射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质

氧化锌 (ZnO)具有较宽的带隙 (3 1eV)和较低的亲合势 (3 0eV) ,有可能用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料。本文主要研究了用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜时 ,衬底温度和溅射气氛对薄膜结晶状况和电学性质的影响。随着衬底温度的升高 ,薄膜结晶质量得以改善 ,晶粒择优取向 (0 0 2 )晶向 ,晶粒大小为 5 0～ 6 0nm。溅射时通入一定比例的氧气有助于提高薄膜的绝缘性和耐压性。当衬底温度为 180℃ ,溅射气氛为Ar O2 (2 5 % )时 ,ZnO击穿场强为 0 35V/ 10nm。     

射频溅射ZnO薄膜的晶体结构和电学性质

氧化锌（ZnO）具有较宽的带隙（3.1eV）和较低的亲合势（3.0eV)，有可能用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料。本文主要研究了用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜时，衬底温度和溅射气氛对薄膜结晶状况和电学性质的影响。随着衬底温度的升高，薄膜结晶质量得以改善，晶粒择优取向（002）晶向，晶粒大小为50-60nm。溅射时通入一定比例的氧气有助于提高薄膜的绝缘性和耐压性。当衬底温度为180℃，溅射气氛为Ar O2(25%）时，ZnO击穿场强为0.35V/10nm。     

MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展

本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。     

P型ZnO薄膜及ZnO基LED研究进展

本文介绍了氧化锌的光电性质以及与其它相近的半导体材料相比的优点，分析了p型氧化锌难以实现的原因，综述了p型掺杂和LED的研究进展。     

碳纳米管的薄膜场发射

薄膜场发射特性是碳纳米管(CNT)研究的重要课题之一，它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本就CNT的场发射做一综合评述，主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等。     

ZnO薄膜的缺陷研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能，可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备，Vo可能导致ZnO薄膜产生绿光；线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心，影响薄膜器件性能；层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件，必须研究ZnO薄膜的缺陷特性，文章对此进行了详细阐述．     

ZnO薄膜及其性能研究进展

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料,在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样,各具优缺点;而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征,并对其发展趋势及前景进行了探讨．     

ZnO薄膜的最新研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，文章详细介绍了ZnO薄膜在其晶格特性，光学、电学和压电性能等方面的研究，特别是ZnO薄膜的紫外受激辐射特性，另外，对ZnO的p型掺杂和p-n结特性的最新进展也作了探讨。     

ZnO薄膜生长技术的最新研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，目前已研究了开发了许多ZnO薄膜的生长技术，其中，磁控溅射，喷雾热分解，分子束外延，激光脉冲沉积，金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用；而一些新的工艺方法，如溶胶－凝胶，原子层外延，化学浴沉积，离子吸附成膜，离子束辅助沉积，薄膜氧化等也进行了深入研究，详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展。     

p型ZnO薄膜研究进展

ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.     

氧化锌薄膜研究进展

本文介绍了制备ＺｎＯ薄膜的常见方法和影响薄膜结构的主要因素，并已在Ｓｉ衬底上利用直流反应磁控溅射法制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段，综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能，并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。     

ZnO基半导体薄膜材料的研究进展

介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料，近年来一直受到广泛关注。然而，如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因，并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状，并对今后的发展趋势进行了展望。     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.     

紫外半导体电致发光器件研究进展

概述了紫外半导体电致发光器件的发展历史、现状、趋势及其应用,详述了国内外近两年对AlGaN基半导体电致发光器件的研究进展.     

半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。     

半导体器件工艺与薄膜科学

全面地介绍了半导体器件工艺中有关薄膜研究的基本原理，并给出几个实例以说明这些薄膜研究。主要论述了硅IC工艺。