俄罗斯阴极的发展

从氧化物阴极、金属多孔阴极、合金阴极和场致发射阴极的发展状况，介绍了俄罗斯阴极的发展。从而指出我国阴极研究的发展方向。     

真空电子技术

0462 02020117集螺旋阴极笼型阴极网状阴极为一体的新型阴极(Z阴极)/张新富(南京电子管厂)11真空电子技术一2001,(1)一10一13文中阐述了Z阴极的由来、定义、特性和运用,以及Z阴极与螺旋阴极、笼型阴极、网状阴极之间的转换和代替.图5参2(刚)0462 02020118空心阴极直流放电的二维自洽模型描述和阴极溅射分析/赖建军,余建华,黄建军,王新兵,丘军林(华中理工大学激光技术国家实验室)11物理学报一2001,50(8)一1528一1533建立了空心阴极放电的二维自洽理论模型,理论研究了气压为50一12OPa,电压为150一300V的范围内Ar空合阴极放电栩生、粒子密度…     

行波管阴极组件热特性模拟分析

阴极作为行波管中电子束的来源,其热特性的分析尤其重要.建立了电子枪阴极组件热状态有限元分析方程,采用ANSYS软件对电子枪阴极组件进行稳态阴极工作温度均匀性和阴极预热时间的模拟分析,为阴极组件的优化设计提供了参考,有助于阴极研制单位提高阴极的寿命和提高行波管快速反应能力等.     

集螺旋阴极笼型阴极网状阴极为一体的新型阴极（Z阴极）

本文阐述了Z阴极的由来、定义、特性和运用,以及Z阴极与螺旋阴极、笼型阴极、网状阴极之间的转换和代替。     

热阴极的发展现状

概述了热阴极发展的历史过程,热阴极从纯金属阴极开始,加入稀土氧化物材料在表面形成原子膜阴极之后,热阴极的发展又转化为两个方向:一是氧化物阴极的研究和制备,二是扩散式阴极的研究与制备,扩散式阴极又分为储备式阴极、浸渍型阴极以及钪系阴极。金属阴极、氧化物阴极和扩散式阴极在真空器件中均应用非常广泛。随着科技的发展,现代真空电子器件对阴极提出了更高的要求:即具备工作温度低,蒸散小,发射密度大且均匀,耐高压离子轰击,制备简单且价格低廉等优点。本文就此比较了各种阴极的优势和缺点,研究者可据此选用合适阴极。     

阴极气体中毒

阴极中毒是因发射表面上吸附气体层之故。吸附气体的量与吸附热、气体压强以及阴极温度有关。吸附的气体在阴极表面上形成带电偶极子,它导致逸出功增加,从而引起发射下降或阴极中毒。因为偶极矩大小和吸附气体的量非定量所知,所以通过实驗測量阴极中毒。本文叙述使用的实驗裝置和实驗方法。介紹的实驗結果包括鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬镧的碳化鎢阴极受氧的中毒。六硼化鑭阴极的抗氧中毒的能力强于鎢或浸漬鑭的磺化鎢阴极。还测量了六硼化鑭阴极受氮、二氧化碳、空气、氬和氫等气体的中毒特性。测得的鎢阴极、六硼化鑭阴极和浸漬鑭的磺化鎢阴极受氧中毒的特性,与其他不同类型阴极受氧中毒的数据作了比較。这就为选择使用在中毒环境下的阴极提供定量基础。     

利用激光沉积研究镧钼阴极表面发射机制

为了研究镧钼阴极表面发射机制,采用专为研究阴极设计的与俄歇能谱仪相连的脉冲激光沉积装置制备薄膜阴极.通过测量阴极发射性能和原位分析表面成分(原子数分数),研究了阴极表面元素镧La和氧O变化对阴极发射性能的影响.实验发现随着阴极表面镧膜变薄,阴极发射性能逐渐减弱;阴极发射性能与表面元素La,O 的含量有关,表面层中La/O越高,阴极的发射性能越好.结果表明,传统的单原子层理论无法解释镧钼阴极的发射机制;超额镧在镧钼阴极的发射中起到了关键作用.     

冷阴极脉冲噪声源

一、气体放电噪声管的阴极类型及其特性雪崩二极管和气体放电噪声管是微波噪声源的关键器件,它们也是有源器件。目前,国产噪声源以采用噪声管为主,国外固态源发展很快,兼而有之。噪声管的阴极类型有:丝状阴极、间热式阴极、直热式阴极和冷阴极。国外商品源绝大多数使用类似于荧光灯的丝状阴极,国内使用间热式氧化物阴极。噪声管的寿命原则上决定于阴极类型、工作模式、充填气体和压强。在上述几种阴极中,间热式或直热式阴极的寿命最长。据报     

显象管用快速启动阴极的研制

众所周知,研制快速启动显象管主要在于设计制造快速启动阴极。具体来讲,是设计31公分显象管瓷片阴极结构(图1),采取减少阴极热容量和热损失、提高阴极和热丝的热效率等主要技术措施来缩短阴极启动时间。因此我们采取如下主要技术措施:把显象管的光栅显现时间从原来的7～9秒缩短到5秒以内,实现显象管阴极的快速启动(可采用阴极启动时间的关系式来进行设计): 1.用阴极镍铬合金替代纯镍做阴极套管,并把阴极套管的厚度从原来的0.05毫米减薄到0.02～0.03毫米; 2.黑化阴极套管和热丝(因本厂热丝黑化     

大面积平板CRT

一、前言平板CRT可分为两种阴极类型:一种使用单点阴极,另一种使用具有多点的多阴极或线阴极. 使用单点阴极的平板CRT,结构简单,但很难获得较大的屏尺寸;而使用多阴极的,结构很复杂.     

