共面开关液晶显示模式的原理分析

ＬＣＤ的共面开关（ＩＰＳ）模式比ＴＮ模式的视角要宽，但它需要较高的驱动电压才能达到最高透射率。ＩＰＳ模式的电－光性质很复杂，现在还不有用分析方法加以阐述。在本文中，用ＬＣ连续理论分析了共面开关显示模式的电－光性质，以求在低工作电压下得到最大透射率。     

微屏蔽传输线的分析与计算

微屏蔽线（ＭＳＬ）是一种新型的平面传输线，其超高的频率响应和极低的色散特性，可望广泛地应用于各种毫米波电路中，本文把用于鳍线、微带线的谱域导抗法推广到这种半封闭的传输线中，分析、计算了两种微屏蔽传输线的色散特性。计算结果与有关的实验相吻合，为这种半封闭的新型毫米波传输线提供了一种有效的计算方法。     

用共面波导技术制成的V波段和W波段商用高性能MMIC

用共面波导技术制成的Ｖ波段和Ｗ波段商用高性能ＭＭＩＣ据（ｌＥＥ１９９４Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ＆Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＣｉｒｃｕｉｔＳｙｍｐ．）报道，欧洲邮政总代理处（ＣＥＰＴ）已将两个频段划归交通控制部门专用。６３～６４ＧＨＺ...     

65纳米硅衬底上低损耗带屏蔽的共面波导传输线建模

共面波导传输线可以用作毫米波频段片上的高品质因子的无源器件。在这篇文章里,采用CMOS 65nm工艺设计和制造了加地线屏蔽和不加地线屏蔽的共面波导传输线。本文提出一个基于物理的模型来描述传输线单位长度的频率相关的电感、电容、电阻和电导参数。从基本的共面波导结构出发,模型里加入了慢波效应和底线屏蔽效应的影响。实验数据表明模型有很高的准确度。     

无色移共面转换液晶显示

建立单面摩擦的共面转换（Ｏｎｅ－Ｓｉｄｅ－ＲｕｂｂｉｎｇＩｎ－ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶显示模式，探讨了这种模式的显示机理，介绍了单面摩擦的共面转换液晶显示器件制作方法、测试过程和实验结果。实验结果表明，这种单面摩擦的共面转换液晶显示器件具有很好的视角特性和灰度特性，消除了其他共面转换模式带有的色移现象。     

直线法分析超导共面波导传输线

本文在直线法分析共面波导传输线的基础上，针对直线法的特点，利用麦克斯韦方程组中的欧姆定律以及超导体复电导率的概念，将二流体模型引入到分析中。从而计算出具有一定厚度超导薄膜的共面波导传输线的色散特性和衰减特性。由于直线法是一种半解析半数值的方法，和其他复杂的场分析相比节省了大量的计算时间，同时保证了计算精度，避免了常用的利用表面阻抗引入超导体复电导率的准静态分析方法。并且对于导带是理想导体、有耗普通     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

共面开关模式TFT—LCD的航空应用

航空应用的ＩＰＳ模式２６ｃｍ ＴＦＴ－ＬＣＤ具有±７０°宽视角，４００ｎｉｔｓ的高亮度和－３０℃－７０℃的宽工作温度范围。为实现以上性能采用了新的ＬＣ的材料，像素电极和公共电极处于顶层的新型共面开关ＴＦＴ矩阵结构及新的黑底结构。     

基于电流传输器MOSFET－C连续时间滤波器的状态空间综合

本文提出了以第二代电流传输器（ＣＣＩＩ）为基块的电压有损积分器，导出了具有低灵敏度性质的状态空间矩阵集的一般形式以及该矩阵元素与电压传递函数系数间的关系。据此，可直接综合出与ＬＣ梯形结构信号流图完全一致的ＣＣＩＩＭＯＳＦＥＴ－Ｃ高阶低通滤波器。     

基于SDLC环的高速同步通信及其实现

基于ＳＤＬＣ环的高速同步通信及其实现唐文运同步数据链路协议（ＳＤＬＣ）是ＩＢＭ的所提出的计算机通信网中数据链路层的同步通信规程，它已由国际标准化组织认可，成为高级数据链路协议（ＨＤＬＣ）。在此基础上产生的环模式（ＳＤＬＣＬＯＯＰ），原用于ＩＢＭ的３６...     

