一种埋入式腔体的低RCS载体外形设计

根据腔体目标在较大方位角内有较强散射的特点,提出了包覆腔体载体的设计要求。设计了大后掠扁平式后段收尖的载体初步方案。通过头部边缘锐化、头部边缘后掠角增加和对尾部边缘渐变半径处理,获得了符合载体设计期望的“凹坑式”雷达散射截面（RCS）随方位角曲线分布。研究结果显示,在水平极化时,尾部边缘采用渐变半径圆弧过渡曲面可以有效降低边缘散射在入射方向的回波,而在垂直极化时却增强了表面波回波强度。     

LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制

以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象,介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法。分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素。阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层结构设计。有限元分析结果表明不锈钢掩模可使腔体边缘应变降低至无掩模时应变的1/6,并通过工艺试验验证了金属掩模板的有效性。结果表明合理的层压结构设计和恰当的层压工艺可以制作出满足尺寸精度的空腔结构。     

LTCC多层基板腔体工艺研究

机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。     

局部混压PCB制作工艺研究

在印制电路板中局部混压高频材料不仅可以降低信号在高频下的损耗,满足通信领域的技术发展需求,同时还可以降低PCB制作成本.本丈首先从设计、工艺要求以及制作流程三方面介绍了局部混压技术,总结并分析了局部混压PCB在制作过程中容易遇到的板翘、错位以及混压界面缝隙填胶空洞、凹陷等问题,然后针对问题从混压材料的匹配、层压参数和局部混压子母板定位技术三方面着手提出了改善方案并进行了实验验证.实验表明,局部混压PcB板的翘曲度和子母板对位能力都得到了较大改善,可以满足层数为12层的PCB板在埋入子板后,内层Clesrance能力小于0.175 mm;混压界面缝隙填胶无空洞及凹陷,热应力测试(288℃/10 s/5次)和无铅回流焊测试(5次)无分层问题.     

LTCC腔体及微流道制作技术

简要介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。重点阐述了腔体填充材料控制工艺形变的方法,碳基牺牲材料的特性、作用以及控制腔体变形的理论基础。通过工艺试验验证了碳基牺牲材料的有效性。说明采用合理的填充材料、恰当的工艺技术可以制作出满足要求的空腔结构。     

复杂腔体零件的数控加工工艺研究

通过对复杂腔体零件的结构、精度分析与数控编程和加工的细致研究,阐述了数控加工是复杂零件,尤其是特殊型腔、特形面零件加工的首选方法,也是现代机械加工应深入研究和不断发展的方向.     

铝合金薄壁腔体零件加工工艺研究

随着电子行业的发展,铝合金薄壁腔体零件应用日益广泛,该类零件具有重量轻、结构紧凑等优点,但该类零件一直存在加工周期长、加工成本高、加工精度难以控制等难点,原因是该类零件加工过程中金属去除量大、刚性低、强度弱,容易产生较大变形,加工后难以保证零件的加工精度和表面质量。本文从分析该类零件加工变形的原因入手,研究、探讨控制、减小铝合金薄壁腔体零件加工变形的工艺方法。     

Cu镀Au腔体气密性封装工艺研究

Cu镀Au腔体是微波器件常用封装载体之一。在目前应用中,Cu镀Au腔体微波器件的气密性封装一直是工程化技术难题,大幅影响了微波器件的可靠性和使用寿命。对基于Cu镀Au腔体的微波器件进行了气密性封装研究,探讨了Cu镀Au腔体实现气密性封装可能的工艺路线。通过比较激光封焊和真空钎焊等传统气密性封装工艺方法,提出了＂小孔密封...     

腔体滤波器调试技术研究

从等效电路出发,分别研究了滤波器设计过程中所用到的各个参数变化对滤波器滤波特性的影响,尤其重点分析了外在品质因数和腔体滤波器四种不同的输入输出结构之间的关系,并结合实际的腔体模型提出了相应的解决办法。     

金属腔体多耦合通道电磁特性研究

实际金属腔体常开有多个通道,使得腔内电磁环境变得复杂。以分析腔体多通道耦合电磁特性为出发点,建立平面波入射下矩形、圆柱腔体实例模型,引入对比系数作为评价手段,侧重研究孔缝、贯穿线缆两种耦合通道对腔内电磁场的影响,寻求共性规律。结果表明:腔外线缆长度变化不影响谐振点出现位置,随长度增加腔体屏蔽效能(SE)下降;腔内线缆随长度增加,谐振频率降低,两腔体具有如上共性结论。基于给定的模型及参数设定,通过比较系数可判断矩形腔体450 MHz 之前线缆耦合为主;贯穿线较长时, 510 MHz 之前圆柱腔体线缆耦合为主;贯穿线较短时,两个局部频点之外的其它频段孔缝耦合为主;涂覆磁损耗型吸波材料提升腔体SE 效果最好,且SE越低,提升效果越明显。     

