OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

防止电池反接的MOSFET

防止电池反接的ＭＯＳＦＥＴＭａｘｉｍ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ公司Ｄａｎａ　Ｄａｖｉｓ本文所示的ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）可用来保护ＩＣ和其他电路，其方法是在电池反接时切断电源电流（电池安装正确使Ｑ１完全导通，允许正常工作）。这种情况下，电路...     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

QCS──新一代的无线通信系统

本文介绍了由美国ＱＵＡＬＣＯＭＭ通信公司最新推出的无线通信系统ＱＣＳ（ＱＵＡＬＣＯＭＭＣＯｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｙｓｔｃｍ），它采用日益成熟的ＣＤＭＡ技术，并具有独特的开放式网络结构，具有优良的性能和相当大的价格优势，ＱＣＳ支持多种实际应用，可以十分便利地添加新的服务项目。     

采用成品率模型技术设计3．3V800nV_（rms）噪声／增益程控CMOS麦克风前置放大器

采用成品率模型技术设计３．３Ｖ８００ｎＶ＿（ｒｍｓ）噪声／增益程控ＣＭＯＳ麦克风前置放大器＝Ａ３．３－Ｖ８００－ｎＶ＿（ｒｍｓ）ｎｏｉｓｅ，ｇａｉｎ－ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｄｅｓｉｇｎｕｓｉｎｇｙ...     

适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路

适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...     

Performance Evalution of 2B1Q Data Echo Canceller in Digital Subscriber Access Networks

ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＥｖａｌｕｔｉｏｎｏｆ２Ｂ１ＱＤａｔａＥｃｈｏＣａｎｃｅｌｅｒｉｎＤｉｇｉｔａｌＳｕｂｓｃｒｉｂｅｒＡｃｃｅｓＮｅｔｗｏｒｋｓＭａｎｕｓｃｒｉｐｔｒｅｃｅｉｖｅｄＯｃｔ．１２，１９９６ＴａｎｇＢａｏｍｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖ...     

Defect Structure of MOCVD Grown Epitaxial (0001) GaN/Al_2O_3

ＤｅｆｅｃｔＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＭＯＣＶＤＧｒｏｗｎＥｐｉｔａｘｉａｌ（０００１）ＧａＮ／Ａｌ２Ｏ３Ｘ．Ｈ．ＷｕＬ．Ｍ．ＢｒｏｗｎＤ．ＫａｐｏｌｎｅｄＳ．ＫｅｌｅＳ．Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓＪ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ（ＭａｔｅｒｉａｌｓＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ，...     

SPT推出CMOS单片高速A/D变换器系列

ＳＰＴ推出ＣＭＯＳ单片高速Ａ／Ｄ变换器系列ＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＩｎｃ．（ＳＰＴ）推出１０位ＣＭＯＳ单片高速ＡＤ变换器系列。这一系列的速度从５ＭＳＰＳ到４０ＭＳＰＳ。其中的５种产品分别是ＳＰＴ７８３５（５ＭＳＰＳ），...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

Quantum Transport through Magnetic Bariers

ＱｕａｎｔｕｍＴｒａｎｓｐｏｒｔｔｈｒｏｕｇｈＭａｇｎｅｔｉｃＢａｒｉｅｒｓＪ．Ｑ．Ｙｏｕ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｈｅ...     

A Structural Model for C_(60) on Metal Surfaces

ＡＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＭｏｄｅｌｆｏｒＣ６０ｏｎＭｅｔａｌＳｕｒｆａｃｅｓＤ．Ｌｉｕ１，２Ｊ．Ｌ．Ｙａｎｇ１Ｚ．Ｑ．Ｗｕ１Ｊ．Ｇ．Ｈｏｕ１（１ＳｔｒｕｃｔｕｒｅＲｅｓｅａｒｃｈＬａｂｏｒａｔｏｒｙａｎｄＦｕｎｄａｍｅｎｔａｌＰｈｙｓｉｃｓＣｅｎｔｅｒ...     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法

优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

Interface Modulations on The Nanostructured Chains

ＩｎｔｅｒｆａｃｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎｓｏｎＴｈｅＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄＣｈａｉｎｓＸ．Ｈ．Ｙａｎ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｚ．Ｐ．Ｄｕａｎ１，３Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃ...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

用选择氧化物沉淀的7次掩模CMOS工艺

用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...