Double-Junction Schottky Diodes Using a Ti/Si/Al Structure

Ti/Si/Al structures are studied theoretically and experimentally. The effect of the reverse-biased junction on the current–voltage characteristic of the entire structure is revealed. It is noted that the behavior of the curve is determined by the image-force lowering of the potential barrier. The current–voltage characteristic is shown to obey a power law if the voltage is low enough. It is established that the capacitance of the structure decreases with increasing voltage if the latter is positive. This phenomenon is modeled using two capacitors in a series.     

双掺硅P-N-P重结的形成

本文研究双掺杂硅单晶片在非氧化气氛下高温热处理形成P-N-P双重结的现象.利用非氧化热处理杂质再分布理论解释了P-N-P重结的形成,结深的理论计算与实验值符合良好.根据再分布理论给出浅结结深和空间电荷区电场分布表示式.最后就非氧化热处理双掺结和热氧化双掺结作了比较.     

大功率白光LED的制备和表征

用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响     

发光二极管封装结构及技术

本文介绍了发光二极管的多种形式封装结构及技术,并指出了其应用前景。     

Magnetic properties of donors in GaAsP

The magnetic properties of hydrogenic Te donors and bistable,DX-like S donors in GaAS _x P_1-x have been investigated. Te shows an EPR signal after cooling down, both in the dark. The EPR signal from S appears only after illumination. S does not show an EPR signal after cooling down in the dark, but after illumination when the hydrogenic state of this donor is populated. Static magnetic susceptibility measurements show however that the ground state of S in GaAs _x P_1-x is paramagnetic even though it does not produce an EPR signal. This is in agreement with a one-electron ground state of this bistable donor.     

双色红外探测器研究

为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3～0.5μm/3～5μm)、Si/InSb(0.3～1.05μm/3～5μm)、Si/HgCdTe(0.3～1.05μm/3～5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3～5μm/8～14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10~(10)cmHz~(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz~(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。     

大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.     

大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知:当波导层和限制层铝组分为0.4和0.5时,采用窄波导结构可以获得器件的最大输出功率为11.2W,发散角为19°,阈值电流密度为266A/cm2;采用宽波导结构可以得到器件的最大输出功率为9.4W,发散角为32°,阈值电流密度为239A/cm2.     

Electrical characteristics of GaAsP Schottky barrier diodes

Schottky barrier diodes of chromium on n-type epitaxial gallium arsenide phosphide (GaAsP) were studied from 25°C to 440°C. The diodes showed significant rectification properties up to a temperature of 440°C. At high temperature the reverse leakage current was 1.15 mA at 25 V with a diode area of 1.14×10⁻³ cm² as compared with 0.25-μA current at room temperature. The n factor derived from the slope of the ln I vs. V curves was 1.1. The barrier height for chromium was found to be 1.25 eV from the capacitance measurements and 1.12 eV from the saturation current vs. temperature measurements. The slope of the C-V curves yielded a carrier concentration of 6.0×10¹⁵ carriers per cm³.     

一种新结构LED保护器件的设计研究

针对现有LED旁路保护器件的技术不足,提供了一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构。所设计的保护器件集成了晶闸管、电阻及二极管等结构,以四层晶闸管为核心部件,利于提高瞬变电压的耐受能力;在其中增设两个二极管,分别用于调整器件正向工作时的启动电压和为反向工作时提供电流通道。经过流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,当正向电压大于4.5V时,器件内部的可控硅结构被触发启动,器件性能符合设计要求。     

具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管

通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法,设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管,有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR层组成,经过理论分析和计算,与传统ITO+DBR结构器件相比,在400～550nm波长范围、全角度入射时平均反射率Rave从86.25%提升到了96.71%。实验制备了传统ITO+DBR结构和ODR结构的3颗芯粒串联的高压倒装氮化镓基LED器件,尺寸为0.2mm×0.66mm,ODR结构器件的有效反射结构面积增加了4.8%,饱和电流增加了12mA,用3030支架封装后在30mA的测试电流下,电压降低了0.163V,辐射功率提升了3.78%,在显色指数均为71时光效提升了5.42%。     

结构函数在大功率LED热阻测试中的应用

利用从瞬态热响应曲线中解析出的包含热阻、热容的结构函数,对大功率发光二极管(LED)传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明,用该方法不仅能得到器件结到环境的总热阻,更为重要的是还可从结构函数曲线图上直观地对器件各结构层的热阻进行分析,且测量重复性好,从而为评价器件的封装质量、散热性能提供直接、可靠的依据.     

LED封装结构对出光率的影响

出光率是影响LED发光效率的重要因素之一,优化LED出光率可以提高LED的器件发光效率。文章利用TracePro软件模拟分析了封装结构对LED出光率的影响,分析结果表明:封装腔体的形状与出光率关系不大,而封装腔体的张角、封装腔体顶面的凹凸性与出光率有较大关系,另外出光率还与腔体的高度、封装腔体的反射率、腔体的母线均相关。总之LED封装结构会影响LED出光率,在进行LED封装时,要选择合适的封装结构才能获得较高的LED出光率。     

GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.     

Hg_（1－x）Cd_xTe双色红外探测器装配工艺

简要介绍了研制叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配过程，对器件装配前后的测试结果进行了比较分析，发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配工艺是可行的。     

一种新型LED模块COB封装结构设计

根据目前市场上LED模块COB的封装结构特点以及相关研究结果,提出了一种新型COB自由曲面透镜封装结构方案。通过封装由特殊计算得到的自由曲面透镜阵列,不仅避免由于出光界面的全反射的发生,还能实现特定的光学分布。根据光源辐射特性以及器件的出射光学分布,利用能量守恒定律以及Snell方程建立方程组,运用龙格-库塔法求解得到自由曲面数据。采用Tracepro软件对所设计的结构进行仿真,模拟结果表明,器件实现特定的光学分布,同时结构的出光效率高于90%。     

LED电极结构优化设计与仿真计算

LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力,优化电极结构,能够缓解电流拥挤现象.讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型,并通过SimuLED软件研究了电极结构对LED电流扩展能力的影响.仿真结果表明:采用插指型电板结构极大提高了正装LED的电流扩展能力,电极下方插入电流阻挡层(CBL)后改变了芯片的电流分布状况,有利于光效的提升;而倒装LED的通孔式双层金属电极结构利用两层金属的互联作用,使n电极能够在整个芯片范围内均匀分布,进一步提高了电流扩展性能.     

一种白光LED投射灯组装结构的热分析

大功率LED器件的热流密度非常大,实际应用中会因散热结构不善而导致结温高,导致可靠性降低等问题.通过有限元分析的方法设计出一种带有凹槽的铜基板以强化热扩散作用,并对散热通道中的关键环节进行详细分析.