采用雪崩晶体管产生窄脉冲

本文详细介绍了雪崩晶体管的工作原理,介绍和分析了一些可用于单脉冲选取、高速摄影控制、探地雷达以及固态脉冲源的典型电路,并给出了这些脉冲电路的测试结果。     

雪崩晶体管在纳秒脉冲驱动电路中的应用

介绍了一种可用于半导体激光器、高速摄影、信号处理以及激光雷达的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体管的雪崩效应，通过两级雪崩晶体管阵列，得到了7ns、6A的大电流窄脉冲。并对触发脉冲的获得、电路板的印制进行了简要的介绍。     

雪崩晶体管在纳秒脉冲驱动电路中的应用

介绍了一种可用于半导体激光器、高速摄影、信号处理以及激光雷达的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体 管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到了7 ns、6 A的大电流窄脉冲。并对触发脉冲的获得、电路板的 印制进行了简要的介绍。     

基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光电源的设计

介绍了一种基于时间延迟和雪崩晶体管的纳秒级窄脉冲半导体激光器电源,该电源主要由脉冲发生电路、雪崩电路组成。实践证明,该电源可以作为一种简单的纳秒脉冲产生装置,产生脉宽〈30ns、峰值为1A的电流脉冲,用于驱动普通半导体激光器。     

基于雪崩三极管的新型并级联脉冲发射技术

针对雪崩三极管构成的Mark级联电路高幅值需要多级级联以及雪崩三极管制作工艺造成的多级电路不能同时触发等缺点,设计了一种特殊的并级联结构,使整个电路在临界雪崩电压值的直流电源供电条件下同时触发,产生信号质量明显优于同级数Marx电路的高幅值、窄脉宽的脉冲信号。文中对雪崩效应的原理进行分析,然后讲述雪崩三极管级联电路的工作原理,在此基础上介绍改进之后的并级联电路,并对其进行仿真分析和实物测试,可以得到上升沿1.9 ns、脉宽4.25 ns、幅值300 V左右的负脉冲,结果表明改进后的脉冲发生装置性能得到很好的改善。     

固体雪崩管快脉冲源的研制

固体雪崩管被触发工作在雪崩或二次击穿瞬间时能输出很大的脉冲峰值电流,且触发晃动和上升时间都很小,因此广泛用于制作重复频率低而脉冲功率高的快脉冲源。近几年研制了几种用于纳秒同步机的单管源,应用于产生较宽快沿方波,并且研制出微分波的多管串并联源,应用于纳秒高压产生器中触发氢闸管的多管串联源。     

超宽带脉冲产生电路的研究与设计

在UWB脉冲信号发生器的研制中,通过分析UWB脉冲波形的特征,以一阶高斯脉冲为设计目标,提出了一种以振荡源、储能元件和高速开关为主体的UWB脉冲产生电路系统模型,并且在实际电路中设计了不同的实现方式。利用复杂可编程器件(CPLD)为UWB脉冲发生模块设计了脉冲时序触发电路。针对脉冲的产生方案,设计了一种利用雪崩晶体管产生UWB脉冲的电路,实际测试得到了1 ns以内的窄脉冲;与此同时设计了一种基于阶跃恢复二极管的UWB脉冲发生电路,在PSpice中仿真得到了宽度约400 ps的UWB脉冲信号。仿真结果表明,PSpice建立的SRD模型符合理论分析,设计的UWB脉冲信号发生电路也完全满足在超宽带引信上使用的需求。     

实时宽带示波器在快沿脉冲测量中的应用

脉冲信号的广泛应用使得对其测量准确度提出更高要求,而脉冲信号上升沿变窄的趋势则增加了测量难度。为了更精确地测量脉冲信号并保证测量结果准确可靠,分析了高性能实时宽带示波器在带宽、采样率、底噪、电缆去嵌和匹配校准快沿脉冲等方面的优点,讨论了其用于脉冲信号测量和校准所具有的无可比拟的精准性,说明了其作为脉冲信号测量和脉冲参数计量具有无可替代的作用。最后通过一个实例介绍了对10 ps以内快沿脉冲进行测量和校准的方法。     

基于雪崩晶体管的多电流1550nm激光驱动电路

设计了一种基于雪崩晶体管和可编程逻辑器件的多电流155nm半导体激光驱动电路.该驱动电路包括多种大电窄脉冲生成电路、恒流与保护电路和温控电路三部分.利用51单片机、可编程逻辑器件和雪崩晶体管实现数字式的多种大电流窄脉冲生成电路,易于控制与扩展.恒流与保护电路则借助51单片机的分段程序和高分辨率的数/辛莫转换器实现,精度高.而温控电路采取一种类PWM的控制方式.所设计的驱动电路精度高,实时性好,达到了设计要求.     

