飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP3×3(Power33TM和Power Stage 3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5mm×6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrenchR非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分,为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。     

飞兆半导体与北京清华大学签署重要合作协议

高性能系统功率优化产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与中国著名学府清华大学签订了一项战略性多边合作协议。按照协议,飞兆半导体已在北京和上海分别设立了集成电路研发实验室,并聘请毕业于清华大学的设计工程师,负责在实验室中开发和设计新的半导体产品,全力支持飞兆半导体为多元终端市场提供系统功率优化方案的策略。     

飞兆半导体与北京清华大学签署合作协议

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与清华大学近日签署合作协议，飞兆半导体将在北京和上海设立的集成电路研发实验室中，聘请毕业于清华大学的设计工程师，负责在实验室中开发和设计新的半导体产品，全力支持飞兆半导体为多元终端市场提供系统功率优化方案的策略。     

飞兆半导体荣获最佳产品奖项

飞兆半导体的功率开关产品系列在第五届韩国半导体技术开发竞赛中赢得嘉奖和赞誉。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Teehnologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

飞兆半导体强调其Power Franchise战略重点

近期，飞兆半导体公司借助在上海举行PCIM China展会的机会，再次强调其Power Franchise企业战略重点，并宣布授权GEM Services使用其下一代MOSFET封装技术，以及推出以BGA封装且带有晶体管输出的单信道光耦合器Microcoupler。其间，飞兆半导体新任的首席战略长官Izak Bencuya博士，也是业界     

飞兆推出BGA封装低电压P沟道MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出P沟道MOSFET—FDZ299P,在超小型的1.5×1.5mmBGA(球栅阵列)封装内采用高性能的PowerTrench技术,其体积大大减小。FDZ299P是功率管理设备的理想方案,适用范围包括蜂窝电话、PDA、便携音乐播放器、GPS接收器及数码相机等。     

飞兆半导体在苏州正式开设装配和测试制造设施

全球最大的多元市场高性能系统功率优化产品供应商之一飞兆半导体公司(苏州称“快捷半导体公司”)(Fairchild Semiconductor)在中国苏州的全新装配、测试和自动仓储设施的一期工程正式开业，整个工厂的占地面积达73．6km^2。新设施是公司实现2004年中国销售额翻1番的全球战略目标的关键要素，其制造的产品不仅在中国本土销售，还出口至亚洲其它地区、欧洲和美洲。     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

飞兆半导体推出30V汽车应用MOSFET

飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrench B MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足当今最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）宣布与四川长虹电器股份有限公司（长虹）达成供需合作协议。进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司宣布与四川长虹电器股份有限公司(长虹)达成供需合作协议,进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体庆祝始创50周年及新创10周年纪念

<正>全球领先的功率模拟和功率分立式高能效解决方案供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semicon-ductor)在2007年庆祝其在半导体行业悠久而丰富的历史。飞兆半导体始创于1957年,至今已有50     

飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司宣布与四川长虹电器股份有限公司(长虹)达成供需合作协议,进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。     

飞兆半导体揭示功率半导体的未来挑战

随着世界各地对能源和环境问题日益重视,加上能源供应紧缩、需求不断增长,半导体供应商在推动能效提高方面扮演着更为主动积极的角色。飞兆     

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，