我国生产高端薄膜太阳能电池有了“利器”

不久,一种更＂给力＂并实惠的能源将走入寻常百姓家。日前,首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在位于上海张江的理想能源设备公司正式下线。这台设备的研制成功和下线,大幅降低硅薄膜电池生产成本,打破了高端薄膜太阳能电池设备市场一直被国外厂商垄断的局面,     

薄膜光伏技术覆盖更宽的光谱范围

尽管薄膜硅太阳能电池的转换效率并不能和当今的主流技术相媲美,然而一旦考虑每千瓦（特）小时能量的生产成本,这项技术就能够脱颖而出。随着半导体和平板技术的发展,薄膜硅太阳能技术将能够帮助太阳能产业实现预期的宏伟目标,即太阳能发电成本与现有电力成本持平。     

等离子体硅基薄膜太阳能电池光电仿真研究进展

将金属表面等离子体共振理论应用到高性能薄膜太阳能电池设计当中已成为近年研究的热点之一。从金属表面等离子体共振理论在薄膜太阳能电池中的应用机理出发,重点介绍了不同纳米结构设计的等离子体硅基薄膜太阳能电池在光学和电学仿真中的研究进展,最后对等离子体硅基薄膜太阳能电池的发展方向进行了展望。     

世界最大硅基薄膜光伏电站将在内蒙古动工

目前世界上最大的硅基薄膜光伏电站项目——国家金太阳太阳能示范电站项目将在内蒙古自治区动工。据悉,这一5兆瓦的光伏电站由中国节能环保集团公司投资,将采用5.7平方米双结硅基薄膜太阳能电池技术。新奥集团旗下的新奥太阳能源公司宣布中标该项目,为其提供双结硅基薄膜组件、配件产品及其他相关集成服务。     

聚光太阳能获国际太阳能光伏展“吉瓦级金奖”

近日,宁波国家高新区企业聚光太阳能有限公司获得了国际太阳能光伏大会（简称SNEC）第五届上海国际太阳能光伏展吉瓦级金奖,这是宁波参展企业中,唯一获得＂吉瓦级金奖＂的企业。     

要闻

德国太阳能薄膜电池研究取得重要进展 目前,德国美因茨大学发表公报说,该校研究人员参与的太阳能薄膜电池研究项目取得重要进展,有望使太阳能薄膜电池突破目前20％光电转化率的纪录。目前光电转化率最高的是铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜电池．可达20％,但与超过30％的理论值仍相距甚远。     

薄膜太阳能电池的研究进展

薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件。评述了薄膜太阳能电池的优缺点,主要介绍了薄膜硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池和有机薄膜太阳能电池的研究现状,总结了它们各自在价格成本、光电转换效率及对环境影响等方面的特点,并对其发展趋势进行了展望。     

第一太阳能获MCS认证 叩开英国市场“敲门砖”

英国正准备对其上网电价补贴方案进行调整,而调整后的补贴方案将仅保留住宅屋顶太阳能市场的补贴,从而使得大规模太阳能项目丧失其经济效益。尽管如此,福思第一太阳能（FirstSolar,NASDAQ：FSLR）的碲化镉（CdTe）薄膜太阳能组件还是通过了英国微型发电产品认证计划（MCS）的检测,获得认证的产品为福思3系列组件,型号为FS-370到FS-385。     

研发改进提升薄膜光伏的效率

欧璃康太阳能专有的用于TCO沉积的低压化学气相沉积（LPCVD）工艺致使硅结内的光捕捉和光吸收的能力更高。通过改善TCO和单结非晶硅的协同作用,该创世界纪录的效率增益将改善商用薄膜硅光伏组件（对于单结非晶硅和非微昌类型）的性能。     

欧瑞康太阳能打破两项世界纪录：最低模块生产成本与最高实验室电池效率

欧瑞康太阳能公司日前宣布，公司新生产线“ThinFab”实现了10％的薄膜硅模块效率和破纪录的每瓦特0．5欧元（4．3人民币）的制造成本。同时，欧瑞康太阳能宣布，高达11．9％的Micromorph实验室电池稳定效率创造了新的记录，得到了美国国家可再生能源实验室（NREL）的确认，证明了薄膜硅技术的未来潜力。     

