1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计，为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复的射率引入其中，器件的增 吸收通过折射率为描述，用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构。     

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有足够精度．ＩＯＣＡＤ可对满足ＢＰＭ适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析．本文同时给出几个模拟实例．     

弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎ－ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二级管，分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计，在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅     

Ge0.4Si0.6／Si超晶格光探测器与Si波导的集成探讨：光场…

对Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ超晶格探测器光场进行了分析，并用束传播法进行模拟。还探讨了这种探测器与Ｓｉ波导的集成。在Ｓｉ波导满足单模传输的条件下，推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。     

SOI LDD MOSFET的栅电流的模拟

本文介绍一种采用载流子总量方法分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序ＬＡＤＥＳ７联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。ＬＡＤＥＳ７可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了ＬＡＤＥＳ７软件模拟的部     

一种新颖SLD减反射区结构的设计

本文用束传播方法研究了具有偏折波导吸收区两段式超辐射发光二极管减反射区结构对激光振荡的抑制作用，提出一种新颖的减反射区结构，这种结构包含一段偏折波导吸收区和一段透明窗口区．本文描述的设计及模拟结果表明：在长度相同的情况下，通过适当选择几何参数，这种结构较单一的一段偏折波导吸收区或透明窗口区，能得到更小的有效反射率，约小一到两个量级．     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

束传播算法与边界条件的分析和应用

详细介绍了波导器件的模拟方法——束传播算法(BPM)和完好匹配层(PML)边界条件的基本原理，并给出基于有限差分的BPM的应用实例。针对算法中所采用的近似，给出BPM的适用范围和基于有限差分的束传播算法的优化方案。     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。     

InP／InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。     

一种多层波导光传播计算的新方法

提出了一种新的简单的一光学方法，可以使用在多层波导的光传播计算中，尤其是在光探测器的设计中。把设计值与目前普遍采用的ＢＰＭ法进行比较，结果吻合较好。与ＢＰＭ法相比，此法最大的优点是在计算中考虑了材料对传播光的吸收，而在光场达到稳定分布后再考虑吸收，故在理论上此方法更加接近实际。作为例子用这种方法计算了一种新型的探测器的尺寸。这种探测器与Ｓｉ波导的集成器件正在制作 中。     

介质加载异形波导的高阶模（LS模）

通过对介质加载矩形波导ＬＳ模场的分析，采用微扰法推导出介质加载异形波导ＬＳ模场截止频率的近似计算公式。实验数据与理论计算结果的吻合，说明了近似公式可用于微波器件特别是脊波导器件的工程设计和研制，并为此提供理论依据。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究

本文根据所建浮体效应物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系．研究结果表明，降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等，可以有效地抑制浮体效应，提高器件的源漏击穿电压，这些参数在工艺上可以对应采用ＬＤＤ＆ＬＤＳ的ＭＯＳ结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在ＳＯＩ体区的复合寿命等，为从工艺设计上进一步改善ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的器件特性打下理论基础．     

高压RESURF LDMOST的开态电阻与关态电压

降低表面电场原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ的优化设计深入的讨论。最后评价了高压ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳＴ在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。     

可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长

本文报道了采用选择区域生长（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ, ＳＡＧ）方法,在 ＳｉＯ２作掩膜的 ＩｎＰ衬底上选择生长出高质量的 ＩｎＧａＡｓＰ－ＭＱＷ,并成功地制作出波长调谐范围达 ６．５ ｎｍ的可调谐 ＤＢＲ激光器和性能可靠的电吸收调制ＤＦＢ激光器．ＳＡＧ成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成 （ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＦＢ Ｌａｓｅｒ, ＥＭＬ）．我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破． 采用 …     

在系统可编程技术在硬件设计中的应用

ＩＳＰ（在系统可编程）技术在ＣＭＯＳ ＰＬＤ领域中处于领先地位。ＩＳＰ器件能完成很多的系统性能,所有的器件能够通过一个简单的菊花链结构进行编程,并利用下载电缆将熔丝件写入ＩＳＰ器件。在熟悉ＩＳＰ ＰＬＤ技术的工作原理和ＶＨＤＬ环境并掌握ＩＳＰ开发工具（包括ＷＶＯｆｆｉｃｅ与ｉｓｐＤＳ＋５．０）情况下,利用ＶＨＤＬ将该技术应用到ＭＣＵ硬件的设计,并根据芯片的管脚锁定,利用ＰＲＯＴＥＬ制成一块ＰＣＢ     

基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG).该AWG器件的中心波长为1 550 nm,信道间隔为200 GHz,采用了脊型波导结构.首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法(BPM)模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱.模拟结果显示:器件的最小信道损耗为4.64 dB,串扰小于-30 dB.根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52～8.1 dB,串扰为17～20 dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能.     

新型结构的1．3μm Ge_xSi_（1－x）／Si MQW波导探测器的优化设计

本文首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ波导探测器结构．器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成．器件的输入端是８μｍ宽的波导．这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率．对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计．结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２～３倍．而上升下降时间仍然保持在１１０ｐｓ左右．