彩色显象管荫罩的频谱分析

本文运用傅立叶积分变换理论,进行推导和分析了彩色显象管(CPT)及显示管中荫罩的空间频率响应。并对电子束扫描节距和荫罩的纵向节距与其显示分辨率、莫尔效应等的关系进行了研究。     

改善莫尔效应的电子枪设计

随着彩色显像管的薄型化,出现莫尔条纹的可能性增大。改善莫尔效应的电子枪设计成为彩色显像管薄型化开发的先决条件之一。消除或减弱莫尔效应的电子枪设计的核心是增加小电流时光点的垂直尺寸,使其尺寸明显大于荫罩孔垂直节距,减弱相互干涉。     

荫罩CRT分辨率的测量

绪论在军事计划中,对高分辨率荫罩CRT显示器的要求在增长,从而对彩色荫罩CRT也提出新的要求。在规范和测量分辨率的过程中,存在的问题要向购买者交代清楚。尤其是现有的单色CRT分辨率的规范和测量不适用于荫罩CRT。因为,荫罩荧光粉点结构取样入射电子束。近期,Barten采用调制系数作为分辨率度量的概念,这种概念对单色CRT是非常有用的。而对荫罩CRT来说,通     

数字显示管的分辨能力

本文给出光点尺寸和荫罩节距对数字显示用CRT分辨能力影响的一些基本考虑。对于字符能清晰易辨所要求的调制度亦给出一个数值 在这个数值的基础上提出了对于分辨能力定义的建议。     

CRT显示的光学特性

本文利用付里叶分析从所要求的光学分辨率导出了对于CRT数据显示的光点尺寸要求。相似的分析方法还可以用来分析荫罩节距对于彩色显示光学性能的影响。关于亮度和对比度之间的关系也进行了讨论。     

提高平板荫罩分辨率设计方法的分析与改进

本文地提高CPT清晰度的平板荫罩设计方法进行了分析,改进的设计保证了节距分布的连续性,提高了管子的分辨率,新设计的管子不用制作新的荫罩成型模具,它的制作也可以在普通彩管的流水线上完成,而且制成的多媒体管子显示质量良好,表明改进后的方法是有效可行的。     

第十一节 荫■板的设计原理

一、莫尔效应 “莫尔”一词源于法语“moire”即水纹,我国译文中常称之为“木纹”、“波纹”。因为这种效应会导致电视图像上迭加上一个有如木理水纹一样的波形,移动。这当然是我们所讨厌的事情。荫条管中没有这种效应,但是在荫罩管成荫式自会聚管中就会碰到这个效应。 主荫孔管或荫管内,荫孔或荫在垂直方向（g方向）是周期性排列的。也就是说,它的透明度是周期性变化的,而电子束的扫描线亮度也是周期性变化的。两相迭加,必然在电子束扫描线亮度最大与荫罩透明度最大的重合处形成最亮点（我们把它称为“奠尔点”）,而在扫描线亮度最小与荫罩透明度最小的重合处形成最暗点。从最亮点到最暗点间有一个逐渐变化的区域。     

短管CRT莫尔现象原理分析及改善方法

莫尔条纹是荫罩栅阴极射线管（CRT）本身所固有的、内在的特质,特别是近期推出市场的各类短管CRT电视产品,莫尔效应现象较为明显。本文针对显像管图像显示中出现的莫尔条纹进行了原理分析,并提出了改善短管CRT莫尔条纹的相关对策。     

17英寸FS超高分辨率CRT

已研制出17英寸0.26mm节距的超高分辨率FS CRT,是用于更精密的64kHz水平扫描的高级终端。其中,最新颖的设计是超精细节距殷钢荫罩,LAT—29D电子枪和冷轧硅钢臂(CROSS ARM)型STM偏转线圈,它的特点是有“十字形”校正彗差的子线圈。     

第五章 荫罩管

荫罩式彩色显像管,在3.1.1节中已经提到,本章则较详细地讨论。图5.1图介了一典型的25V90°管子,其对角线为25时(25V)和90°偏转(跨越对角线的扫描)。这种管子使用的电子枪能产生三支独立的电子束,这些电子束在一公共宫颈内,间隔极近。应用一公共(?)偏转线啳扫描,且轰击一具有许多孔的荫罩板。典型的荫罩板由约350,000个     

单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管

使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源Au电极。该制备技术避免了碳纳米管器件更多的化学接触,有效确保碳纳米管的纯度。该碳纳米管场效应晶体管器件采用重掺杂Si作为背栅、SWCNT随机网络薄膜为导电沟道。在室温环境下利用Keithley-4200对器件性能进行了测试分析,器件开启电流约为1μA,峰值跨导为326nS。该方法制备的SWCNT随机网络场效应晶体管,具有工艺实现简单、器件性能稳定、重复性和一致性好等特点,并可以用于构建CNT逻辑电路。该技术对于研究低成本、大规模基于CNT的集成电路来说,具有较高的借鉴价值。     