薄膜太阳能电池研究进展

薄膜太阳能电池是有效利用新能源的新型光伏器件。本文综述了硅基类、化合物类以及染料敏化三种薄膜太阳能电池研究现状,并展望了未来的发展前景。     

欧盟拟立法：薄膜太阳能电池原料镉将禁用

据《纽约时报》报导，欧盟正考虑修改有害物质法规，将禁用范围扩大到所有电子产品，薄膜太阳能电池的原料镉，也在被禁之列。     

双光栅结构薄膜太阳能电池的优化

为了提高单晶硅薄膜太阳能电池短路电流密度和转换效率, 采用在单晶硅薄膜太阳能电池正背面分别集成硅介质光栅和铝金属光栅的方法, 并利用有限时域差分法软件仿真研究了两种光栅的周期、厚度、占空比对单晶硅薄膜太阳能电池短路电流密度和光转换效率的影响。结果表明, 通过优化可得当正背面光栅都处于最优值时(介质光栅占空比F=0.8、介质光栅周期P=0.632μm、介质光栅厚度h_g=0.42μm; 金属光栅占空比F₁=0.9、金属光栅周期P=0.632μm、金属光栅厚度h_m=0.005μm), 短路电流密度可达35.15mA/cm2, 转换效率为43.35%;将最优光栅单晶硅薄膜太阳能电池与传统单晶硅薄膜太阳能电池对比, 无论是光程路径还是吸收效率, 光栅单晶硅薄膜太阳能电池都有显著的提高。这为以后制备高性能薄膜太阳能电池提供了理论指导。     

购并Applied Films效应浮现 AM宣布跨足太阳能电池设备市场

据电子资讯时报网站报道，国际媒体Investor’s Business Daily近期表示，全球最大半导体设备厂商应用材料（Applied Materials），在2006年5月宣布以4．64亿美元购并镀膜设备厂美商应用薄膜（Applied Film）后，7月正式完成合并，应材更是在9月宣布将进军太阳能电池生产设备市场，显示大幅降低太阳能电池生产成本至每瓦1美元以下。     

4 in硅基碲化镉的厚度均匀性研究

采用分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究。使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试。结果表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底。     

硅薄膜太阳电池高效陷光结构的研究

利用严格耦合波分析方法和模式传输线理论,对硅薄膜太阳电池结合DBR（Distributed Bragg Reflector,分布布拉格反射器）和衍射光栅的叠层底部背反射器结构进行了优化设计。结果表明,光栅周期、光栅厚度和光栅宽度分别为0.5λg、0.18λg、0.48λg（λg为硅的带隙波长）以及对应的DBR中心波长为0.85μm时,太阳电池对光子的总吸收最强,且总吸收的提高主要来自于对长波光子的吸收增强,提高了薄膜太阳能电池对长波光子的陷光能力。     

AZO透明导电薄膜的工艺优化及其在叠层硅薄膜太阳能电池上的应用

本文利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了低电阻率、高透光率的掺铝氧化锌（ZnO:Al）透明导电薄膜,经过稀盐酸腐蚀制绒后,作为前电极应用于叠层硅薄膜太阳能电池。详细讨论了溅射和腐蚀工艺参数对薄膜光电性能的影响。优化工艺制备出的AZO薄膜具有高散射能力的表面形貌,其透光率在81%以上（380~1100nm范围）,方块电阻和雾度分别为11Ω/□和41.3%。AZO薄膜作为前电极应用于a-Si:H/μc-Si:H双结薄膜太阳能电池,小面积电池的初始转换效率达到了12.5％。     

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.     

本征微晶硅薄膜的结构演变及其对太阳电池光伏性能的影响

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法制备本征硅薄膜和n-i-p结构太阳电池,研究了氢稀释率对本征硅薄膜的电学特性和结构特性的影响. 采用光发射谱（OES）和喇曼（Raman）散射光谱研究了处于过渡区的本征硅薄膜的纵向结构演变过程. 结果表明：光发射谱和喇曼散射光谱可以作为研究硅薄膜的纵向结构演变有效手段. 随着氢稀释率的增加,硅薄膜从非晶相向微晶相过渡时,其纵向结构的改变会严重影响硅薄膜太阳电池的光伏性能.     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon,PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...