非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列电压温度系数的分析与优化（英文）北大核心

灵敏度是非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列（IRFPA）的一项重要性能指标。二极管结构的电压温度系数（VTC）对灵敏度有很大的影响。分析了二极管结构的设计参数和工艺参数对其电压温度系数的影响,仿真结果表明二极管的串联个数和pn结结面积是两项重要因素。因此,设计出6个串联＂阱＂形pn结的二极管结构,并对具有该结构的热敏二极管型红外焦平面阵列进行了流片。测试结果表明,在10μA正向偏置电流下,二极管结构的电压温度系数为8.2 mV/K,单个像素的灵敏度为19.1μV/K。不同结面积结构的测试结果表明,增加结面积能有效提升二极管结构的电压温度系数和灵敏度。     

MCM-C基板上的多层互连及厚膜电阻的可靠性研究

重点研究了MCM-C基板中多层互连和厚膜电阻的可靠性.试验采用温度应力和电应力的双应力加速寿命试验.试验发现,温度小于180℃时互连失效在MCM-C基板失效中占主要地位,膜电阻失效相对互连失效可忽略不计.在温度高于180℃时膜电阻失效将起较大作用,即膜电阻比互连温度加速系数要大.重点计算了膜电阻和互连寿命分布及加速系数.     

集成电路数模转换器(下)

四、固体基准源在单片D/A转换器设计中,稳定基准的设计最为关键。稳定基准源的主要指标是热稳定性。 (一)齐纳二极管基准源齐纳二极管基准源是电子系统应用较早且较广的一种固体基准源。产生基准电压的方法不外乎图11所示的四种。即(a)利用齐纳二极管在适当偏置电流下的零温度系数击穿点产生基准电压。(b)利用齐纳管端电压的正温度系数和正偏,二极管端电压的负温度系数串联补偿的原理产生基准电压。(c)利用建立电阻比来获得基准电压。(d)利用平衡电桥产生基准电压。电路计算表明(c)的输出基准为:     

基于SOI Si片的二极管红外探测器

介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性,理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下,单个二极管的温度灵敏度分别为1.40,1.35和1.52mV/K,三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。     

微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究

将１．５ μｍ ＣＭＯＳ工艺和各向异性腐蚀工艺结合,制作出电阻温度系数为１．１×１０－ ３·°Ｃ－ １的微机械多晶硅薄膜电阻。理论分析了多晶硅薄膜结构对多晶硅薄膜电阻率的影响,对电阻样品的室温电阻、电阻温度系数、电压－电流特性及恒定直流功率负荷下电阻随负荷时间的变化进行了测量和研究     

2400系列数字源表在二极管测试中的应用

Keithley2400系列数字源表是一系列具有电流电压输出和测试功能的新型测试设备,可以用于电位器、电阻排及连接器等多方面的测试工作。本文介绍如何使用该系列产品建立二极管测试系统。 二极管在出厂前必须进行三项直流参数测试:正向电压(V_F)、击穿电压(V_R)和反向漏流(I_R)测试。通常上述测试需要几台仪器完成,如:数字表,电压源,电     

万用表交流电压档测量音频电平

图1是MF30型万用表测交流电压的简化电路,D3是半波整流二极管,D4是保护二极管。在交流电压正半周内,D4截止,对3的整流作用使表头内有脉动电流流过;在交流电压的负半周内,D4导通,由于D4上的正向压降很小,因此大大降低了加在D3上的反向电压,对D3有保护作用。 一般万用表的交流电压档和直流电压档如有相同的量程,则多是设计成共用一组倍率电阻和同一条电压刻度,MF30型万用表100V档的倍率电阻R8～R10、500V档的倍率电阻R11及 R8～R10是交、直流共用的。由于整流二极管     

适用于非制冷焦平面探测器的氧化钒薄膜制备研究

氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器.利用离子束增强沉积法,通过精确控制溅射电压、退火温度优化了氧化钒的制备工艺,制备出的氧化钒薄膜电阻为40kΩ、TCR为-2.5%K-1,满足非制冷焦平面探测器氧化钒薄膜的应用的要求.     

微波pin二极管电阻与温度的关系

研究了四种pin二极管电阻的温度特性.结果表明二极管结面积的大小,也就是二极管结电容的大小,影响着二极管的表面复合和二极管的载流子寿命,决定了二极管的温度性能.器件的钝化方式和几何结构对二极管电阻的温度性能影响不大.结电容为0.1～1.0 pF的微波二极管,具有正的温度系数,约为线性关系,结电容越大,电阻随温度变化越大.研究结果可以用来预测pin二极管开关和衰减器的温度性能,进一步可以应用于电路温度补偿设计.     

