热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５,０．０３５）超导体经注量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２的热中子辐照后,磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。＾１０Ｂ（ｎ,α）＾Ｌｉ、＾７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均分布的,可以作为磁通钉扎中心的辐照伤,以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后射性副产物的半衰期较短     

热中子辐照GaAs损伤研究

在热中子与快中子成份比大于７０的条件下，用６．５×１０１６ｃｍ－２和６．５×１０１８ｃｍ－２剂量水平辐照纯净ＧａＡｓ样品，研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明：热中子对Ｇａ、Ａｓ发生俘获核反应，其最终稳定产物Ｇｅ作为两性杂质元素被导入；复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后ＧａＡｓ电学性质变化的重要因素。     

热中子辐照提高YBCO和GdBCO超导材料Jc的研究

利用重水反应堆水平孔道热中子对熔融织构生长(Melt-Textured Growth)的YBa_2Cu_3O_(7-y)和GdBa_2Cu_3O_(7-y)超导材料进行辐照研究。前者共8个样品,热中子注量为3.7×10~(11)-1.4×10~(17)cm~(-2);后者共6个样品热中子注量为5.2 ×10~(13)-4.7×10~(16)cm~(-2)。样品辐照前后,用移动样品磁强计测量其磁滞回线并推算出临界电流密度进行比较。YBCO结果表明,当热中子注量大于10~(17)cm~(-2)时,J_c可增加一倍以上。GdBCO样品也有明显增加。在上述热中子注量范围内,J_c值增量随辐照注量增加而增加,并且高场时增加值比低场时更大。这可能是由于随着辐照注量增加,缺陷增多,钉扎中心密度增加,两钉扎中心的相对距离减小。这更有利于高场下的钉扎作用。     

超热中子活化分析的进一步研究

本文建议用一个一般化有利因子F=G~(1/2)R~(1/2)/R,来真实地反映超热中子活化导致的探测极限或计数统计的实际改善。经典的Brune定义和近来提出的Bem定义,可以分别看作本定义在G=R和G=1时的特例。为了得到最佳有利因子,推荐在不同孔道(甚至不同的堆)上分别进行全堆谱中子活化(TNA)和超热中子活化(ENA)。本文还全面评价了镉和氮化硼屏蔽体的利弊。此外,测定了38个反应,H_4孔道中ENA对于15～2孔道中TNA的有利因子。最后,对33个干扰反应,给出了在这两种照射条件下的干扰因子,并讨论了ENA的干扰放大。     

研究堆辐照孔道内热中子注量率测量方法研究

采用经典的活化箔法测量研究堆辐照孔道内热中子注量率的相对分布,并选择孔道内有代表性的点进行中子温度和热中子绝对注量率的测量;最后利用镉比修正法对实验结果进行校核。分析表明,2种方法得到的数据符合较好,可以相互校核用于其他孔道内的绝对热中子注量率测量。     

研究堆辐照孔道内热中子注量率测量方法研究

采用经典的活化箔法测量研究堆辐照孔道内热中子注量率的相对分布,并选择孔道内有代表性的点进行中子温度和热中子绝对注量率的测量;最后利用镉比修正法对实验结果进行校核。分析表明,2种方法得到的数据符合较好,可以相互校核用于其他孔道内的绝对热中子注量率测量。     

掺Ag的YBaCuO高Tc超导体的研制

一、引言由于我们采用微分扰动角关联(DPAC)方法对超导样品的机理进行研究,必须要在样品中加入少量放射性的Ag作探针。在原有烧制工艺的基础上作了些改进,烧制出的含Ag超导样品YBa_2(Cu_(0.9)Ag_(0.1))_3O_(7-(?)),T_(?)     

