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为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。 相似文献
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数控延时线芯片通常被应用于微芯片-微计算机-微电子学的电路设计开发与测试技术中.为了达到高的电阻延迟精度和大量的延迟度,设计一款有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路.电路芯片选用GaAs PHEMT材料和单片微波集成工艺实现,采用电路与电磁场相结合的方式设计仿真实验,对外延材料进行优化.通过测... 相似文献
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目前国内尚未建立在片矢量网络分析仪测试系统的有效溯源途径,随着微电子行业的高速发展,在片模式下测量的散射参数的计量问题急需解决。为达到量值一致、可靠的目的,论文针对在片矢量网络分析仪测试系统提出了量值比对方案,提出采用失配衰减单片作为传递标准。对比对结果的数据统计方法进行了探讨,同时采用两种统计方法进行离群值剔除,采用各实验室测量值的算术平均值作为参考值,推导出这种情况下比对结果的归一化偏差En值。 相似文献
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目前,常用的 S 参数测量不确定度评定方法中均未考虑 S 参数相关性的问题,论文给出了一种2GHz ~18GHz 频率范围内 S 参数测量不确定度的评定方法,该方法从校准件的定义出发,基于 SOLT 校准技术对矢量网络分析仪进行自校准,将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件(DUT ),通过使用蒙特卡洛仿真的方法(MCM )得到矢量网络分析仪测量 DUT S 参数的测量不确定度,评定过程中考虑了相关性问题,提高了 S 参数测量不确定度的可靠性和合理性。 相似文献
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目前,常用的S参数测量不确定度评定方法中均未考虑S参数相关性的问题,论文给出了一种2GHz~18GHz频率范围内S参数测量不确定度的评定方法,该方法从校准件的定义出发,基于SOLT校准技术对矢量网络分析仪进行自校准,将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件(DUT),通过使用蒙特卡洛仿真的方法(MCM)得到矢量网络分析仪测量DUT S参数的测量不确定度,评定过程中考虑了相关性问题,提高了S参数测量不确定度的可靠性和合理性。 相似文献
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微梁结构热偶微波功率传感器芯片的制作工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
在微波技术研究中,微波功率是表征微波信号特性的一个重要参数,微波功率测量已成为电磁测量的重要部分,可应用于很多场合,如发射机输出功率(包括天线系统辐射的功率)和振荡器输出功率的测量,毫瓦计的校准,标准信号发生器的校准等。微波功率传感器是微波功率计探 头中的核心元件。微染结构热偶微波功率传感器芯片选择具有低电阻温度系数的Ta2N和高热电功率塞贝克系数的Si作为热 材料,利用半导体工艺和MEMS工艺制作,并最终研制成合格的芯片,芯片具有尺寸小,功耗低,灵敏度高,频带宽等特点,简要介绍了芯片的结构原理,并详细介绍了芯片的制作工艺。 相似文献
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专用测试设备综合校准系统的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
赵自文 《自动化与仪器仪表》2007,(3):23-25,42
专用测试设备综合校准系统是为保证生产线专用测试设备测量数据准确可靠而研制的。基于校准参数的分类特征设计接口测控单元,外加集成通用标准设备、计算机组成硬件系统,系统在专用程序的控制下,实现对专用测试设备的自动校准。系统经验证人机界面友好,使用方便,适合于现场校准。 相似文献
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为了解决某型装备野战化条件下快速便携的计量校准需求,同时兼顾准确度等级要求,运用基于Windows 2000SP4/Windows XP SP2操作系统的Microsoft Access 2003数据库管理系统,设计了由校准通用平台、通用校准装置、专用校准装置和系统软件组成的某型装备便携式计量校准系统;通过大量实验数据的验证和实际使用情况的观察,该系统能够完成装备初始射高、射角、射向、温度等参数的精确计量,能够满足实际计量校准需求,而且能够提高现场检测效率,在装备计量校准使用中表现良好。 相似文献
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为了解决机载铂电阻测温系统机上校准工作量大、实施难等问题,根据机载铂电阻测温原理和校准方法,分析了对于单个测温通道在实验室与机载环境下测量结果之间的差异,提出了一种对实验室校准曲线进行修正而替代机上校准曲线的方法,并通过实验对该方法进行验证;设计了根据机载测试系统的数据文件、系统配置文件,批量修正实验室校准曲线的软件;任意选择的8个参数进行工程验证,采用原方法和本文方法进行校准得到的两组校准曲线,分别对测试数据进行处理,得到测量结果的最大偏差与量程比不超过0.27%,证明修正后实验室校准曲线与机上校准曲线基本一致,可以用作数据处理;结果证明,改进后校准方法方便、高效,校准结果满足机载测试要求,为机载参数校准提供了新思路。 相似文献
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《电子制作.电脑维护与应用》2012,(3)
泰克公司日前宣布,推出紧凑型射频(RF)和微波功率传感器/功率计产品系列,这些产品具备业内最快的测量速度,覆盖射频、微波频率范围,并提供从基本平均功率到脉冲参数的广泛功率测量。泰克PSM功率计系列在全工作温度范围内已完全校准,无需传感器归零和功率计参考校准。 相似文献
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《单片机与嵌入式系统应用》2012,12(2)
泰克公司推出紧凑型射频(RF)和微波功率传感器/功率计产品系列,这些产品具备超快的测量速度,覆盖射频、微波频率范围,并提供从基本平均功率到脉冲参数(pulsepr ofiling)的广泛功率测量。泰克PSM功率计系列在全工作温度范围内已完全校准,无需传感器归零和功率计参考校准。 相似文献
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提出了一种基于MEMS技术,由MEMS微波功分器和在线式MEMS微波功率传感器组成的在线自检测MEMS微波功分器,实现了MEMS微波功分器在Ka波段的实时在线功率自检测。MEMS微波功分器为T型功率等分功分器,由共面波导、圆形的不对称共面带线和空气桥构成,三个端口处分别放置三个相同的在线式MEMS微波功率传感器用于端口处信号功率的实时监测。该结构基于GaAs MMIC工艺,它可以与GaAs微波电路实现单片集成,通过ADS和HFSS软件的协同仿真,在中心频率34GHz处,回波损耗S11小于-30dB?插入损耗S21(S31)约为-4.7dB。在26GHz ~40GHz的频率范围内,S11约小于-15dB,隔离度S23小于-15dB。 相似文献
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吴汉清 《电子制作.电脑维护与应用》1997,(12):25-25
晶体管反向击穿电压的测量是电子爱好者感到比较困难的一件事,常用的JT-1型晶体管特性图示代也只能测到200V,不能测量高反压晶体管。本文介绍一种晶体管反向击穿电压测试附加器,配合500型等万用表使用,测量范围为0~1000V,可满足一般测量要求。 相似文献