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介绍了块体纳米材料的各种制备技术概况,指出了纳米材料要真正实现大面积应用和形成产业化的关键是在于实现块体纳米材料制备技术上的真正突破,即高质量、无微孔隙的块体纳米材料的制备技术上要形成真正突破。提出了这些制备技术所存在的问题和未来应该发展的方向。 相似文献
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纳米材料及其制备与应用 总被引:10,自引:0,他引:10
随着现代科学技术的发展,纳米材料及技术正不断地渗透到各个科学领域,社会对纳米材料的需求越来越大,特别是其制备方法日益成熟和完善,使纳米技术在现代科学中占有越来越重要的地位。本文较为详细地综述了纳米材料的发展、基本特征、制备方法及其在各科学领域中的应用。 相似文献
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纳米材料的纳米晶粒和高浓度晶界特征以及由此而产生的小尺寸量子效应和晶界效应,使其具有特殊的力、电、磁、声、光等性能。晶粒尺度在1~100nm范围内的金属纳米材料具有强度、硬度高,韧性好、损耗低,比热高,磁化率高、矫顽力高等特性,是具有广阔应用前景的新型材料。综述了目前国内外低维纳米材料的制备方法、表征技术和研究成果,并对这些方法和成果进行了比较研究,着重介绍用这些方法所制备的金属纳米材料及其在科学领域中的应用。 相似文献
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一维SiC纳米材料由于具有独特的电学、光学及力学性能,在新型纳米光电子器件、生物医学传感器、储能和材料增韧等领域拥有广阔的应用前景。介绍了基于气相-液相-固相(VLS)、固相-液相-固相(SLS)、气相-固相(VS)和氧化物辅助生长的生长机制(OAG)制备一维SiC纳米材料的方法,并分析了各种方法的特点。一维SiC纳米材料的制备方法主要存在以下几个问题:(1)工艺过程中温度高(模板法、激光烧蚀法、电弧放电法、热蒸发法、碳热还原法)或压力大(溶剂热法),涉及过程复杂;(2)产物中常含有金属杂质(如金属气-液-固(VLS)催化生长法)或表面包覆SiO2层(激光烧蚀法、电弧放电法、碳热还原法),形貌不均一;(3)产量低(模板法、溶剂热法)。这些问题制约了高纯一维SiC纳米材料的制备及其本征性能的研究,也不利于实现一维SiC纳米材料的规模化生产。因此,发展新型低成本高纯一维SiC纳米材料的制备技术对于推动一维SiC纳米材料的研究、规模化生产以及在相关高科技领域中的应用具有十分重要的意义。 相似文献
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纳米材料具有多种优异的性能,有广泛的应用前景。在综合了纳米材料的性能,结构及其制备的基础上,着重论述了纳米材料在冶金工业的应用前景。提出了冶金工业推广应用纳米材料值得重视的若干问题。 相似文献
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主要综述了WO3纳米线、WO3纳米棒、WO3纳米带和WO3纳米管的化学法制备技术及研究现状。对纳米WO3研究的发展趋势进行了展望。 相似文献
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纳米氧化镍具有尺寸小、比表面积大和化学活性高等特点,其应用比较广泛,国内外对纳米氧化镍的制备方法有很多研究。本文主要综述了化学法(沉淀法、溶胶—凝胶法、固相法、微乳液法、超声波分解法、熔盐法等)制备纳米氧化镍的研究现状及其优缺点,并对纳米氧化镍的研究发展趋势进行了展望。 相似文献
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