军用微电子抗高过载技术研究浅述

探讨了过载、高过载概念的基本内涵，阐述了军用微电子抗高过载技术研究的主要内容和研究方法，介绍了抗高过载研究的初步结果，说明了抗高过载研究的重要意义。     

片式多层陶瓷电容失效模式研究

介绍了片式陶瓷电容的基本结构和材料特性及其常见的短路、开路和参数漂移失效模式;分析了失效的主要原因.结合工程实践,从器件选型、用前筛选、版图及结构设计和装配工艺选择等方面,给出了提高多层陶瓷电容使用可靠性的建议.     

高过载姿态测量中MEMS陀螺失效模式与研究进展

高过载条件下姿态测量是一个公认的难题,其原因主要是角速度传感器难以经受高过载的冲击。基于微机电系统（MEMS）技术的陀螺作为解决高过载姿态测量问题的核心器件,其抗高过载能力直接制约着惯性导航系统在高过载环境中的应用。首先,介绍了弹药发射和侵彻两种典型高过载环境的特性,概括了在高过载环境中MEMS陀螺的响应类型;其次,总结了高过载条件下MEMS陀螺的失效模式,包括完全失效和功能性失效;然后,介绍了国内外在抗高过载MEMS陀螺方面的研究进展;最后,分别从器件设计和工程应用角度出发,提出了MEMS陀螺抗高过载的设计方法和应用思路。     

高g冲击载荷下多层陶瓷电容结构失效分析

基于弹性力学和有限元方法对冲击载荷作用下多层陶瓷电容力学响应开展了理论和数值仿真计算。结果表明:由于自身结构特点,冲击载荷下电容易出现应力集中,基板变形对电容失效影响较大,分析了各工况下电容内部易失效位置及失效机理,其主要破坏特征为焊锡开裂造成脱焊。     

高过载下推进剂药柱测量系统的研究

在高过载环境下推进剂药柱会产生轴向形变并对药壳产生挤压应力，目前对其研究主要集中在理论方面，对药壳的挤压应力和推进剂药柱轴收缩长度测量基本属于空白阶段，针对上述问题，研制了一种测量高过载下药柱蠕变特性的系统，利用应变片和PSD位置传感器，实现了对高过载下药柱压力和位移的测量。最后对测量系统分别进行了静态标定和模拟瞬 间高过载的过载冲击试验，试验结果表明:该系统具有测量精度高、可靠性强的特点。     

长寿命军用HIC的研究

本通过对军用ＨＩＣ主要失效模式的分析,指出有源器件失效、引线键合缺陷及沾污是引起军用ＨＩＣ失效的主要原因,提出提高军用ＨＩＣ寿命的有效措施。     

耐高冲击过载电容式微加速度计设计

针对近年来常规弹药制导化改造对经历高动态环境的加速度传感器的迫切需求,该文设计了一种抗高过载、低量程的微机电系统(MEMS)电容式加速度传感器。该加速度传感器使用4组折叠梁组对可动结构进行支撑,并带动其在敏感方向移动,同时敏感结构采用差分式电容检测结构和叉齿止档限位结构方案,降低了结构受冲击时的区域应力,提高了输出信号增益及传感器灵敏度。理论计算和有限元分析结果表明,传感器轴向灵敏度为0.22 pF/g(g=9.8 m/s²),可承受轴向幅值为3×10⁴g、脉宽约8 ms的加速度冲击。     

电容层析成像传感器有限元分析及参数优化

以12电极油水两相流电容层析成像系统为研究对象,介绍了电容层析成像的基本原理,利用有限元模型分析传感器各个参数如电极的长度、管壁的厚度、管道与屏蔽罩间的填充材料、径向电极等对其性能的影响,对传感器的结构参数进行选取,并提出评价函数,结合正交方法进行优化,使系统的性能得到明显的改善.     