内置负载开缝腔体谐振效应抑制方法研究

开缝腔体谐振特性放大了进入腔内的耦合能量,对内部电子设备构成严重威胁。文中建立内含金属 隔板、吸波体等负载的圆柱腔体模型,提出了在隔板上涂覆吸波材料以抑制谐振的新方式,研究了吸波体电磁特性 对谐振的影响。结果表明:隔板越靠近腔体前壁放置、板间距越大,对内部场影响越小,谐振点出现位置越接近空腔 固有模式;谐振点处屏蔽效能(Shielding Efficiency, SE)的提升是隔板和吸波材料综合作用的结果,隔板可迫使谐振 点迁移,吸波材料能改善谐振特性,并且涂覆磁性吸波材料性能更优;在隔板双面涂敷吸波材料抑制高次谐振效果 更好;适当增加隔板上涂覆材料厚度或提高材料相对磁导率,都能实现和全腔内壁涂覆相同的谐振抑制效果,效费 比也更高;场强分布因传播模式不同而不同,强电场区应放置电性吸波体才有效。     

AlN陶瓷腔体的激光加工和芯片埋置工艺

AlN作为陶瓷封装材料具有优异的电性能和热性能。针对高功率、高频多芯片组件高密度组装的需要,采用激光加工技术在AlN陶瓷基片上直接加工腔体结构成型。通过构建激光加工腔体的理论模型,对比试验结果,分析激光功率、频率、扫描速率及加工路径等工艺参数对腔体刻蚀速率、腔体底部粗糙度的影响规律。阐述激光加工遍数与刻蚀深度的线性关系,测试腔体底部的平面度,获得了预定深度的腔体结构。完成了芯片在腔体内埋置,结果表明,激光直接加工的腔体结构可以满足芯片埋置的应用要求。     

大腔体高密度高可靠陶瓷封装技术研究

文章对应用于航天计算机系统封装的大腔体高密度高可靠高温金属化陶瓷管壳,根据用户提出的特殊要求,从设计到工艺,较详细论述其研制过程、关键工艺、技术难点、以及与通常的DIP、CQFP、CLCC、CPGA等的不同之处,并指出今后需要努力的方向。     

EB制作1：1主掩模的工艺研究

一、前言众所周知，在掩模制造技术中，常规的光学方法制作主掩模流程如图且（a）所示，制作一块主掩模需用版材两块。电子束制作主掩模的流程如图1（b）所示，制作一块主掩模只用版材一块。比较图亚（a）和（b），可清楚地看到，（a）的制作流程长，费时且费料，（b）的制作流程短，节省材料，降低成本。凶！主掩模制作流程图随着集成电路规模的不断增大，芯片面积越来越大，有些已超出了精缩机的视场范围，精缩机的视场是100mmX100mm，用光学方法制作主掩模已不能完全满足用户的需要。由于以上种种原因，研究开发采用电子束设备（简称＊B…     

支架型PCB制作的工艺研究

文章着重介绍的支架型PCB,是一种超小间距、基于固晶平面技术、精确点胶技术的全彩LED模组(COB,Chip-on-board,即电路板上封装RGB芯片)所用的PCB,其性能可以有效避免传统SMD点阵模组产品的的缺陷。     

环保板料PCB的制作工艺研究

文章简述了普通FR-4板料的危害性和环保板料的阻燃机理,对环保板料与普通的FR-4板科作了性能对比分析,并选取几家供应商的四种不同环保板料进行试验,其中着重讨论了高Tg环保板料的制程参数,并对这四种环保板科在PCB上的可靠桂傲了对比测试。     

微波腔体选区镀金工艺技术应用研究

随着微电子技术的飞速发展,微波组件集成度越来越高,整体镀镍的微波腔体容易氧化,致使电阻增大,难以满足混合集成电路组件中对接地敏感元器件的装配要求,整体镀金的微波腔体难以满足大量绝缘子连接器一次性锡铅焊接的气密性,同时,焊料流布难以受控,该文通过微波腔体选区镀金工艺的应用验证,包括镀层外观、镀层厚度、镀层结合力、接地电阻以及焊接气密性等,表明微波腔体选区镀金工艺能够有效地提高微波组件集成质量和效率。     

SFP光模块PCB制作工艺研究

在SFP光模块PCB高速/高频信号传输存在趋肤效应的条件下,分析了“镀水金+镀厚金”常规工艺信号传输线镀覆镍金对信号传输的影响,研究出“镀厚金+沉金”工艺,实现了信号传输线无镀覆镍金,有利于信号完整性控制,并保证了PCB长短金手指完整性良好(无残缺、无残留镀金导线头、无尖角等异常).     

用电子束工艺反转制造1:1精密掩模的工艺技术研究

本文主要描述了用电子束工艺反转技术制造1：1精密掩模的新方法，给出了从基本原理入手来确定工艺流程和选定工艺条件的过程，并给出制作实例说明了该项技术所取得的经济效益和社会效益。