GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（CRIN－CSH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10W,峰值波长为806－809nm。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器, 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小, 受环境温度影响大, 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器, 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ, 单个１－３μｍ 激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ （ 瓦）［ １］ , 单个１－５５μｍ 激光器, 脉冲峰值功率超过２ Ｗ［ ２］ 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现, 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和; 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成３ ×４ 单元的１－３μｍ 列阵激光器, 其脉冲峰值功率大于２４ Ｗ; ４ ×４ 单元的１－５５μｍ 列阵激光器, 它的脉冲峰值功率大于２０ Ｗ。     

半导体功率放大激光器及列阵的研究

研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器(LD - SLA)及列阵.器件为双异质结增异导引氧化物条形结构.采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与功率放大器(SLA)集成一体.输出功率提高一个数量级.并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使反射率和透射率由无膜时的31%、69%提高到94%以上.提高激光输出,保护器件端面.     

半导体激光器材料的MBE生长

本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。     

基于Mini-bar的千瓦级大功率激光器光纤耦合

高功率激光器是一个发展趋势,由于半导体激光器的自身限制,使用光纤耦合的方法来提高光束的质量,对半导体激光器尤其是大功率半导体激光器的光纤耦合研究具有非常重要的应用价值。故对半导体激光器阵列的千瓦级光纤耦合模块进行了研究分析,基于Mini-bar的半导体激光光纤耦合模块进行仿真模拟,采用36只输出功率为80W的Mini-bar半导体激光器组成两列空间叠阵作为耦合光源,通过准直、合束、聚焦等方法高效耦合进入数值孔径0.22、芯径300mm的光纤中,系统最终输出功率达到2849.3W,光纤耦合效率大于98%。     

基于ZEMAX的多光束半导体激光器光纤耦合设计

基于ZEMAX模拟了一组多光束半导体激光器的光纤耦合模块,采用14支波长为808 nm的输出功率为60 W的线列阵激光二极管作为耦合光源,采用偏振技术实现多光路的合束,最终耦合进入芯径400μm,NA为0.22的光纤中,最终输出功率超800 W,耦合效率达97%,实现了高效耦合,并对光纤对接过程中的耦合效率进行了分析。     

锁相半导体激光器列阵

本文叙述了锁相半导体激光器列阵的工作原理。用耦合模分析的方法给出了远场分布计算公式,以及十条型锁相激光器列阵可能存在的远场分布。分析了双瓣远场和大功率输出的原因。     

Banach代数中的行列式理论

探讨了 Banach 代数中的行列式理论.给出了具有单位元的迹 Banach 代数具有行列式的充要条件.     

非织造布滤料性能及过滤过程的研究进展

对近年来非织造布滤料的研究进展做了简要综述,介绍了内部结构的研究及表征、过滤性能及其影响因素、过滤过程的计算机模拟,指出进一步发展所需要解决的问题。     

Towards Excellence in Science Chinese Academy of Sciences

<正>May 26,2014,BeijingScience is a human enterprise in the pursuit of knowledge.The scientific revolution that occurred in the 17th Century initiated the advances of modern science.The scientific knowledge system created by human beings,the tremendous productivity brought about by science,and the spirit,methodologies and norms formulated in scientific practice since the 17~(th)Century have long become essential elements of     

SCIENCE CHINA Technological Sciences SUBJECT INDEX TO VOLUME 57(2014)

<正>~~     

单面约束系统的微分变分原理与运动方程

研究单面约束力学系统的微分变分原理和运动方程。方法利用Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理建立Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ－Ｌａｇｒａｎｇｅ原理．Ｊｏｕｒｄａｉｎ原理和Ｇａｕｓｓ原理,结果与结论得到系统的微分变分原理和带乘子的Ｅｕｌｅｒ－Ｌａｇｒａｎｇｅ形式,Ｎｉｅｌｓｅｎ形式和Ａｐｐｅｌｌ形式的运动方程。     

q-树的重构性

q 是一个正整数,所谓 q-树的图是递归定义的:最小的 q-树是完全图 K_q,一个 n+1阶的 q-树是通过在 n 阶 q-树上加上一个新点并连接这点与 n 阶 q-树中任意 q 个互相邻接的点而获得,其中 n≥q.1-树我们通常称为树.在本文中,证明了对任意正整数 q,q-树是可重构的.     

β-环糊精-毛细管区带电泳分离扑尔敏对映体

采用毛细管区带电泳模式,以β-环糊精为手性选择剂分离了药物扑尔敏的光学对映体.考察了在不同背景电解质 pH 值尤其是较低 pH 值下环糊精浓度对对映体表观淌度差的影响,并研究了有机改性剂尿素在分离中的作用.     

层状球形夹杂复合材料的弹性模量

利用层状球形夹杂在无限大基体中的局部化关系及平均应力场理论,给出了一种方法来分析含 n 种层状球形夹杂所构成复合材料的弹性模量.对于文献给出的空心玻璃球和高分子基构成的复合材料,该理论的预测与实验吻合很好.当表层稍失时,该理论退化为传统的 Mori-Tanaka平均应力场理论.     

CVD涂层硬质合金刀具的失效机理

通过系统的实验研究和理论分析,揭示了 CVD(化学气相沉积)涂层硬质合金刀具在磨损和破损状态下的不同的失效机理,并在机理分析的基础上,阐明了涂层硬质合金刀具对于切削条件的特殊适应性.     

特征关系与工艺决策

从并行工程的原理出发,提出了一个基于特征的并行 CAPP 系统.在特征建模的基础上,系统能够推理特征之间的关系,产生零件的特征向量图;利用加工知识库,通过动态规则匹配,系统可以确定特征的加工方法、加工参数及其加工顺序;通过优化确定最佳的工艺计划.