Analytical analyses of v, elliptic, and circular-shaped microshieldtransmission lines

Several new types of monolithic coplanar transmission lines, v, elliptic, and circular-shaped microshield coplanar waveguide, have been proposed. The characteristic impedance expressions for those transmission lines have been derived using the conformal mapping method (CMM) under the assumption of the pure-TEM propagation and zero dispersion. In the analyses of the elliptic and the circular-shaped microshield coplanar lines, the methods using the graphical approximation and taking the geometric mean value of the upper and the lower bounds to the size of the line are put forward to calculate the characteristic impedance of this two kinds of microshield coplanar lines. The numerical results show the effects of the different shaped microshield walls on characteristic impedances     

光激发LT—GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性

彩和半经验色散公式分析了ＬＴ－ＧａＡｓ衬底共面微带传输线的ＴＨｚ模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗,结果表明,较小的横向尺寸有利于改善ＬＴ－ＧａＡｓ共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性。较大的横向尺寸比可降低导体欧姆损耗。     

NEURAL MODELS FOR THE BROADSIDE-COUPLED V-SHAPED MICROSHIELD COPLANAR WAVEGUIDES

This article presents a new approach based on multilayered perceptron neural networks (MLPNNs) to calculate the odd-and even-mode characteristic impedances and effective permittivities of the broadside-coupled V-shaped microshield coplanar waveguides (BC-VSMCPWs). Six learning algorithms, bayesian regulation (BR), Levenberg-Marquardt (LM), quasi-Newton (QN), scaled conjugate gradient (SCG), resilient propagation (RP), and conjugate gradient of Fletcher-Powell (CGF), are used to train the MLPNNs. The neural results are in very good agreement with the results reported elsewhere. When the performances of neural models are compared with each other, the best and worst results are obtained from the MLPNNs trained by the BR and CGF algorithms, respectively.     

High performance microshield line components

Several millimeter-wave passive components have been fabricated using the microshield transmission line geometry, and their performance is presented herein. Microshield is a quasi-planar, half-shielded design which uses a thin dielectric membrane (1.5 μm) to support the conducting lines. This approach provides a nearly homogeneous, air-filled environment and thus allows extremely broad-band TEM operation. This paper examines the conductor loss and effective dielectric constant of microshield lines and presents results on transitions to conventional coplanar waveguide, right-angle bends, different stub configurations, and lowpass and bandpass filters. Experimental data is provided along with numerical results derived from an integral equation method. The microshield line is shown to be very suitable for high performance millimeter and submillimeter-wave applications     

有限厚度衬底非对称共面线的基本参数

本文首先利用保角变换法分析了自由空间中的非对称共面线,得到了其严格解,然后给出了任意多层有限厚度衬底非对称共面线的有效介电常数、单位长度线电容、特性阻抗和导波波长的闭合形式的解析表达式。这些分析对微波毫米波集成电路的设计有意义。     

一种非对称共面波导相位补偿弯曲结构

提出了一种采用非对称共面波导进行相位补偿的弯曲共面波导结构.该结构在传统共面波导弯曲结构中引入由非对称共面波导、共面波导以及渐变短截线组成的周期性结构,以解决传统弯曲结构中,因两槽中的信号存在相位差而激发奇模的问题.所提出结构具有等阻抗特性,这对于信号的传输是有益的.理论分析和仿真测试结果证明了这一结构在相位补偿上的有...     

CMOS 0.13 μm共面波导建模与特性分析

基于TSMC0.13μmCMOS工艺,对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法,给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short-Open-Load-Thru(SOLT)校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0.1~40GHz范围内,测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。     

微屏蔽三线对称结构带通滤波器设计

对薄膜支撑空腔型微屏蔽传输线进行分析,提出微屏蔽传输线的物理结构。为了验证微屏蔽传输线在毫米波应用的优势,利用类比平行耦合微带线滤波器的方法设计了一种4阶切比雪夫三线对称结构微屏蔽线滤波器。通过对该微屏蔽腔体结构进行HFSS仿真,得到中心频率35 GHz的宽带滤波器,带宽15 GHz,带内插损小于0.5 dB,带外抑制>40 dB@53 GHz,器件尺寸8.24 mm×1.5 mm×0.65 mm。该设计为基于平面传输线的滤波器在毫米波频段的实现提供了一种可行的方法。     

一种新颖的微带低通滤波器

提出了一种小型超宽低通微带滤波器的新型结构,即微带与共面波导紧耦合结构。该微带滤波器由接地板上一个共面波导谐振器与基片另一面上开槽的微带结构发生耦合,得到两极点,准椭圆函数响应滤波器,通带上限频率有一个传输零点。该结构有尺寸小、通带损耗小和群时延好等特性。     

Study on Characteristics of Various RF Transmission Line Structures on PES Substrate for Application to Flexible MMIC

In this work, the coplanar waveguide is fabricated on a PES (poly[ether sulfone]) substrate for application to a flexible monolithic microwave integrated circuit, and its RF characteristics were thoroughly investigated. The quality factor of the coplanar waveguide on PES is 40.3 at a resonance frequency of 46.7 GHz. A fishbone‐type transmission line (FTTL) structure is also fabricated on the PES substrate, and its RF characteristics are investigated. The wavelength of the FTTL on PES is 5.11 mm at 20 GHz, which is 55% of the conventional coplanar waveguide on PES. Using the FTTL, an impedance transformer is fabricated on PES. The size of the impedance transformer is 0.318 mm × 0.318 mm, which is 69.2% of the size of the transformer fabricated by the conventional coplanar waveguide on PES. The impedance transformer showed return loss values better than –12.9 dB from 5 GHz to 50 GHz and an insertion loss better than –1.13 dB in the same frequency range.