关于V系列F-RAM的技术说明

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品.     

Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口128千位器件

Ramtron宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100G r a d e3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0V～3.6V的宽工作电压范围内工作。     

两款通过汽车等级认证的串口F—RAM器件

Ramtron International Corporation（简称Ramtronl宣布．其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G，是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器，在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

两款通过汽车等级认证的串口F-RAM器件

Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100 Grade 3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位(Kb)、高性能非易失性F-RAM存储     

FM W系列：F－RAM存储器

Ramtron Intemational Corporation推出W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I 2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。W系列具有更高的性能,如有功电流和串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256．kbit串口I2 C与和SPI接口。     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

Ramtron扩展F—RAMV产品系列新增汽车等级串口器件

Ramtron公司宣布其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位、高性能非易失性F-RAM存储器,在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器（F-RAM）产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位（Kb）、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次（1e12）的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器

W系列F—RAM存储器带有串口I^2C、SPI接口和并行接口，能够提供2．7～5．5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（active current）需求降低了25％～50％，串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快20倍。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256Kb串口I^2C与和SPI接口。     

Ramtron新添F-RAM器件FM25V05

Ramtron International公司推出F—RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2．0V～3．6V及具有串行外设接口的非易失性RAM,特点包括快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,是工业控制、仪表、医疗、汽车等应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。     

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器

Ramtron公司推出新型F-RAM系列中的首款产品FM25V10,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14     

Ramtron提供高速串口F-RAM器件样片

Ramtron宣布提供全新4Kb～64Kb串口非易失性铁电RAM（F-RAM）存储器的预认证样片．新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次（1e12）的读／写循环、低功耗和无延迟（NoDelay）写入特性。     

高功效512Kb／1Mb串口FRAM

512Kb FM24V05和1Mb FM24V10是2．0-3．6V的串口非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,使用双线（I^2C）协议。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟写入、几乎无限的读／写次数及低功耗,是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串口闪存和串口EEPROM存储器的普适型替代产品。     

Ramtron第一批以IBM新生产线制造的F-RAM芯片样品开始出货

低功耗铁电内存（F-RAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron宣布．开始提供以IBM公司新生产在线制造的首批先期验证（prequalification）铁电内存（F—RAM）之芯片样品。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5VF-RAM产品,这些器件可为电子系统提供高性能的非挥发性数据收集和储存解决方案。Ramtron的F-RAM产品具有非挥发性RAM内存的性能、无延迟（NoDelay？）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。     

Ramtron的高功效512Kb和1MbV系列串口F—RAM存储器

Ramtron宣布其新的井口和串口F—RAM系列增添两款产品,这些F—RAM器件提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F—RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2．0V至3．6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线（12C）协议。     

Ramtron新型F-RAM Processor Companion集成温度补偿晶体振荡器

Ramtron宣布升级其瞄准大批量、基于处理器的电子系统市场的Processor Companion产品。新型Processor Companion（处理器伴侣）集成了带有温度补偿晶体振荡器（TCXO）的精密实时时钟（RTC）,256Kb非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）,以及一整套外设功能。     

Ramtron 64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

Ramtron International Crporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证,可在-40℃～ 85℃的Grade 3汽车温度范围内使用.FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1( 125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分.