光伏新材料a-CNx薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a-CNx薄膜的光响应增益达18,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0,经过氢化处理的未掺杂a-CNx薄膜的光响应增益为30,光响应时间大约为300s.     

光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2 为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a- CNx 薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a- CNx 薄膜的光响应增益达1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0 ,经过氢化处理的未掺杂a- CNx 薄膜的光响应增益为30 ,光响应时间大约为30 0 s.     

掺TiO2的ZnO薄膜气敏特性研究

用直流磁控溅射法分别在Si(111)基片及陶瓷基片上制备掺有TiO2的ZnO薄膜,并进行500℃、700℃退火处理,对掺杂前后ZnO薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性.500℃退火后,各掺杂样品对有机气体有较高的灵敏度,随着掺杂时间延长,气敏特性提高.700℃退火后,2 min掺杂的样品对乙醇有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右.而其他掺杂量的样品对乙醇气体灵敏度低,随着掺杂时间延长,气敏特性降低.     

高缺氧HfO2薄膜中铁磁性质的观测

研究了未掺杂和Co掺杂HfO2薄膜内部的铁磁性质。对于理想配比的HfO2薄膜,没有发现铁磁行为, 但在高缺氧状态下的HfO2则观测到了弱的铁磁性。Co掺杂增强了这种铁磁性。使用真空和氧气交替退火的方法未掺杂和Co掺杂薄膜进行铁磁性测试,结果显示,氧空位的存在可以增强铁磁性,减少氧空位,或者增加薄膜内部的间隙氧会导致铁磁性降低。Co掺杂引起的磁性和观测到的d0 磁性被认为是两种性质的磁性。     

柔性电子用NiW薄片上ZCO异质外延生长(英文)

低成本柔性金属薄片上的异质外延氧化铈薄膜的潜在应用领域有固体燃料电池、气体传感器和光学器件等。利用直流反应磁控溅射法在双轴织构NiW合金衬底上进行Zr掺杂氧化铈薄膜的外延生长研究。结果表明,不同Zr掺杂量的薄膜可通过调制Zr靶上的溅射功率获取,所有样品均为c轴垂直于基片表面生长,显示出良好的外延特性。原子力显微镜分析结果表明,样品表面连续、致密、无裂纹。电子背散射衍射图谱显示Zr0.32Ce0.68O1.84膜具有良好的四重对称面内织构。     

Cr掺杂SiC薄膜的制备与光致发光特性

利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。通过FTIR分析得到对应于Si―C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si―C键的结合。将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变。     

溅射功率对Zr,Al共掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响

室温下,采用直流磁控溅射法,在载玻片衬底上制备出了Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。研究了溅射功率对薄膜的组织结构、表面形貌和光电学性能的影响。结果表明,制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射功率为150W时,薄膜电阻率达到最小值1.66×10–3Ω·cm,在可见光区平均透过率超过93%。     

Cr掺杂SiC薄膜的制备与光玫发光特性

利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜.用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究.通过FTIR分析得到对应于Si-C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si-C键的结合.将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变.     

脉冲准分子激光沉积Mg/Ag掺杂薄膜

基于梯度掺杂功能薄膜材料在工业应用中的需要、通过金属掺杂对新材料改性研究的需要 ,用单束激光交替作用于两相异靶材 ,制备了Mg Ag组分比为 0 .9的掺杂薄膜     

含有SrS:Ce,Cl/Zu Mn双磷光体层的白色薄膜电致发光EL器件

Zn:Mn 薄膜交流 EL 平板显示器件在高亮度、长寿命和稳定性等方面所取得的进展使人们对这种显示器件的兴趣进一步增加。由于 ZnS:EL 屏的发光颜色局限于橙黄色。因此,人们为了研制多色薄膜 EL 器件而进行不了懈的努力。然而,在研制白色薄膜 EL 器件方面所做的尝试却很少。至今已报导过的较好的白色薄膜 EL 磷光体 ZnS:PrF_3,在5kHz 电压驱动下只能给出350cd/m~2的较低亮度。最近的研究表明,稀土掺杂的碱土硫化物对于多色薄膜 EL 器件来说是一种有希望的材料,尤其是 SrS:Ce 已成为蓝色 FL 的一种     

Electroluminescence from Au/Si/SiO2/p-Si structure

Si/SiO₂ films have been grown using the two-target alternation magnetron sputtering technique. The thickness of the SiO₂ layer in all the films was 8 nm and that of the Si layer in five types of the films ranged from 4 to 20 nm in steps of 4 nm. Visible electroluminescence (EL) has been observed from the Au/Si/SiO₂/p-Si structures at a forward bias of 5 V or larger. A broad band with one peak 650–660 nm appears in all the EL spectra of the structures. The effects of the thickness of the Si layer in the Si/SiO₂ films and of input electrical power on the EL spectra are studied systematically.     

CuInSe2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析

采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜.CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节.测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质.     

Au/(Si/SiO2)/p-Si薄膜中电流及电致发光机制的分析

用射频磁控溅射法制备了具有Au／（Si／SiO2）／pSi结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光（EL）谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SiO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,Au膜中的电子和p型Si中的空穴在较高的电场下以Fowler-Nordheim（F-N）隧穿方式进入SiO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。     

ZnO∶Ti透明导电薄膜的制备与光电性能研究

采用直流磁控溅射法,在水冷7059玻璃衬底上制备了具有高透射率和相对低电阻率的掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜,研究了溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿多晶结构,具有c轴择优取向。溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜的结构和电阻率有重要影响。当溅射偏压为10V时,电阻率具有最小值1.90×10–4?.cm。薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透射率超过90%。该ZnO∶Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。     

Low-temperature deposition of transparent conducting Mn-W co-doped ZnO thin films

Mn-W co-doped ZnO(ZMWO) thin films with low resistivity and high transparency were successfully prepared on glass substrate by direct current(DC) magnetron sputtering at low temperature.The sputtering power was varied from 65 to 150 W.The crystallinity and resistivity of ZMWO films greatly depend on sputtering power while the optical transmittance and optical band gap are not sensitive to sputtering power.All the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and have a preferred orientat...     

溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响

采用射频磁控溅射系统,在Si(111)衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜。通过X线衍射(XRD)和冷场发射电子显微镜镜(FESEM)对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了Mg2Si薄膜在Si(111)衬底上的外延生长关系,得到了Mg2Si薄膜的外延生长特性。研究结果表明,在80～110 W的溅射功率范围内,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,并且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)衍射峰先增强后变弱,在100W功率下Mg2Si(220)衍射峰最强。     

射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征

以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜.利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征.结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素.     

Influence of the sputtering pressure on the properties of transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering

Transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films with high transparency and relatively low re-sistivity have been successfully prepared on water-cooled glass substrate by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The Ar sputtering pressure was varied from 0.5 to 3 Pa. The crystallinity increases and the electri-cal resistivity decreases when the sputtering pressure increases from 0.5 to 2.5 Pa. The cystallinity decreases and the electrical resistivity increases when the sputtering pressure increases from 2.5 to 3 Pa. When the sputtering pressure The deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and a preferred orientation perpendicular to the substrate.     

N/Al共掺ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究

采用射频磁控溅射和退火处理方法在普通玻璃基底上制备了N、Al共掺的ZnO薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、四探针电阻测试仪和紫外-可见光光谱及X射线光电子能谱(XPS)等测试手段,分析了溅射功率对薄膜表面形貌结构及光电性能的影响。研究结果表明:不同溅射功率下所制备的薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,在可见光范围内,平均透过率都超过了85%;在溅射功率为140W条件下,N、Al共掺的ZnO薄膜显示出p型导电特性。