Ramtron提供高速串口F-RAM器件样片

Ramtron宣布提供全新4Kb～64Kb串口非易失性铁电RAM（F-RAM）存储器的预认证样片．新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次（1e12）的读／写循环、低功耗和无延迟（NoDelay）写入特性。     

Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器（F-RAM）产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位（Kb）、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次（1e12）的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。     

Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM器件的千分之一,并具有快速读／写特性和几乎无限次的耐用性。（来自Ramtron公司）     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

新思科技公司（Synopsys,Inc．,）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。     

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器

Ramtron International Corporation日前推出业界首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20,它采用130nmCMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。     

Spansion推出65nm MirrorBit Eclipse闪存解决方案样片

Spansion开始提供针对手机的65nm MirrorBit Eclipse闪存解决方案样片。基于MirrorBit Eclipse架构的MCP产品能够以传统NOR所具有的极高速度执行代码,并可实现极快的多媒体数据传输速率。通过采用本地执行接口,可以直接读取非易失性存储器中的代码和数据,减少用于代码映射的系统DRAM面积,     

Ramtron 2011年展望

Ramtron的目标是开发低功耗、高速度、高耐用的F-RAM半导体产品,可让客户在其系统中实现更多的功能,最终增强客户在其市场领域的竞争力。Ramtron公司预计2010年全球市场需求较2009年上升45%至54%,我们对于2011年实现更多增长持乐观态度。今年欧洲工业市场的需求重新转强,而智能抄表领域继续     

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

使用新IBM生产线制造的F-RAM样片

FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4Kb和16Kb的串行5VFRAM产品,是首批在新IBM公司生产线上制造的预验证铁电存储器（FRAM）样片。FRAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟（NoDelay）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和存储解决方案。     

4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

LMDS无线接入系统开始商用实验

随着各大运营商对宽带无线接入手段需求日益迫切，以及长时间来各地LMDS技术实验网的成功实施，近日，信息产业部向中国电信、中国联通、中国移动和中国网通指配了LMDS无线接入频率，并开始在全国范围内开展LMDS商用实验。此次商用规模很大，中国电信商用实验地点有23个城市，中国联通有14个城市，中国移动有13个城市、中国网通有12个城市。毫无疑问，不久的将来，全国范围内将会掀起LMDS无线接入系统应用新高潮。LMDS是“本地多点分配业务”的缩写，它是一种超大系统吞吐量、可提供多种宽带业务的点到多点的微波技术。对于运营商而…     

存储器

用于车载环境下使用SPI接口的EEPROM;非易失性状态保存器系列;1Mb串行EEPROM产品线     

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.     

薄膜聚合物存储器

本文介绍了薄膜聚合物存储器的体系结构,驱动线路,制造工艺,以及它在存取速度、功耗、存储容量、生产能力、制造成本和日常运用等方面的性能特点。     

存储器

具有高性能低功耗特性的硬盘驱动器QuickLogic公司宣布与希捷科技合作,针对内含Seagate S系列CompactFlash硬盘驱动器和低功耗嵌入式处理器的便携系统,推出高性能、低功耗的大容量存储解决方案。QuickLogic研发推出了连接Seagate S系列硬盘和Intel PXA2xx处理器的配套器件。QuickLogic和Seagate还针对不同大小的数据缓冲区和不同密度的硬盘进行了一系列验证测试。www．quickloic．com