The sandwich CsI photocathodes for photon detection in the 0.1–10 keV region

The high and low density sandwich CsI photocathodes have been developed and optimized to yield relatively stable and efficient systems for photon detection in the 0.1–10 keV region. For sandwich CsI photocathodes, the photon detecting effeciency is 2–10 times higher than that obtained with the high density CsI photocathodes in the 0.1–10 keV region. The energy distributions of the photoemitted secondary electrons have been measured to be similar to the high density photocathodes and with about 2eV full-widthhalf-maximum. The high efficiencies and relatively narrow emitted electron energy distributions have made the CsI transmission photocathodes extensively useful in softX-ray detectors and counters especially inX-ray streak camera applications.     

用于探测能量为0.110keV光子的夹心结构CsI光阴极

为了稳定而有效地探测能量范围在0.110keV之间的软X射线,研制并优化了一种高低密度夹心结构的透射式CsI光阴极。它的光子探测效串大约是高密度透射式CsI光阴极的110倍。所测得的光电发射次级电子能量分布曲线与高密度CsI光阴极类似,半极限值的全宽度(FWHM)不到2eV。由于它的量子效率高而次级电子能量分布范围相当窄,这种夹心结构透射式CsI光阴极广泛地应用于软X射线探测器和计数器,特别是软X射线条纹摄相管。     

PROCESS AND PROPERTIES OF THE MODERN MULTIALKALI PHOTOCATHODE USED IN A CASCADE IMAGE INTENSIFIER

A new processing technology and the properties of multialkali antimonide photocathodesare described.The technique requires an initial antimony layer to be deposited on a fiber-optic window at asuitable temperature.After that.the layer is activated by multialkali and antimonide.Thus.the multialkaliphotocathodes named“The Modern Multialkali Photocathode”are obtained.It has been found that aphotocathode thus processed gives a sensitivity of 200 to 300μA/Im for white light at a color temperature of2854K.This paper shows the variation of photosensitivity during processing of a Modern MultialkaliPhotocathode and the variatioon of spectral sensitivity at different wavelengths.The author discusses theresults.gives a supposition of“photoemission center”,and discusses the role of Cs in multialkaliphotocathodes.     

Ⅲ族氮化物光电阴极原位程序升温脱附

建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究III族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型,利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究,通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在III族氮化物光电阴极TPD动态法实验中,研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图,由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到:恒温1 000 K的条件下,N2的扩散系数为510-5 cm2/s。通过理论分析结合TPD实验,III族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。     

ZnO紫外光电阴极制备及激活工艺技术

采用磁控溅射方法,探索ZnO薄膜制备的最佳工艺。研究了氧氩比、基片温度,对晶粒质量的影响,以及表面电阻与溅射时间之间的关系,使薄膜具有高电阻率,并研究了激活前后光暗电流的关系,满足薄膜在紫外探测器领域的应用。     

The effect of Cs-O activation temperature on the surface escape probability of NEA (In,Ga)As photocathodes

It has been found that the temperature TAat which Cs and O are applied to (In,Ga)As negative electron affinity photocathodes has a strong influence on the surface escape probability B. Over the temperature range investigated, 25-100°C, B changes by a factor of approximately 30.     

半导体光电阴极的研究进展

半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。     

像增强器的多信息量测试技术研究

阐述了像增强器的单色光反射率,光谱响应曲线,单色光电流的测试原理,介绍了多碱电阴极多信息量测试系统,该系统可在像增强器制备过程中在线测试其阴极的单色光反射率,光谱响应曲线,单色光电流等参量,本文还给出了并分析了在该系统应用于一代像增强器制备过程中的测试结果。     

大电流密度光阴极的进展

长期以来,光阴极主要应用于辐射探测及微光成象。几乎所有应用于上述目的的光阴极都被设计为低电流密度工作状态(1A/cm2)。这类光阴极在强光照射下,很快地出现疲劳现象。七十年代出现的大电流密度光阴极能在脉冲的或持续的强激光照射下产生大电流密度光电发射。本文着重报道这一时期大电流密度光阴极的进展,介绍它们的实际应用,并对几种大电流密度光阴极进行对比和评价。     

潮解对CsI光阴极量子产额的影响

CsI光阴极在空气中易潮解是导致实际使用时量子产额降低的重要原因。使用扫描探针显微镜观察CsI光阴极在潮解前后的表面形貌变化,发现CsI晶粒在潮解后的直径与高度变大,且CsI薄膜的覆盖率降低。对CsI光阴极潮解后的表面形貌建模,通过蒙特卡罗模拟来研究CsI光阴极的量子产额在潮解前后的变化。模拟结果显示,CsI晶粒的直径和高度变大会导致CsI光阴极的量子产额下降,并且表面形貌变化越大量子产额下降越多。因此,可以认为潮解造成CsI光阴极量子产额下降的重要原因之一是CsI光阴极表面形貌的变化。