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用于三电平逆变器中的IGBT驱动保护电路设计 总被引:5,自引:1,他引:5
IGBT驱动保护电路是IGBT高性能可靠工作的基础。所提出的驱动及保护电路主要应用于三电平逆变器中,在研究IGBT各种相关特性的前提下,基于CONCEPT公司的2SD315模块,设计一套具有高集成度、高可靠性、高效率等特点的IGBT驱动及保护电路。 相似文献
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给出了基于DSP与CPLD数字控制系统的二极管箝位三电平逆变器的系统设计方案,重点分析了系统设计中的电磁兼容问题,并针对这些问题,分别从硬件和软件两方面提出了有效的解决方案。 相似文献
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对三电平IGBT变流器两种缓冲电路的研究 总被引:22,自引:6,他引:16
总结了三电平变流器的几种缓冲电路,分析了IGBT的失效特点,并进一步提出了两种应用于三电平IGBT变流器的新型缓冲电路。这两种缓冲电路有效地钳制了每个IGBT关断时的dv/dt和过电压。其中第1种缓冲电路最简单,没有内外IGBT电压不均现象。实验波形证实,这两种电路都是可行的。 相似文献
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IGBT逆变器吸收电路的研究 总被引:16,自引:4,他引:16
在分析无吸收电路IGBT逆变器的基础上,研究了IGBT逆变器的吸收问题;探讨了适合IGBT逆变器的几种吸收电路结构,并对其进行了仿真和实验验证。 相似文献
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文章对三电平逆变器进行了分析,对三电平逆变器和两电平逆变器的性能作对比介绍,并介绍了赛米控新三电平IGBT模块的特点。 相似文献
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对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250、EXB8系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项。对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点。最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。 相似文献
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三电平逆变器的分析与控制 总被引:19,自引:0,他引:19
三电平逆变器在中压大功率场合应用很广泛。由于中点电位波动等问题使三电平逆变器的控制较复杂。文章分析了空间矢量对中点电位波动的影响,仿真结果说明采用空间电压矢量控制方法时,通过选择多余的小矢量来控制中点电位波动是一个有效的方法。 相似文献
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三电平高压变频器对IGBT驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求。采用美国Unitrode公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。 相似文献
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IGBT驱动拓扑及IR2130在变频器中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
分析了IGBT驱动器的基本电路拓扑形式,针对目前IGBT变频器的驱动电路需要提供多路驱动电源的缺点,提出在IGBT变频器中采用只需一路驱动电源的IR2130六输出高压驱动器驱动IGBT,简化了IGBT变频器的硬件,并给出了IR2130在变频器中的应用。 相似文献
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在深入研究双模式过调制策略原理的基础上,提出一种在线性调制区、过调制一区和二区均为适用的通用载波实现方法,定量分析其与矢量思想的统一性,并在具体程序执行时间及实现方式等方面将其与两种典型的过调制策略进行对比分析。与现有的矢量实现过调制策略相比,所提载波实现方式仅需若干逻辑判断和简单数学运算即可实现从线性调制到方波调制整个过调制区间内的平滑过渡,具有运算量少、总谐波畸变小和便于工程应用的优点。最后,通过一台10kW三电平逆变器样机进行验证,证明所提过调制策略载波实现方式的有效性和工程可行性。 相似文献
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Markus Hermwille 《电源世界》2008,(11):42-43
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是应用广泛的功率半导体器件,驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑,介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。 相似文献
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NPC三电平逆变器容错技术 总被引:1,自引:0,他引:1
针对大功率变频驱动系统故障,研究三电平逆变器容错控制技术.首先,基于电压空间矢量图,分析三电平逆变器对开路和短路故障的固有容错能力.然后,提出三种容错拓扑结构:开关冗余型、相冗余型和ANPC型,并简述各自控制策略和特点,为实验研究奠定理论基础. 相似文献
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机车用50kVA IGBT逆变器的电磁兼容性设计 总被引:1,自引:1,他引:0
针对电力机车的特点,设计了50KVA绝缘栅双极昌体管(IGBT)辅助逆变器的电磁兼容性用于取代故障频繁的机车上原可关断晶闸管(GTO)逆变器。自1996年10月至领司运行状况正常,从接地、屏蔽、吸收电路和减少引线电感等方面介绍了该逆变器电磁兼容性设计。设计试验表明,50KVA等级的IGBT逆变器的吸收电路只需无感电容器即可。 相似文献
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IGBT直接串联高压变频器 总被引:4,自引:0,他引:4
对常见的几种高压变频器主电路拓扑结构进行了简单分析 ,着重介绍了IGBT直接串联高压变频器的主电路结构及高速功率器件直接串联技术、正弦波技术、抗共模电压技术等三项关键核心技术 ,并对几种高压变频器的性能进行了较为详细的比较 相似文献