一种无电阻高精度基准电压源

基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。     

稳压二极管的测试

<正> 稳压二极管是电子产品中最常用的元件之一,它的主要参数有稳定电压(Vz)、稳定电流(Iz)、最大稳定电流(Izm)、电压温度系数(C_Tv)、动态电阻(Rz)、耗散功率(Pz)、正向压降(V_F)、反向电阻(R_R)、反向电流(I_R)等等。对于这些参数的精确测试,必须借助于专用设备和精密仪表,而在一般维修或业余条件下人们往往最为关注的是稳压二极管的性能和稳定电压值有多大。本文介绍用万用表、兆欧表和简单的自制电路判断稳压二极管性能和测试其参数稳定电压的方法。     

电阻箔复合材料规范（续一）

附录A 电阻温度系数测试方法 本方法利用金属箔微电阻测量原理,测定不同试验温度下电阻箔的直流电阻,用以确定电阻箔在试验温度下的直流电阻值与基准温度下直流电阻值的相对变化程度.即确定试验温度与基准温度之间每1℃温差引起直流电阻值的相对变化量,并用电阻温度系数(RTC)来表征这种特性.     

吉时利发布用于半导体器件探测和特征分析设备的混合信号互连解决方案

吉时利仪器公司日前发布测试界第一个利用一套线缆即可处理I-V、C-V和脉冲I-V信号的互连解决方案（正申请专利）。本款最新布线套件基于专利型设计,能大大加快并简化从任意先进半导体参数分析仪到Cascade Microtech或SUSS MicroTec探测器进行直流电流一电压（I-V）、电容一电压（C-V）和脉冲I-V测试互连的过程。互连线的设计与吉时利4200-SCS半导体特征分析系统以及其他一些用于特征分析的测试仪器兼容。     

场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

一种宽范围电压探测器的设计

以耗尽型ＮＭＯＳ管构成参考电压,通过激光修整,调节有关电阻的阻值和ＭＯＳ管的栅长,设计了一种探测范围很广的电压探测器。ＳＰＩＣＥ模拟表明,该电压探测器具有功耗低、温度漂移低、精确度高的特点。     

光学玻璃ECT光探测器的设计与实现

介绍了光学玻璃ECT的工作原理,并针对光学玻璃ECT存在的精度问题,分析出光探测器直流偏置会导致比差超限。简要说明了光电二极管原理及电流-电压转换电路,进一步探讨会导致光探测器产生直流偏置的原因及解决办法,测试证明,设计的光探测器能满足光学玻璃ECT精度要求。     

应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管

研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10^-6Ω·cm²。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm²的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。     

非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究

主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及TCR的影响,研究了硅衬底上氧化钒薄膜电阻温度系数与电阻之间的关系.     

定子电流补偿与转子虚拟电阻协同控制策略

为解决电网电压骤升情况,研究双馈异步风力发电机在高电压穿越下的动态特性,设计出一种定子电流补偿与转子虚拟电阻协同控制的高电压穿越方案。虚拟电阻控制策略会增加直流母线侧电压,导致电网故障程度加重,定子侧增加电流补偿项的控制策略可以达到控制直流母线电压的作用。转子侧增加虚拟电阻和定子侧增加电流补偿项协同控制策略的方法,可以降低直流母线侧电压,缩短电压振荡过程,从而提高系统的高电压穿越能力。通过在Simulink仿真软件搭建增加转子侧电流补偿项的传统控制模型和定子电流补偿与转子虚拟电阻协同控制策略模型进行仿真,得出定子电流补偿与转子虚拟电阻协同控制策略可以有效抑制有功和无功功率、直流母线侧电压、电磁转矩和转子电流冲击幅度,同时加快母线侧电压恢复时间,提高系统故障穿越能力。     

集成温度补偿二极管的研制

温度补偿二极管主要用于各种电子线路的电压基准电路中,其作用是利用其正向的负温度系数在电路中作温度补偿用。我们采用集成电路的方法设计了一种温度补偿二极管,且该二极管可采用国际通用的DO-35封装。现以温度系数为-4.6mV/℃(典型值)、正向压降为1.18～1.28V(I_F=3mA)的温度补偿二极