MOVPE生长Ga（CH3）3—AsH3—H2体系中砷的形态转化及砷的治理

在热力学分析的基础上，计算了在Ｇａ（ＣＨ３）３－ＡｓＨ３－Ｈ２体系中在５００Ｋ－１２００Ｋ的温度范围内，可能的含砷及砷化物的形态和浓度。同时通过大量的模拟实验找出了去除尾气中砷的最好方法，还研制出用三级逆向喷淋法的治理设备，对尾气进行治理，治理后的尾气含砷量含量符合国家排放标准。     

Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（2）

４分子束外延生长（ＭＢＥ）采用ＭＯＶＰＥ工艺可成功地进行各类Ⅲ族氮化物半导体的生长,但它也有某些不足之处。如由于ＭＯＶＰＥ生长温度较高,因此固相析出反应较快,同时由ＮＨ３的裂解所产生的Ｈ２会影响反应过程的进行等。为此,人们又开发了不采用ＮＨ３,而采用...     

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

从固态组分控制方面,对AlGaAs的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了AlGaAsAP-MOVPE生长过程中控制参数和A l在固、气相间的分配系数kAl之间的关系式.之后,依据该关系式分析实验数据,并对kAl的动力学行为规律进行了研究.结果表明,kAl值大小与AlAs和GaAs的生长效率(单位Ⅲ A族原子输入量下材料的生长速率)之比K的大小有关：kAl随K的增加而增大;当K＞1时,kAl＞1,当K＜1时,kAl＜1,实际情况以前者居多;只有当K＝1时才kAl＝1.此外,生成GaAs和AlAs的表观反应活化能Ea1和Ea2的不同会导致K,进而kAl随生长温度发生变化：当Ea1,＞Ea2时,kAl随生长温度的升高而减小,当Ea1＜Ea2时,kAl随生长温度的升高而增大,论文得到的结果属后种;只有当Ea1＝Ea2时,kAl才不随生长温度发生变化.再者,kAl还会随Al在气相Ⅲ A族原子中的原子百分含量xVAl的增加而减小.     

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究

从固态组分控制方面,对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先,在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下,经理论推导,给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后,依据该关系式分析实验数据,并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明,ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ的生长效率（单位ⅢＡ族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ的增加而增大;当Ｋ＞１时,ｋＡｌ＞１,当Ｋ＜１时,ｋＡｌ＜１,     

（001）SrTi03衬底上的Ba0．7 Sr0．3 Ti03／YBa2Cu3O7—δ外延生长薄膜的界面结构研究

本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0.7 Sr0.3 TiO3／YBa2 Cu3 O7-δ(BST／YBCO)外延薄膜的界面结构，结果表明在BSt/YBCO界面形成了阶梯(step-terrace)结构，同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后，也可能按照台阶生长(step-flow)模式生长出完好的BST薄膜。