硼聚乙烯辐照老化性能研究

正硼聚乙烯是反应堆堆坑小室通道的屏蔽墙材料,长期受到较大剂量的射线辐照。为了满足屏蔽墙后续使用、维修和更换的需求,必须针对该材料开展辐照老化后物理性能的研究,从而为其提供数据支持。本文针对该问题,对中国核动力研究设计院提供的硼聚乙烯材料,首先使用~(60)Co对测试材料开展γ辐照考验,使其累计剂量分别达到1.7×10~5 Gy和3.4×10~5 Gy;然后使用实验堆对其进行中子辐照考验,令其累计中子剂量分别达到5×     

MC法模拟B_4 C/Al复合材料热中子辐照损伤

利用MC法模拟了热中子被~(10)B吸收产生的He和Li离子入射到B_4C/Al材料中的作用全过程,获得了He离子和Li离子在材料中的射程、发散角、离位原子以及能量沉积等分布,并计算出热中子辐照引起的DPA。模拟结果显示,He离子在其路径上引起的离位主要是在其径迹末端,在其路径的前段引起离位较少;Li离子不仅在其径迹末端引起大量原子离位,在其路径的前段同样会引起一定量的原子离位;在能量相差不大的情况下,同一种离子引起的原子离位数基本相同;当热中子注量达到2.39×10~(19)/cm~2时,DPA为1,其深度分布近似指数衰减特征。     

超热中子辐射场的理论设计

为得到满足硼中子俘获治疗(BNCT)系统所要求的超热中子辐射场,利用清华大学试验核反应堆中子源,采用蒙特卡罗(MC)计算方法,设计了两种产生超热中子辐射场的工程理论方案,并对这两种方案进行了分析与对比.结果表明,方案1比方案2更具有优势,故确定方案1为BNCT系统最终设计方案.     

电子束对半导体器件的辐照

用电子束幅照半导体器件使器件内产生复合中心,从而达到控制器件的某些参数。本文就辐照技术,辐照产生缺陷的性质,对器件辐照效果,辐照能力和成本予以叙述。与扩金工艺比较,电子辐照是一种产率高,成本低,控制性好的新工艺。     

经次临界倍增装置的锎源超热中子束用于硼中子俘获治疗的方案设计

【美国核学会《核技术》 1998年第 11期报道】　利用次临界倍增装置 (SMA)提高锎源相对较低的中子通量 ,用该装置作为硼中子俘获治疗中子源的可行性正处于研究之中。用蒙特卡罗程序 (MCNP)估算整个系统的有效倍增系数 keff、患者端的束流表面上超热中子流的强度和百分比 ,以及束流在椭圆形脑模型中的剂量学特性。使用次临界倍增装置的中子束提供的超热中子通量比没用SMA的中子束约高 13.2倍。在一些优化程序后 ,最终设计中的束流提供的最大有利深度 (AD)为 8.9cm,最小有利深度为 7.3cm,有利比为 5 .5 ,在脑模型 7.0 cm深处每 10 0mg的 …     

痕量金标样的超热中子活化分析

金矿是我国急需矿种。在以往找矿工作中,都是通过与金的伴生元素来找矿的,工作量大而收效低,近年来由于痕量金分析技术的进展,直接以痕量金异常来找矿,得到可喜的成绩。     

微量硼的热中子瞬发γ射线分析方法

反应堆热中子束流引起地质样品中硼的~(10)B(n,αγ)~7Li反应,用HPGe探测器测量其反应的478 keV瞬发γ射线峰面积,与标准样品比对,得到30个地质样品中硼的含量为8×10~(-6)～160×10~(-6),相对误差为16%～5%。     

基性、超基性岩样中稀土及其它微量元素的热中子、超热中子活化分析

研究地质学中的问题,常常要测定基性、超基性岩中的稀土和其它微量元素。采用超热     

超钚核素的热中子截面评价

超钚核素包括原子序数比钚(Z=94)大的那些元素的各种同位素,即镅及其以上各元素的各种同位素。但目前有中子截面数据的只到~(257)Fm。本评价对~(241)Am直到~(257)Fm的25个核素的热中子截面数据进行了收集、分析和必要的处理,给出了推荐值。数据是按CINDA-A(1935—1976)和CINDA-81(1977—1981.4.1)所列资料目录收集的,凡是