaN采用BN涂复改进场致发射持性=Improved field-     

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0603061 薄碳化硅涂复硅系统纳米压痕接触反应=The contact response of thin SiC-coated silicon systems-characterisation by nanoindentation [刊,英]/E. G. Berasategui and T. F. Page//Electronics Letters. -2003, 163.-491-498(E)     

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Y98-61438-1326 9912729塑料封装造型期间的 IC 芯片应力=IC chip stress dur-ing plastic package molding[会,英]/Palmer,D.W.&Benson.D.A.//1998 IEEE 48th Electronic Compo-nents & Technology Conference.—1326～1331(AG)     

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Y98-61460-75 9914816作为红外肖特基探测器的 P 型硅上的硅-锗-硼无定形合金=Silicon-germanium—boron amorphous alloy on p-type Si as infrared chottky detector[会,英]/Gomez,J.G.S.& Jacome.A.T.//1998 IEEE 2nd InternationalCaracas Conference on Devices.Circuits and Systems.——75～78(YG)本文提出了作为光发射红外光探测器的由 P-Si上 SiGeB 合金得到的肖特基势垒,SiGeB 合金由300℃光增强化学汽相淀积(PECVD)得到,源气体用了SiH_4、GeF_4和 B_2H_6,得出的淀积于 P-Si 上的势垒高度     

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Y2002-63084-209 0212497Cu/Cr,Cu/V 和 Cu/Ta 多层中 Cu 的自对准钝化=Selfaligned passivation of Cu in Cu/Cr,Cu/V,and Cu/Tamultilayers[会,英]/Iraji-Zad,A.& Vashaei,Z.//ICM2000 Proceedings of the Twelfth International Conference0n Microelectronics.—209～212(PE)     

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0207919电力线载波芯片 PLT-22及其应用[刊]/黄巍//电测与仪表.—2001,38(12).—46～48(D)介绍一种在低压配电线上实现数据传输的调制解调芯片 PLT-22,包括其功能特点、工作原理及典型应用电路。参30207920     

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Y2000-62067 00090451998年 IEEE 光电子与微电子材料和器件会议录=1998 IEEE international conference on optoelectronic andmicroelectronie materials and devices[会,英]/IEEEElectron Devices Society.—IEEE,1999.—533P.(EC)本会议录收集了于1998年12月14～16日在澳大利亚召开的光电子、微电子材料与器件专题讨论会     

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Y2002-63306-260 0306976p 型磷化铟等离子体感应缺陷快速迁移=Fast migra-tion of plasma-induced defects in p-InP[会,英]/Okumu-ra,T.& Honda,T.//2001 IEEE International Confer-ence on Indium PhospKde and Related MaterialS.—260～263(E)Y2002-63306-326 0306977(Al_(0.7) Ga_(0.3))_(0.5)In_(0.5)P/Al_xIn_(1-x)P 超晶格瞬态光电流与光致发光同时测量=Simultaneous measurements oftransient photo-current and photoluminescence for(Al_(0.7)     

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Y2002-63520-281 0322129应用空间均匀电场的半导体纳米结构中电子的量化控制=Quantum control of electrons in semiconductornanostructures using spatially uniform electric fields[会,英]/Tarnborenea,P.I.& Metiu,H.//Proceedings ofthe 40th IEEE Conference on Decision and Control,Vol.1 of 5.—281～286(HE)0322130多孔硅 M/PS 结的研究[刊]/徐伟弘//光电子技术.—2003,23(1).—24～26(C)     

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Y2002-63302-122 0304932铜酞菁有机器件的复微分电容=Negative differentialcapacitance in copper phthalocyanine organic devices[会,英]/Xu,M.S.& Xu,J.B.//2001 IEEE Hong KongElectron Devices Meeting.—122～125(E)Y2002-63306-109 0304933具有温度敏感带隙的新半导体合金 GaAs_(1-x)Bi_x 中的光跃迁=Optical transitions in new semiconductor alloyGaAs_(1-x)Bi_x with temperature-insensitive band gap[会,英]/Yoshida,J.& Yamamizu,H.//2001 IEEE Inter-national Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials.—109～112(E)     

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Y2000-62067-264 0012440对两种 As 源之间 As 转移的观察=Observation of Ascarryover from two different As sources[会,英]/Moon,Y.& Lee,T.-W.//1998 IEEE International Confer-ence on Optoelectronic and Microelectronic Materials andDevices.—264～267(EC)Y2000-62067-268 0012441通过表面光吸收对量子阱结构中的 As/P 交换反应和As 转换内置观察=In-situ observation of As/P exchangereaction and As carryover in InAs/InP quantum wellstructures by surface photoabsorption[会,英]/Hwang,H.& Lee,T.-W.//1998 IEEE International Confer-ence on Optoelectronic and Microelectronic Materials andDevices.—268～271(EC)     

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1998年 IEEE 国际绝缘体上硅(SOI)会议于该年的10月5日至8日在佛罗里达州的 Stuart 召开。会议录收录了会上发表的84篇论文,内容主要涉及 SOI材料的研究与开发,SOI 的可靠性和应用,SOI 器件,包括:SOI MOSFET,SOI CMOS,SOI 横向 BJT 等方面。     

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改进功能半导体材料的电学、光学、磁学特性，有利于提高微电子、光电子器件的性能。本文概述了近年来半导体材料的国内外发展状况，提出了半导体材料的发展重点和发展建议。     

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Y2哩:6?.l抄六弋*应用触友议订并二尸乃。n:,t in‘on silieon甘‘舀.,.、,,..:神经网络一通用机芯片试验二with trigger waves:exPe巧m即协阅CNN.UM山PS1.刀丁七e正卫E]伪献娜Vd.3〔会,英)/Reke二ky,C.&SzatTn州,Intemation目S帅p〕sium on Cireuits and3 of 5.一49一52(HE) 0214973溶胶一凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜〔刊)/陈借//真空科学与技术学报一2002,22(1)一10一14(K) 采用溶胶一凝胶法制备了低介电常数siq薄膜和Si0F薄膜,F的掺入明显地降低了siq薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测量了10…