稳频、稳流、稳压电源

开关电源转换器的非线性与线性鲁棒控制(见0015653)硬、软开关用的平面与开槽绝缘栅双极晶体管性能评价(见0014408)具有击穿与非击穿结构的3.3KW 高压绝缘栅双极晶体管的开关性能(见0014407)软开关应用的绝缘栅双极晶体管模型验证(见0014405)     

电子镇流器用新型功率开关器件

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体     

Si/SiC混合开关最优门极延时及其在逆变器中的应用

由大电流硅绝缘栅双极型晶体管（Silicon Insulated-Gate Bipolar Transistor,Si IGBT）和小电流碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Silicon Carbon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET）并联构成的Si/SiC混合开关具有低成本、高效率的特点. Si/SiC混合开关门极关断延时的控制是提高混合开关效率的关键因素.本文首先研究了在不同工作电流下Si/SiC混合开关关断损耗随门极关断延时的变化,结果表明,Si/SiC混合开关有一个最优的关断延时,此时混合开关的关断损耗最低,并且最优门极关断延时随混合开关工作电流的增大而减小.将所得到的Si/SiC混合开关最优门极关断延时应用在单相全桥逆变器中,实验结果表明,逆变器的转换效率比同等条件下固定关断延时的最高转换效率提高了0.67%.     

砷化镓双异质结高速开关晶体管

本文描述了NpN GaAs双异质结双极型晶体管的设计和制作工艺。给出和分析了这种晶体管的直流特性和开关特性。饱和压降小、开关速度快、能双向运用是这种晶体管的三个主要特点,文章对三种GaAs开关晶体管的优缺点进行了对比和分析。分析的结果表明,对高速开关双极晶体管来说NpN-GaAs双异质结晶体管是最理想的。     

硅P-N/绝缘层/金属(P-N-I-M)结构器件的研制

一、引言 近年来硅P-N/绝缘层/金属(P-N-I-M)四层结构的负阻开关器件已得到广泛研究。这种器件最主要的特征是:高速开关(开关速度达1ns),高度光灵敏性,适于集成化,制造工艺简单。因而目前已做成光高速开关器件、ROM、RAM及单块移位寄存器等。本文介绍了我们研制的两端和三端开关器件及可能的应用。 二、器件结构及其工作原理 该器件的基本结构如图1所示,其中绝缘层很薄(d_0<30A)。我们可以把它看作是一个PNP晶体管和MIS二极管组成的复合结构。PNP晶体管发射区是P~ ,基区是N型外延层(基极开路),收集极是半导体N型层和绝缘层界面。它的工作原理类似PNPN二极管。其     

基于有限元方法的ARM11核心板电源完整性分析

ARM11核心板属于高速电路板,在设计中需要降低电源配送网络(Power Delivery Network)的输入阻抗来提高电源完整性。基于有限元方法对10个晶体管产生的同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise)、调整前后PDN的直流/交流特性进行仿真,仿真结果表明:10个晶体管同时开关时芯片电源电压波动达7.9%;1.2 V PDN的直流电压从1.17 V增加到1.18 V,PDN的电流密度整体得到降低;在397 MHz谐振频率处PDN的谐振现象得到减弱;因此当达到10个晶体管同时开关时芯片电源电压已不满足要求,在对PDN调整后最终降低了PDN的输入阻抗和电压波动。     

雪崩晶体管退压电路用于电光调Q的实验研究

采用雪崩晶体管作退压开关元件比冷阴极陶瓷触发管有许多优点。 通过电路分析和实验对比我们得到如下的结论: 一、雪崩晶体管可作电光Q开关的退压开关元件,激光工作正常。 二、雪崩晶体管比冷阴极陶瓷触发管有以下几方面优点:(1)激光输出功率增加15～20％;(2)激光输出脉宽变窄1～2毫微秒;(3)激光输出功率稳定性好,均方根差≤3％,同     

IGBT在开关应用领域全面挺进

绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。     

超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)

3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。     

EBERS-MOLL模型在脉冲数字电路教学中的注记

EBERS-MOLL模型能对晶体管电路作最确切的、形象化的描写,尤其可用以求得在大信号运用情况下晶体管特性曲线与指标间的关系。例如通常认为晶体管的饱和压降V_(ces)=0.3V,实际上这是指NPN管的正向运用情况下的数据,常用于晶体管开关电路,但不适用反向运用情况。而反向运用的晶体管常用作模拟开关.这是因为反向运用晶体管饱和压降极小,基本上符合模拟开关要求。本文将用EBERS-MOLL模型来探讨与求解正、反向运用情况下晶体管的饱和压降。     

病毒晶体管有望大幅提高芯片处理速度

美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)的研究人员已经用烟草花叶病毒制造出了开关速度非常快的"病毒晶体管".由于晶体管的开关速度直接关系到芯片处理信息的速度.如果能将病毒晶体管大量集成制造成芯片,将有望大大提升电子产品的性能.     

