MOS管阈值电压的理论修正

在LSI和VLSI电路中,由于MOS管沟道长度的缩短,就产生了短沟道效应: 1.耐压降低; 2.阈值电压|V_T|下降。 但是无论在PMOS电路的PLA设计中,还是在一些混合门中的负载管上,以及在NMOS电路中,长沟道的晶体管还必须应用,既使在CMOS电路中,有的MOS管子的沟道长度竟达1000μm。我们认为在MOS管中存在着“沟道电阻效应”:     

MOS晶体管的阈值电压不匹配特性

集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原予服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/VT遵循与1/(?)成比例的结论。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

就《自行检验电度表一法》一文提出笔者的商榷

《家庭电子》2000年第6期《自行检验电度表一法》一文称使用该文介绍的方法简单省时。仔细一想,使用此法并不简单。一、电度表每个家庭都有,但万用表并非如此,何况是带有频率计的数字表。二、由于灯泡存在冷热态电阻,冷态时的阻值比热态     

薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析

研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。     

EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究

重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。     

关于“商榷”一文的商榷

关于“商榷”一文的商榷苑立波（哈尔滨船舶工程学院物理部１５０００１）《光通信技术》编辑部将黄文玲、卢文全二同志的＂商榷＂一文转我，现就商榷一文的问题依次简要作复如下：（１）商榷一文认为发表在《光通信技术》９３年第４期２１３～２１７页上拙文［１］的立论...     

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型.     

MOS结构衬底电阻率ρ对阈值电压VT动态调制的计算机模拟

使用ＭＳ－ＰＣ工艺模拟ＣＡＤ系统对绝缘栅Ｐ－ＭＯＳ结构栅氧过程中衬底电阻率ρ与ＭＯＳ结构阈值电压ＶＴ之间的因变关系进行了动态模拟。定量地考查了栅氧层制备过程中杂质的分凝效应对阈值电压ＶＴ的影响。     

一种新的MOS结构量子化效应修正模型

从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface layer effective density- of- states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,具有很高的计算效率和稳定性。在模型基础上 ,研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。     

对《谈谈兆欧表》一文的补充

《家庭电子》今年第1期53页《谈谈兆欧表》一文比较全面地对兆欧表的工作原理等作了通俗介绍,但笔者认为,文中所述兆欧表“手摇的速度虽有快慢亦不会影响到读数”这种说法是不够妥当的,现作如下论述,不妥之处,恳请指正。《谈谈兆欧表》一文认为“由于R、Ro、K(K是两个线圈电流比值)均是常数,所以Rx仅是偏转角α的函数,而与直流电源的大小无关”。但在实际的兆欧表中,发电机两个线圈产生的I1及I2使线圈产生偏转力,这个力首先要克服它们的静态惯性与空气阻力,然后才     

关于《多机电视差转的干扰和抑制》一文的商榷

读了本刊87年2期《多机电视差转的干扰和抑制》一文后,有几点不同看法,在此提出和大家商榷。第一,原文(二、2)在讨论交互调干扰一节中,用图1的联线方式得到六个干扰式。很明显,遗漏了二个组合,即:±mf_(v1)±nf_(s2)     

关于“对《数字电子技术基础》中一个电路的分析”一文的商榷

《电工教学》第20卷第1期刊登了山东大学电子系姜威老师的“对《数字电子技术基础》中一个电路的分析”（以下简称“分析”）一文对《数学电子技术基础》（第三版,阎石主编,高教出版社出版）一书中第324页上的CMOS集成施密特触发器CC40106电路作了定理分析,并得出TVT十一VDD／2＋VTN,VT一VDD／2＋VTP和MT2ZVT的结论。右图是CC40106的电路原理图,在《数字电子技术基础》中已经说明：“当V,20时P;和P。导通而队和叱截止,这是显而易见的。此刻V’。为高电平（V’。。＊＿）,使k截止、此导通并工作在源极输出状态。因此…     

对《数显式多用途稳压电源》一文的质疑

1998年《家庭电子》第12期51页刊有《数显式多用途稳压电源》一文,文中的三端稳压器7805、7806、7809、7812、7815、7818、7824七组电源均由变压器T降压为30V的交流电压整流、滤波后供给。这样供电显然是不合理的,因为,30V的交流电压经整流、滤波后约为40V的直流电压,将其加至各稳压器输入端,这样高的电压对于低电压稳压器来     

对《自制高品质信号线》一文的质疑

本刊今年第2期第44页《自制高品质信号线》一文刊出后,陆续收到许多读者的来信,对该文内容提出质疑。现摘要刊出其中两封来信     

对《延时电源插座》一文电路的改进

笔者看到贵刊1997年11期《延时电源插座》一文后,便用手中材料动手试制了一只。动手前先分析该电路,发现该电路不论延时开或延时关,到预置时间后电路仍长时间通电,既费电又影响电路使用寿命。为此,特对原电路作了以下改进(如附图):1.改变电源插座接法,增加一只按     

对“高效优质有线广播扩大机”一文的商榷

对“高效优质有线广播扩大机”一文的商榷范敦行（上海广播电视局２０００１１）本刊１９９２年第１期“高效优质有线广播扩大机”一文，述及ＰＷＭ扩大机要经过低通滤波器解调，才能还原为音频信号。而低通滤波器的设计，除了要根据脉冲凋制采用的频率外，还要确定滤波器...     

对《判断遥控器好坏一法》一文的补充

笔者曾采用94年《家庭电子》杂志第七期周新年同志介绍的低阻耳塞判断法检修彩电遥控器若干,甚感方便。但是有几次,当有按键按下时,耳塞里亦发出“哒哒”声,据上法笔者起初认为遥控器没有故障,浪费了许多时间。后来才发现是遥控器晶体振荡额率发生变化(多数频率变低)所致。实际上,当有按键按下时,无任何声响乃遥控器停振,有“哒哒”声但节奏     

关于“商榷”一文的讨论

本刊在1980年第4期发表了王流超、高培仁、李绍育同志的《染料片Q开关激光器输出特性分析》文章后，又于1981年第3期发表了任丕祥同志的《关于“染料片Q开关激光器输出特性分析”一文的商榷》。现在又发表了李绍育、高培仁、王流趋同志的这篇《关于“商榷”一文的讨论》。这些文章的发表，对于澄清一些问题，活跃学术空气，起到一定的作用。     

对《电路》教材中一习题解答的商榷

本文对邱关源主编《电路》（第三版）教材上册中一习题的答案，作一探讨和商榷。该书上册第58页第2－2题如下：电路如图（困1）所示，其中电阻电压源和电流源场已给定，求（1）求电压U。和电流7。；（2）若电阻尼增大，问对那些元件的电压、电流有影响？影响如何？该书中此题答案为（2）只有电阻民和电流源两端电压增大。笔者认为答案（l）是正确的，答案（2）有问题。答案的概念模糊，因为电路中的电流和电压在确定的参考方向下，均为代数值，那么电压增大是指电压的绝对值还是代数值增大？不明确；其次，当电阻尼增大时，对见和电流源两…