预着屏透镜技术的研究

采用AK材荫罩的彩色显像管(缩写CPT),在大电流工作状态下,荫罩会产生较大的热拱形变,从而导致电子束发生较大的漂移,极易造成着屏不良,严重地影响着彩管的亮度均匀性,这是困扰彩管制造厂家的一大难题。本文以21＂东芝型CPT为例,着重讨论在强弱电流下彩管的色纯漂移(缩写PD)特性和预着屏透镜的设计。     

Quantitative evaluation of proximity effect in raster-scan exposure system for electron-beam lithography

The proximity effect in a raster-scan for electron-beam lithography system was evaluated by Monte Carlo calculation and verified by experiments. It was revealed that the reduction in the beam diameter below the scanning pitch, which links into the shortening of drawing time, is more effective in decreasing the proximity effect than the reduction in the resist thickness. From the calculated results, it was found that the error in linewidth definition due to the proximity effect was less than 10 percent at a linewidth of 1.5 µm with scanning pitch of 0.5 µm, beam diameter of 0.2 µm, and PMMA resist of 1.0-µm thickness.     

65cm彩管平板荫罩发辨率的提高

荫罩是彩色显像管的重要部件,本文详细介绍了提高64cm平面直角（FS）彩色显借管用于平板荫罩分辨率计算方法和计算结果,在不影响旧透过率和强度,又不用制作新的荫罩成形模具有以及彩管的其它部件的情况下,水平节距从原来的0.71mm降低到0.57mm,彩管的分辨纺从原来的587线提高到727线,而亮度及色纯等整管参数跟现行64cm彩管基本相同,可以更好的接受VGA信号,DVD图像以及电视节目。     

25 in高分辨率荫罩式等离子平板显示系统的研究

介绍了东南大学开发的25in SMPDP,荫罩上像素间最小间距尺寸为0.66mm,可以显示SVGA分辨率.新的最小像素间距尺寸预示了将来42in SMPDP与HDTV的兼容性.重新设计的放电胞结构可以提供更大的显示面积,并更有利于显示平板的制造.对其技术发展和市场前景作了展望.     

MCRT的特点及其扫描电路的设计

ＭＣＲＴ是一种多枪结构的ＣＲＴ，是大屏幕扁平ＣＲＴ的经典模式之一。它是由多个小尺寸（如１０厘米左右）的ＣＲＴ，采用低熔点玻璃粉的封接技术，做成一个具有较大显示面积（如大于１００厘米）的ＣＲＴ。ＭＣＲＴ具有一些优良的特性如；较大的显示屏幕，较小的厚度、良好的电子束光点，较高的亮度和对比度以及较高的分辨率等，它非常适合于户外使用。ＭＣＲＴ的整幅图像是由一些单元图像所组成的，拼接的图像往往会在单元图像之     

Selective area epitaxy of CdTe

We have performed selective area epitaxy (SAE) of CdTe layers grown by molecular beam epitaxy using a shadow mask technique. This technique was chosen over other SAE techniques due to its simplicity and its compatibility with multiple SAE patterning steps. Features as small as 50 microns × 50 microns were obtained with sharp, abrupt side walls and flat mesa tops. Separations between mesas as small as 20 microns were also obtained. Shadowing effects due to the finite thickness of the mask were reduced by placing the CdTe source in a near normal incidence position. Intimate contact between the mask and the substrate was essential in order to achieve good pattern definition.     

Electron beam and ion beam fabricated microwave switch

A combination of electron beam and ion beam techniques were used in conjunction with conventional planar technology to fabricate a junction field-effect microwave switch. A digital tape-controlled scanning electron beam was used to expose mask patterns in polymethyl methacrylate resist whose line widths (≤1 um) are inaccessible to conventional photolithography; ion beam sputtering was used to remove a thin gold undercoat from within the exposed patterns, thereby maintaining the good edge resolution; and ion implantation was used to dope the closely spaced interdigitated source and drain regions thus exposed by the preceding process steps in the gold contact mask.     

An improved shadow-mask design for in-line three-beam color picture tubes

In a color picture tube using an in-line arrangement of three beams and the conventional shadow mask, the transmission of the shadow mask must be made very low in the corner regions in order to avoid the overlapping of adjacent in-line trios of landed beam dots on the screen. An improved design of aperture alignment on a shadow mask was developed for the in-line three beams in order to avoid this overlapping without reducing the transmission. In this new shadow mask, the apertures are aligned not along straight lines as in the conventional shadow mask but along certain curved lines. The horizontal aperture alignment curves are a barrel-shaped group of arcs of ellipses, and the vertical aperture alignment curves are a pin-cushioned group of arcs of circles. Brightness and color purity of the picture in the corner regions of the screen were much improved by using this shadow mask.