IBM公司宣布开关速度最快的锗硅晶体管

IBM公司近日宣布，采用一种新版本的高速锗硅工艺处理技术，已经试制成功世界上开关速度最快的锗硅晶体管。IBM公司称已经研制出的锗硅晶体管，其开关频率(Transit Frequency,简称Ft)可高达350GHz。这种晶体管据说比目前的器件快300%，比以前曾报道过的集成电路芯片快65%。根据该公司提供的材料，这种晶体管的性能优于用其他化合物半导体工艺(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)工艺)制造的器件。IBM公司宣称新的以锗硅工艺为基础的晶体管已经演示了其高速开关性能，但此技术目前仍处于研究开发阶段。该公司期望这种晶体管制造技术将会在2…     

带阻晶体管

带阻晶体管就是将一个或两个电阻同晶体管芯做在一起,封装在同一外壳内,外形如图1所示。带阻晶体管广泛使用在各类家电设备中,比如录像机、摄像机、VCD机、影碟机、电视机……等。带阻晶体管在进口机器电路图中的图形标记如图2所示,文字标记为“QR”(即晶体管Q与电阻R组成),也有标记为“Q”(类似于晶体管),还有的标记为“IC”(即Q、R集成)。带阻晶体管在电路中使用时相当于一个小型电子开关。根据电路的要求(如     

韩国设计替代MOSFET的IGBT

对绝缘栅双极晶体管(IGBT)来说,最高开关频率主要是受制于总的开关能量的损耗。这在单晶体管和双晶体管结构的功率转换应用中尤其如此,因为在这种应用场合三     

E/D型HEMT DCFL倒相器

<正> 一、引言为了满足超高速计算机、高速数据处理和卫星通信等高性能电子系统的迫切需要,人们一直在寻求和开发新的超高速和微波器件。利用异质界面二维电子气(2DEG)高迁移率特性的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其IC已显示出巨大的发展潜力和广阔的应用前景。因而成为最有希望的候选者之一。以增强型(E型)HEMT为开关管、耗尽型(D型)HEMT(或饱和电阻)为负载的E/D(或E/R)型直接耦合场效应晶体管逻辑     

快捷半导体推出新型水平偏转晶体管

快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor International) 现已推出新一代水平偏转晶体管 (行管HDTR)。这种先进的双极性晶体管提高了电压，达到1500V和1700V，具有高速开关速度，适合高分辨率(high-resolution)显示器及宽屏幕电视使用。在水平偏转产品中，双极晶体管要优于IGBT，因为它成本低、开关速度高，而且没有拖尾。 这些新一代HDTR有一个薄型外延层(epitaxial layer)和一个使用中空多发射级结构的优化单元。它的电流容量大、安全操作区域更宽，而功耗更小。这些晶体管中减小了基极散布电阻，具有更宽的驱动范围，简化了水平偏转电路的设计。此外，用电子辐射进行的寿命控制可以实现统一的开关速度(一般为0.1μs)及稳定的参数分布。     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

一种低功耗高性能自举采样开关

提出了一种基于TSMC 40 nm/0.9 V CMOS工艺设计的适用于音频范围的低功耗高性能栅压自举采样开关电路。通过PMOS晶体管的衬底和漏极相连接代替了时钟放大模块,极大降低了电路整体的功耗。在输入端增加了一个NMOS晶体管,随着开关时钟的开启/关闭,通过抑制核心采样晶体管的体效应,可以有效提高开关线性度。鉴于音频信号的范围,选用频率为19.53 kHz、幅值为0.3 V的正弦波信号进行10 MHz采样频率的高速采样仿真,与传统结构相比,有效位数(ENOB)、信噪比(SNR)、无杂散动态范围(SFDR)和总谐波失真(THD)四项性能指标分别提升了5.5%、3.7%、13.8%和5.4%,并且功耗降低了36.8%。     

三维光电开关继电器芯片

日本夏普公司最近推出三维光电开关继电器芯片。这种芯片包括两个单元:光线接受单元和开关晶体管单元。上述两个单元分两层结构,中间有隔离层。光线接受单元灵敏度高,开关晶体管响应速度快。这种开关管是采用MOS FET工艺在硅基片上形成的,     

功率半导体器件的驱动和保护

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)都能提供低损耗开关性能,但在驱动方法和保护措施方面有着明显区别。