半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

IR2101带有欠压封锁的半桥MOSFET驱动器

本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个MOSFET或IGBT而生产的高压高速驱动器，文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数，剖析了它的内部结构及工作原理，探讨了它的应用技术，并给出了应用实例。     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司近日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V,额定工作温度范围是-40℃到＋85℃,采用2mm×2．1mm、8引脚SC70JW封装,其MOSFET驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技最新推出的AAT4910支持电压高达28V，其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。     

NCP5xxx：MOSFET驱动器

安森美半导体扩展MOSFET驱动器IC系列,推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品,包括白色家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。     

HIP212x：MOSFET桥式驱动器

Intersil公司推出面向电源和电机驱动应用的“HIP”系列MOSFET桥式驱动器新品HIP212x系列。该100V、2A高频半桥驱动器产品系列提供非常短的上升,下降时间,可调节死区时问控制和灵活的控制输出。     

高温六路半桥驱动器芯片

ATA6837带有集成功率级，经由微控制器控制，每个高端和低端驱动器都能驱动高达650mA的电流。由于采用半桥电路，因此无须外接钳位二极管，大大减少了装配工作。     

UCC27210／27211：MOSFET驱动器

德州仪器推出可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器。     

IR2161型电子变压器专用智能半桥驱动器电路

IR2161型集成电路是电子变压器（卤灯转换器）专用智能半桥驱动器，是美国国际整流器（IR）公司推出的一款照明专用IC，该电路具有所有必不可少的保护功能，并可采用具有前沿或后沿（上升沿或下降沿）脉冲的标准相切调光器进行弱光调控，它的优点是可以减小灯光软启动产生的热应力，     

elmos推出用于无刷直流电机应用的三相半桥驱动器E523.50

2018年8月20日讯,德国elmos公司日前宣布推出一款用于直流无刷(BLDC)电机的72V三相半桥驱动器E523.50,产品应用于12/24V车载和48V板级电网供电的汽车应用及24V至60V供电电源的工业应用,该IC符合AEC-Q100标准0级(150°C)需求。数字RUN引脚和六个数字输入控制三个全桥门极驱动(三个高端和三个低端门极驱动)。     

国半推出两款可驱动大功率MOSFET的门极驱动器

美国国家半导体公司近日推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，分别是LM5111双通道门极驱动器及LM5112单通道门极驱动器。新产品适合驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统.     

Microchip扩展MOSFET驱动器系列产品

Microchip《美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3／4／54．5AMOSFET驱动器上,Microchip推出全新下桥臂MCP14E6／7／82A和MCP14E9／10／113A驱动器。经扩展后,这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A～4．5A工作电压范围宽达4．5V～18V。     

FDMB2307NZ：MOSFET

飞兆半导体公司推出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计,具有N沟道共漏极MOSFET特性,能够实现电流的双向流动。     

用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路

设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪声,以保证输出信号稳定。抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间。在0.18μm 85 V BCD工艺下完成设计,工作频率达到5 MHz,上升时间为4.1 ns,下降时间为3.8 ns,满足高频GaN栅驱动应用需求。     

100V半桥栅极驱动器

与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比,由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积,增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。     

镇流器控制与半桥驱动器IR2156的功能及应用

IR2156是IR公司推出的镇流器控制/半桥驱动器系列IC之一。它的主要特点是可对预热时间、预热频率、运行工作频率、死区时间以及过电流保护等进行编程控制,因而为设计人员提供了高度的灵活性。另外,IR2156内部还设计有灯轰击失败、灯失效保护及自动再启动等功能。