石英砂对TiO2压敏陶瓷性能的影响

本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响，并对其原因进行了分析.结果表明：通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性，使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。     

TiO2陶瓷的复合功能特性

本文研究了Ｎｂ２Ｏ５和Ｓｂ２Ｏ３施主掺杂对ＴｉＯ２瓷的半导化和电容－压敏复合功能特性的影响，施主掺杂的最佳量是０．５ｍｏｌ％。结果表明，Ｎｂ２Ｏ５掺杂能较大的降低ＴｉＯ２瓷的电阻率和提高其介电常数。掺杂Ｎｂ２Ｏ５和Ｓｂ２Ｏ３的ＴｉＯ２瓷，均呈现优异的电压－电流的非线性关系，具有较低的初始电压，低的泄漏电流和较大和非线性系数。     

Y系掺杂的TiO2压敏陶瓷性能研究

通过在TiO2压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2压敏陶瓷性能的影响.实验结果表明:以Y系掺杂的Ti-Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性.其中,以Y+Cu为受主掺杂剂,SiO2为烧结助剂的配方,在1300℃温度下烧结,获得压敏电压V1mA＝9.4V/mm,非线性系数α＝4.8,介电常数ε＝21300,介电损耗tanδ＝0.09较优异的压敏介电性能.同时Y系掺杂也避免了掺杂Bi的高温挥发性.     

掺杂TiO_2制备低压ZnO压敏陶瓷

主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。     

新型高性能氧化锡压敏陶瓷的研究

本研究用化学级原料成功地制备出具有良好非线性电流-电压特性的SnO2压敏陶瓷,研究了新型SnO2压敏陶瓷的组成及制备方法,分析了有关性能参数,讨论了组成、显微结构和电性能之间的关系。其目的是开发出性能好、成本低的新一代压敏陶瓷材料。     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

氧化锌压敏陶瓷研究现状

本文论述了氧化锌压敏陶瓷的用途和发展趋势,以及压敏陶瓷的原理、配方和制备工艺,并着重讲述了纳米氧化锌压敏陶瓷粉末的制备。     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

TiO2对陶瓷酸碱性的影响

本文根据固体酸碱的理论,讨论了TiO_2对陶瓷酸碱性质的影响并测定了其酸强度和酸量,探讨了TiO_2引起陶瓷表面酸碱性质变化的机理.     

Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响

研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.     

掺杂Fe2O3对氧化锌压敏陶瓷压敏特性的影响

本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA和非线性系数先下降,后升高,最小值出现在Fe2O3摩尔掺杂量为1.00%;并从理论上详细地探讨了产生这些影响的原因。     

Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

本文详细研究了氧化钴的理化性能对ＺｎＯ压敏陶瓷性能的影响。论述了Ｃｏ２Ｏ３的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施,从理论上探讨了氧化 中所含杂质Ｆｅ、Ｃｕ,Ｎａ等对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限,并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Ｃｏ２Ｏ３粉体。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粒度为０．１－０．３ｍｍ的氧化锌偻末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了Ｉｎ２Ｏ３掺杂对其压敏特性和微观结构的影响。结果表明；这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。     

ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景

本文叙述了ZnO压敏陶瓷材料的最新研究进展,阐述了它的非线性伏安特性,并对该特性作用机理进行了微观解析,概述了Zn O压敏陶瓷材料的发展趋势,并对发展中遇到的问题提出了建议和解决措施。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，井着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态,并着重介绍了氧化锌粉末的制备,同时提出了今后的研究方向。     

ZnO-PbO系低压压敏陶瓷的烧结制度研究

通过对低压压敏陶瓷烧成过程中的温度进行研究，并对电性能和微观结构进行对比分析，得到了ZnO-PbO系低压压敏陶瓷烧结过程中的最佳烧成温度、升温速率和保温时间，分别为烧成温度1000℃、升温速率3℃／min、保温时间2h。并结合微观结构及电性能，测试分析和探讨了其影响机理。     

三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理

采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明:陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。