高密度电子封装的最新进展和发展趋势

电子器件封装在近三四十年内获得了巨大的发展，产生了质的变化，已经变成实现电子系统性能、质量、可靠性的关键环节之一。本文简要介绍了近三四十年来电子封装形式的演变及发展趋势，同时讨论了目前产业和研究领域的最新动态和热点问题。     

12~(th)电子封装技术和高密度封装国际会议

<正>第12届电子封装技术和高密度封装国际会议(ICEPT-HDP2011)将于2011年8月8日～11日在中国上海举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)主办,由上海大学承办。     

高密度电子封装的最新进展和发展趋势

电子器件封装在近三四十年内获得巨大的发展，产生了质的变化，已经变成实现电子系统性能、质量、可靠性的关键环节之一。本文简要介绍了近三四十年来电子封装形成的演变及发展趋势，同时讨论了目前产业和研究领域的最新动态和热点问题。     

2010国际电子封装技术和高密度封装会议在西安举行

<正>由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)、国际电气电子工程师学会电子元件封装和生产制造技术分会(IEEE-CMPT)、西安电子科技     

2012电子封装技术与高密度封装国际会议征稿通知

第十三届电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2012）将于2012年8月13日16日在中国桂林举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会（EMPT）主办,     

2009电子封装技术和高密度封装国际会议

由中国电子学会生产技术学分会（CEPS）主办的电子封装技术国际会议（ICEPT）将迎来第十届庆典。1994年清华大学、复旦大学、中国电子科学院、电子13所与电子58所五个单位共同发起,由清华大学承办了首届电子封装国际会议。到2008年该会议已经由国内著名高校轮流承办了九届,其中清华大学承办了三届,其余六届分别由复旦大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学和上海交通大学承办。     

2012电子封装技术与高密度封装国际会议征稿通知

<正>(ICEPT-HDP 2012)2012年8月13日-16日,桂林,中国第十三届电子封装技术和高密度封装国际会议(ICEPT-HDP2012)将于2012年8月13日16日在中国桂林举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)主办,由桂林电子科技大学承办。ICEPT-HDP系列会议多年来得到了IEEE-CPMT的全     

电子封装技术和高密度封装联合国际会议(ICEPT-HDP2009)

<正>在过去十多年间.由中国电子学会生产技术学分会(CEPS)主办的电子封装技术(ICEPT)和上海大学主办的高密度封装(HDP)两个国际会议     

电子组装技术在某型雷达设计中的应用

通过介绍用于相控阵雷达的微波组件，论述了微波组件组装技术在某型雷达中的应用及重要性，阐述了组件加工组装技术对整部雷达设计指标的影响。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

高导热聚合物基复合封装材料及其应用

微电子封装密度的提高对传统环氧塑封料的导热性能提出了更高的要求,将高导热的陶瓷颗粒/纤维材料添加到聚合物塑封材料中可获得导热性能好的复合型电子封装材料。文章结合高导热环氧塑封材料的研究工作,评述了高热导聚合物基复合封装材料的材料体系、性能特点和在微电子封装中的应用情况。分析讨论了影响聚合物基复合电子封装材料导热性能和介电性能的因素,提出了进一步提高聚合物基复合电子封装材料导热性能的途径。     

从《2003年版日本电子封装技术发展规划》看PCB的发展趋势

以“2003年版日本电子封装技术发展规划”报告中的印制电路板相关内容为基本素材,从一般印制电路板(主板)、封装基板、埋入元器件基板三个方面阐述了未来印制电路板制造技术的发展趋势。     

电子封装微互连中的电迁移

 随着电子产品不断向微型化和多功能化发展,电子封装微互连中的电迁移问题日益突出,已成为影响产品可靠性和耐久性的重要因素.本文在回顾铝、铜及其合金互连引线中电迁移问题的基础上,对目前微电子封装领域广泛采用的倒装芯片互连焊点结构中电迁移问题的几个方面进行了阐述和评价,其中包括电流拥挤效应、焦耳热效应、极化效应、金属间化合物、多种负载交替或耦合作用下的电迁移以及电迁移寿命预测等.     

无铅电子封装Sn-Cu焊料润湿性试验研究

为了改善无铅焊料的润湿性,配置活性剂松香焊剂和无机物焊剂,研究了Sn-0.75 Cu焊料的润湿性.分析讨论了影响Sn-0.75 Cu焊料润湿性的主要因素,获得了焊剂和Sn-0.75 Cu焊料的最优匹配.在镀锡铜片上,5#焊剂匹配Sn-0.75 Cu焊料能够获得最佳的润湿性(润湿角为18°),已接近Sn-37 Pb焊料的润湿性.     

新一代绿色电子封装材料

随着环境、健康问题成为全球的关注焦点,电子封装材料和工艺面临着向“绿色“转变的挑战.文章讨论了电子封装无铅焊料、无铅涂层、印制电路敷铜基板阻燃剂、环保型清洗的研究状况,并指出了进一步开发需要注意的问题和发展的方向.     

电子封装结构演变与微连接技术的关系

微连接是电子产品制造中的关键技术之一,它既是实现芯片设计性能的重要途径,又是制约封装结构发展的瓶颈。微连接技术决定了封装结构的可实行性和可靠性,而随着芯片集成度不断增加,封装结构的创新也成为推动微连接技术发展的重要动力。该文通过对微连接技术及电子封装结构发展历程的研究,探究二者之间的相互关联,并介绍了微连接的几种特点以及几种常见的芯片焊接技术和微电子焊接技术,最后对电子封装结构及微连接技术的未来发展趋势进行了展望。     

电子封装用SnAgCuGa钎料的改性

针对SnAgCu钎料存在的熔点偏高、润湿性较差等不足,研究了不同Sb含量对SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料性能的影响。结果表明,随着Sb含量的增加,SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料的固液相线呈增长趋势,但均低于230℃;Sb含量添加0.5%时,SnAg3.5Cu0.7Ga1合金在240℃无卤素松香助焊剂下润湿性变化不大,当Sb含量达到1.0%以上时,SnAg3.5Cu0.7Ga1合金的润湿性随着Sb含量的增加而提高。添加少量的Sb可以提高SnAg3.5Cu0.7Ga1无铅钎料的抗氧化性,随着Sb含量的增加,产生裂纹时的循环次数依次增加,可以提高钎焊铜合金接头的热疲劳强度。