基于阻抗失配的快沿方波脉冲防护研究

针对快沿方波电磁脉冲的防护问题,分析了不同半导体防护器件的阻抗变化对电磁脉冲的响应时间、端口传输功率的影响,得出了阻抗失配具有良好的方波电磁脉冲抑制作用和响应速度快的特性;为提高功率容量,采用了微带滤波器,通过1/4波长原理,仿真、设计、制作了1/4 波长微带带通滤波器,频率范围3.2 ~6.2 GHz,插入损耗臆1.8 dB,阻抗为50 W,在1 GHz 处的带外抑制为30 dB;利用高频噪声发生器(INS-4040)产生的快沿方波脉冲对其进行测试,结果表明此微带带通滤波器对快沿方波脉冲具有很好的抑制作用,同时具有亚纳秒的响应时间。     

一种采用雪崩三极管——电子管混合型双脉冲Q开关驱动电源

本文给出用雪崩三极管－－电子管构成的双脉冲Ｑ开关驱动电源的新型实际电路设计。     

利用雪崩管驱动电光偏转器实现稳定纳秒激光脉冲输出

利用雪崩管堆驱动LiNbO3电光偏转器对激光脉冲进行快速偏转．实现幅度稳定的纳秒整形激光脉冲；激光脉冲振幅不稳定度从振荡器输出的单纵模调Q激光脉冲的10％(RMS)降低到4％(RMS)，大大改进了纳秒量级整形激光脉冲幅度稳定性。     

用雪崩三极管电路生成高压负脉冲技术研究

雪崩效应因为能在极短时间内输出极大电流,常被用来设计高压脉冲电路。分析了利用雪崩三极管电路生成高压正脉冲的实现方案,并提出了改进的设计,接着分析了脉冲输出过程中负载回路的电流流向,通过改变信号输出点,设计了输出高压负脉冲的电路。电路输出的脉冲幅度达到了-200V,前沿约3.2ns。与相似结构的正脉冲电路相比,性能略有降低。同时对性能下降的原因进行了分析。     

基于雪崩三极管的高重频高稳定度脉冲源研究

基于雪崩三极管的脉冲源具有稳定度高、脉冲窄、上升时间短等优点,分析了雪崩三极管脉冲源稳定度的影响因素。采用适当的优化措施提高了稳定度指标,设计了高稳定度的雪崩三极管脉冲源,脉冲峰值电压1500V(50Ω负载),脉冲宽度1ns,上升时间200ps,具有很高的稳定度指标:短时抖动小于30ps,长时漂移小于100ps/min,峰值电压和脉冲宽度抖动小于1%。通过对改进脉冲电路的充电形式,实现了重复频率为60kHz的脉冲输出。     

盖革模式雪崩光电二极管的场效应管淬灭电路设计

雪崩光电二极管(Avalanche Photondiode,APD)是一种常用于激光探测领域的光敏元件.本文针对盖革模式雪崩光电二极管(Geiger Mode-Avalanche Photondiode,Gm-APD)工作时发生的雪崩效应,设计了一种场效应管淬灭电路(Field Effect Transistor Qu...     

基于脉冲信号上升/下降沿的雷达辐射源识别

提出了利用雷达脉冲信号上升/下降沿进行辐射源识别的思路。首先分析了脉冲调制器中分布电容对上升/下降沿的影响,然后进行计算机仿真,对脉冲信号的测量实验验证了仿真结果。实验室实验和计算机仿真结果表明脉冲信号上升/下降沿可以作为识别雷达辐射源的特征参数。     

一种基于外部特性的晶体管电路模型的构建方法

晶体管外部特性是指输入侧电压与电流间的关系和输出侧电压与电流间的关系.对晶体管放大电路中的晶体管输入/输出端口及其外部电路的电压-电流间关系进行图解分析,得到解的数学描述,再对微变增量用微分量代替,从而获得晶体管端口电压电流间的线性描述.使用基尔霍夫电压定律及电流定律对该线性描述进行解读之后,选用线性电阻、恒压源和受控电流源作适当连接,形成与解读结果相一致的反映放大电路中晶体管端口实际变量关系的电路模型.用于晶体管放大电路静态分析和动态分析的晶体管电路模型是这一模型的特殊情况.