半导体器件中金线与基片焊接的可靠性

金线与半导体器件中Si片连接的质量极大地影响着半导体器件的可靠性.本文叙述了金线与基片间接触面的状态,Au-Al系金属中间相的形成以及非金和贱金属线代替金线作内引线,具有热稳定性高,能降低材料成本,提高半导体器件焊接可靠性的优点.     

半导体器件超声球焊铝线

IC铝电极和外部引线框架之间的连接，采用铝线不仅具有低的和稳定的材料成本，而且避免了用金线连接的Au-AI金属间化合物脆性相的产生和危害，提高了IC等稳定性。文章中叙述了铝线的成分选择；热处理试验，确定了高焊接强度和高刚性的铝合金线，同时还讨论了影响铝线球焊质量的各种工艺参数。     

电力半导体器件的最新发展动向

综述了电力半导体器件的最新发展动向,介绍了几种新型的电力半导体器件,指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。     

用于粘结芯片的金硅共晶合金

通过Au-3.5%Si(Au-3.5Si)和Au-2%Si(Au-2Si)对芯片粘结有影响的主要性能(接触电阻、焊接性能)的比较,认为芯片粘结用Au-3.5%Si(或共晶点成份)为好.在芯片粘结冷却后,不仅形成Au、Si原始相,还会有Au_7Si、Au_5Si、Au_3Si化合物相形成.     

功率半导体器件芯片背面多层金属层技术

本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。     

电力半导体器件的最新发展动向

综述了电力半导体器件的最新发展动向,介绍了几种新型的电力半导体器件,指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。     

在硅衬底上直接生长Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的进展

本文介绍目前国外直接在 Si(100)衬底上异质外延生长以 GaAs 为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和器件的进展。     

半导体分立器件的可靠性工艺控制方法

重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道：工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法；还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。     

声表面波器件压电芯片粘接工艺的可靠性研究

本文对声表面波(SAW)器件失效模式以及SAW器件粘片失效模式进行了初步分类和探讨。通过对粘片工序几种失效模式的对比试验，总结了一套针对该工序的较为完整的粘片可靠性增长的控制措施。     

模拟器件稳态热场正确性的判断方法

对稳态热场 ,二个水平剖面 A和 B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值 .当芯片、基片和底座的截面大小一样时 ,可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 ,通常可以手工完成 ;当芯片、基片和底座的截面大小不一样时 ,可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 .如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时 ,应作模拟了解该参数对热斑温度的影响 ,必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度 .     

半导体器件模拟中的一种三角网格生成方法

通过对半导体器件模拟中网格划分原理的分析 ,提出了一种基于标准单元结构的有限元三角网格生成方法 ,进行了面向对象的结构分析和编程实现 ,并成功地集成于半导体器件模拟软件 SMDS系统之中。结果表明 ,这种网格生成方法是行之有效的。     

半导体器件发展历程及其展望

简述了半导体器件发展历程,及其对人类社会发展所产生的深刻影响。探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。     

一种用于器件模型参数提取的芯片测试数据的获取方法

半导体器件的建模及模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键性工作。要提取器件参数,获取并处理复杂繁重的测量数据是前提条件,也是非常重要的一个环节,如何简单有效的提取并处理参数提取测试数据就显得格外重要。本文提出了简单易用的用于器件模型参数提取的测试数据的获取方法。实验证明,该方法可以有效的获取大量繁杂的测试数据,具有较高的精确度,而且简单易用,适合推广使用。     

声表面波器件小型化工艺中芯片的测试与改进

晶圆芯片测试,依靠探针触点与芯片电极间的机械接触,实现机-电连接和信号转换,从而完成对器件的电参数测试。该文通过设计和加工微探卡的方式,针对探针与芯片接触触点少导致接地信号采集不完整,影响芯片测试时带内波动、芯片测试与成品测试结果差异大的难题,提出了低损耗声表面波(SAW)滤波器设计结构中模拟焊点引线的方式,通过采集芯片电信号,在频域内做测试,满足晶圆级封装(WLP)、芯片级封装(CSP)等封装工艺的检测要求,鉴别出在芯片粘在外壳前合格的芯片,同时监测参数的分布状态来保持前道工艺的质量水平,反馈芯片的合格率与不良率。     

半导体器件非抛物型流体动力学模型

从 Boltzmann迁移方程出发 ,在载流子分布函数没有任何限制 ,能带结构也没有任何假设的情况下导出了 Boltzmann迁移方程的前三阶矩方程 ,然后在 Kane弥散关系和指数定律弥散关系两种非抛物型能带关系下分别得到了非抛物型流体动力学模型 ,并对模型作了归一化处理。     

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。