MCM-C耐高过载试验研究

在第二组试验中已通过金属板加固解决了薄盖板耐高过载能力不足的问题，本组试验试图采用金属盖帽将LTCC基板盖入其中，使试验过程中存在的叠加冲击和多次冲击作用主要施加在坚固的金属盖帽上，而不是直接施加在相对脆弱得多的LTCC基板上，从而可以通过保护LTCC基板来提高电路的耐高过载水平。     

SMD石英晶体抗高过载性能的研究

为了研究SMD石英晶体的抗高过载能力,采用自由式霍普金森压杆对7050、6035、5032、3225、3225(一级加固)、3225(二级加固)六种型号SMD石英晶体进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,在高过载条件下,SMD石英晶体的抗高过载性能随尺寸减小而不断提高,并且产品经历高过载环境后电气参数的不良率逐步降低。未经过加固处理的各型号SMD石英晶体(7050、6035、5032、3225)经过高过载试验(50 000~80 000 g)后,电气参数均出现超差,不能满足武器系统的要求。经过加固处理的SMD石英晶体样品(3225一级加固、3225二级加固)经过高过载试验可以正常工作。     

基于参数回归分析的金属化膜脉冲电容器竞争失效分析

金属化膜脉冲电容器既有突发型失效又有退化型失效.通过分析金属化膜脉冲电容器的退化失效机理,在假设突发失效与退化失效相关的条件下,给出了基于参数回归分析的电容器竞争失效的一般模型,最后利用该模型对某金属化膜脉冲电容器的试验数据进行可靠性分析.根据评估结论,该电容器打靶10 000发的可靠度为0.798 6.该模型为竞争失...     

钽电解电容器的失效及对策

介绍了钽电解电容器的常见失效模式，结合我厂军品电源模块使用的CAK45钽电解电容器，进行了失效率估算，并对钽电解电容器使用中常见的失效模式提出了具体的预防对策，最后对钽电解电容器的加速寿命试验结果进行了分析。     

高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。     

片式高压多层瓷介电容器最新进展

片式高压多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的研制生产水平已达额定直流电压０．５～２０ｋＶ。额定交流电压２２０～１１００Ｖ，标称电容量范围为：０．５ｐＦ～０．１５μＦ（Ｃ０Ｇ），４７ｐＦ～２．２μＦ（Ｘ７Ｒ）。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ＭＬ－ＣＣ在Ｖ－Ｃ、ＴＶＣ（温度、偏压、容量关系）、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求，设计制造技术有独到之处。高压ＭＬＣＣ的包装和使用须严格控制工艺过程。     

运算放大器在高ESD应力作用下的失效模式和失效位置研究

本研究以常用的运算放大器之一LM741为例进行了高ESD应力条件下的运算放大器的失效研究,研究通过物理观察和电学测试的手段考察了LM741失效位置及失效模式与ESD击打模式之间的关系。研究表明,不同的应力击打模式均造成几种相同的失效位置和模式,而且对失效部位的物理观察发现：所造成芯片上的失效并非在芯片上的电路的单元内部,而在于电路的各个单元之间的绝缘层或者是连接电路单元的金属连线,这一发现为下一步ESD的失效建模和仿真提供了重要的试验依据。     

特种电真空器件在环境应力下的失效分析

介绍了特种电真空器件在振动应力下所引发的故障模式，分析了可能导致故障的原因，并对产品设计中如何提高耐环境应力问题提出了相关的方法和建议。     

大容量液体钽电容器高温负荷时失效机理研究

对CA35型160 V/47μF液体钽电解电容器进行2 000 h/85℃高温负荷耐久性试验。通过对失效样品的电性能的测试及对样品阳极钽芯表面氧化膜的结构变化的SEM分析,探讨了其失效机理。表明在高温负荷条件下,由于场致晶化和热致晶化的作用,Ta2O5介质膜由无定形态转化为结晶态,介质膜结构发生畸变是引起产品失效的主要原因。     

开关稳压电源用铝电解电容器的失效机理

概述了开关稳压电源用铝电解电容器的工作状态和失效模式，着重讨论了开关稳压电源用铝电解电容器的开路失效和击穿失效机理。     

电子镇流器中电容器失效分析

简述了电子镇流器的工作原理,分析了几种电容器失效的模式并进行了机理推测,通过试验分析和实体分析,得出失效的主要原因有:电容器的Res值偏大、纹波电流过载、有害杂质的破坏、铝箔变性、阴极箔水合作用及电网电压异常波动等因素,最后提出了改进电容器性能的措施。