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为研究电极面积对老炼效果的影响,采用3种不同表面积的铜电极进行试验,它是真空间隙绝缘击穿的一个特点,老炼的过程随电极面积而变;电极面积越小,老炼完成的越快。一的击穿电压也取决于电极面积,;电极面积越小,击穿电压越高。 相似文献
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彩管在出厂之前 ,都要经过ITC调整工序 ,即 :将偏转线圈装在彩管的管颈上 ,通过调节偏转线圈的前后位置、摆头 ,结合调整磁组件的张角 ,把彩管的画质参数 (色纯、会聚、白场、失真等 )调整到最佳状态。ITC调整完成后的彩管就可直接供电视机厂家使用。由于ITC调整是一项技术性很强的工作 ,一般都在彩管厂进行。但在实际工作中 ,经彩管厂家ITC调整会聚良好的彩管 ,在彩电厂使用时也经常发生会聚不好的现象 ,此种现象在彩管行业中称为“会聚漂移” ,它会对彩电厂的生产造成很大的影响。造成会聚漂移的原因很多 ,例如 :在出厂前 ,I… 相似文献
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本文论述了“无电流关合/无电流开断”,“无电流关合/额定电流开断”以及“无电流关合/额定短路电流开断”三种操作对真空开关管绝缘强度的影响。为此目的,我们对商品化的CuCr触头横向磁场的两种类型的真空开关管进行了试验。我们用实验的方法测定了开关操作前后出现的击穿电压和发射电流。其相应的特性是在老炼后测定的。老炼采用直流电压老炼,其点火脉冲电压为1.2/50μs和50H2的交流电压老炼。我们对得到的结 相似文献
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在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub~pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响.结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定.与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定.当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低.本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff. 相似文献
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S.Kobay ashi 《真空电器技术》2001,(3):24-28
氧化水处理有一优点,即可除去有机污染,从而在表面上产生一钝化氧化膜,且经处理的表面状况可在空气中保持。这一技术已被应用在无氧铜电极的表面处理中。实验结果表明:在无任何防护下,首次电压施加时,击穿场并不总是提高的,但在击穿处得到显著的老炼效应。此外,在经臭氧水处理的表面上附加的溅射净化提高了首次击穿场,表面分析证明,在经臭氧化水处理后,电极表面覆盖了一层氧化膜(CuO),经过由脉冲电压产生的500次重复击穿的老炼后,这一薄膜被去除,暴露出大部分铜,这些结果是根据处理后的表面能在空气中保持的特点得出的。 相似文献
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对于高压放电回路,高压开关是一个关键器件。高压放电回路中高压固态开关上电压可能出现瞬变,这种瞬变会引起高压固态开关的误触发或者击穿。开关的工作异常将导致整个放电回路的失效。本文从原理上分析了这种失效产生的原因,并且进行了电路仿真,通过仿真分析提出了如何去避免这种失效的发生,给出了相应的防护措施,最后通过实验验证了保护措施的有效性。 相似文献
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真空灭弧室在排气台上的老炼是提高真空间隙的耐压水平的重要手段。目前在生产过程中我们一般是将电流和是 老炼分两步进行,这样生产效率相对较低。基于对目前真空灭弧室的电压,电流老炼工艺参数及其晰分析研究,我们提出了在灭弧室上并联电容春进行老炼,目的是提高灭弧在电压老炼后的击穿电场强度,适当地电压老炼的工艺过程,提高生产效率及产品的质量,降低生产成本。 相似文献
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作为改善彩色显示器件屏边缘聚焦性能的一种措施,电子枪束形成区静态像散设计被各种高质量彩管所采用,由于其结构的非轴对称性,其定量的模拟计算和设计必须使用CAD手段。本文分析了彩管像散的形成原因,并用我们自行开发的CAD软件对两种彩管电子枪的静态像散结构进行了定量的计算。 相似文献
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本文提出了一种用微秒低能强度电子束对电极进行了预处理的方法。它表明,这种电子束能使电极表面熔化并除去表面层的杂质和气体。接着,对真空间隙进行小电流脉冲放电老炼处理,即可获得较高的击穿电场强度。 相似文献
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本文描述了对高压的真空灭弧室进行的绝缘实验。实验是在两种设计不同的真空室中进行的。两种实验对象的不同之处是其内部的开断单元的数量不同,另外,其屏蔽结构也有微小差异。在此基础上讨论在灭弧室相同的情况下,单、双断口结构绝缘性能的差异。实验显示由老炼作用的绝缘强度会提高,实验分别在交流电压和雷电冲击电(HIV)进行。 相似文献