采用SOI衬底的PH传感器

采用SDB/SOI材料制备ISFET型pH传感器,减少了衬底漏电,从而改善了pH传感器的温漂、时漂等特性。这种结构对pH传感器是有实用意义的。     

智能马桶系统中尿液pH值检测系统

介绍了人体尿液pH值检测系统。其中包括选择新型的离子敏感场效应晶体管（ISFET）电极测量pH值，ISFET电极的结构和特点，H^＋－ISFET在智能马桶系统pH值测量中的实现，以及PC机对采集所得的历史数据记录的处理。     

基于pH-ISFET片上系统的研究

采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMOS工艺流片,整个芯片面积2mm×2.5mm,工作电压3.3V.在标准CMOS工艺代工的基础上,设计并实现了合理的后续工艺流程.微传感系统获得53.65mV/pH的灵敏度和很好的线性度.由此说明,把ISFET微传感阵列与集成电路集成在单个芯片上构建智能型片上系统(SOC)是完全可能的,应用前景良好.     

离子敏场效应管传感器信号处理技术

本文介绍了离子敏场效应管传感器(ISFET)的模似信号和软件数字信号处理技术,所述方法可用于各种ISFET的信号检测处理中。     

基于DSP的新型pH值和离子浓度测量控制系统

介绍一款新型pH值和离子浓度的测量控制系统。该仪器用离子敏场效应晶体管(ISFET)作为传感器来测量离子浓度。当用户使用H 敏感膜时,就可以确定溶液的pH。该仪器可和上位机进行通信,其系统具有人机交互界面良好、动态响应快、可靠性高、线性范围宽、实时性好等特点。     

海水淡化中的pH在线检测技术综述

pH是保障海水淡化系统正常运行和水质是否合格的重要指标,pH在线检测技术主要有电化学法和分光光度法。在海水淡化中主要应用基于pH玻璃电极的电化学法,但存在电极污染、干扰、腐蚀、维护等问题。为解决上述问题,总结了电极自清洗、抗干扰、防腐蚀、在线维护等措施,提高了pH测量的稳定性和可靠性。讨论了海水淡化中pH在线检测新技术：基于pH—ISFET的电化学法和基于光纤pH传感器的分光光度法。并展望了海水淡化中pH在线检测技术的发展趋势。     

ZrO_2栅PH值敏感场效应晶体管

引言在PH值敏感场效应晶体管中(PH-ISFET)Si_3N_4薄层常被用作栅薄膜。然而,由于PH值测量有着十分重要的意义,所以对其它薄层,如氮化物、氧化物薄层也进行了研究。 ISFET计量参数之有限的稳定期间是表明有必要对新型栅薄膜进行研究的诸因素之一。应该指出,栅薄膜不同,相应的ISFET栅电压对PH值的依赖关系之线性范围也就不同。同时,研究ISFET薄膜也是研究薄层特性的一个合适的方法。本文给出了用蒸镀法制备的ZrO_2薄层作为ISFET栅极的(实验)结果。这样的场效应管有着优良的灵敏度稳定性,其值与由     

化学敏感场效应管

化学敏感场效应管(CHEMFET)是一种化学敏感半导体器件.1970年,Bergveld最先报导了这种器件;1972年,他又详细地介绍了氢离子和钠离子敏感场效应管.十多年来,CHEMFET获得了较大的发展,特别是对离子敏感场效应管(ISFET)已作了大量研究.目前     

新式微型化学传感器

今天,测定化学量的微型传感器的进展应归功于微型平版印刷技术。采用这一技术,可制出多种类型的固态化学敏感元件。这一技术亦可用于制造微处理器和其他集成电路芯片。化学敏场效应管化学敏场效应管(CHEMFET),或离子敏场效应管(ISFET)的结构如图1所示。电压施加在源极、漏极两端点上,电源的大小由栅极调节。在通常的场效应管     

不同氧化剂对6H-SiC化学机械抛光的影响

选用胶体SiO₂纳米颗粒为磨粒,研究不同pH值条件下高锰酸钾和双氧水两种氧化剂对6H-SiC晶片化学机械抛光的影响,并使用原子力显微镜观察抛光后表面质量。采用Zeta电位分析仪分析溶液中胶体SiO₂颗粒的Zeta电位,采用X射线光电子能谱分析SiC抛光表面元素及其化学状态。结果表明：SiC晶片的材料去除率随pH值变化而变化,采用高猛酸钾抛光液抛光时,材料去除率在pH 6时达到峰值185 nm/h,R_a为0.25 nm;采用双氧水抛光液抛光时,材料去除率在pH 8时达到峰值110 nm/h,R_a为0.32 nm。pH值低于5时,电负性的SiO₂颗粒会通过静电作用吸附在带正电的SiC表面,抑制SiC晶片表面原子的氧化及去除,降低材料去除率;pH值高于5时,SiO₂颗粒在双氧水抛光液中的静电排斥力弱于高锰酸钾抛光液中静电排斥力,从而影响了SiO₂颗粒的分散性能,降低了抛光效果。采用高锰酸钾抛光液抛光后,SiC晶片表面的Si-C氧化产物含量（Si-C-O、Si₄C_4-xO₂和Si₄C₄O₄）较高,高锰酸钾抛光液的氧化能力较强。