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从发明专利看无铅压电陶瓷的研究与发展--无铅压电陶瓷2O年发明专利分析之一 总被引:12,自引:1,他引:11
无铅压电陶瓷的研究与开发已引起世界各国的高度重视.本文综合分析了近20年无铅压电陶瓷发明专利约140篇,从发明专利角度评述了无铅压电陶瓷的研究与发展现状,简要介绍了目前受到广泛研究的BaTiO3(BT)基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷及铌酸盐系无铅压电陶瓷,并侧重介绍这些无铅压电陶瓷的组分、性能和制备方法.从无铅压电陶瓷发明专利的进展可以看出,在过去20年中,为促进人类社会的可持续发展,无铅压电陶瓷得到了广泛的研究和开发,并取得重要进展. 相似文献
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通过固相合成法制备CaxSr1-xBi4Ti4O15(x=0.3,0.4,0.5)无铅压电陶瓷,通过XRD、SEM等测试方法对粉体及陶瓷进行了分析与表征,并利用HP4294网络分析仪、d33准静态测试仪等分析了相关性能随X的变化关系。分析表明,利用固相法合成钛酸铋锶钙粉体的较好温度为850℃,钛酸铋锶钙陶瓷的较好烧结温度为1210℃,密度为6.821g/cm^3,达到理论密度的91%,x=0.4时,压电常数达到22×10^-12C/N。 相似文献
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从发明专利看无铅压电陶瓷的研究与发展——无铅压电陶瓷20年发明专利分析之一 总被引:6,自引:0,他引:6
无铅压电陶瓷的研究与开发已引起世界各国的高度重视。本文综合分析了近20年无铅压电陶瓷发明专利约140篇。从发明专利角度评述了无铅压电陶瓷的研究与发展现状,简要介绍了目前受到广泛研究的BaTiO3(BT)基无铅压电陶瓷、Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷及铌酸盐系无铅压电陶瓷,并侧重介绍这些无铅压电陶瓷的组分、性能和制备方法。从无铅压电陶瓷发明专利的进展可以看出,在过去20年中,为促进人类社会的可持续发展,无铅压电陶瓷得到了广泛的研究和开发,并取得重要进展。 相似文献
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Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti系列高温压电陶瓷材料及其压电性能的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好的Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4Ti4O15,是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料. 相似文献
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研究了在(Pb0.92Sr0.08)(Zr0.52Ti0.48)O3基体中引入Bi4Ti3O12压电第二相后复合陶疱的微观结构、力学性能以及电学性能。复合化提高PZT基陶瓷的断裂韧性;而且可有效地控制复合化引起的压电性能的下降。 相似文献
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Ryu J Baek CW Lee YS Han G Oh NK Kim JW Hahn BD Yoon WH Choi JJ Park DS Jeong DY 《Journal of nanoscience and nanotechnology》2012,12(2):1147-1151
We fabricated and characterized the magnetoelectric (ME) properties of 3-0 ME composite materials comprised of the high piezoelectric voltage coefficient material, 0.9Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-0.1 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 + 0.005Mn (PZT-PZN), and the magnetostrictive material, Ni0.8Zn0.2Fe2O4 (NZF). As the ME effect is generated by the product coupling between the piezoelectric properties and the magnetostrictive properties, the NZF content should be optimized for a higher ME coefficient. The dielectric constant and spontaneous polarization (P) were decreased with increasing NZF content before the percolation of the NZF particulates. However, as the NZF content exceeded the percolation content, the dielectric loss was dramatically increased due to the low resistivity of NZF. While the piezoelectric constant was decreased with increasing NZF content, the maximum magnetization was linearly increased. When we combined the piezoelectric and magnetostrictive effects, the ME composite sintered at 1200 degrees C with 20% NZF showed a maximum dE/dH of 27 mV/cm x Oe at a magnetic bias of 1240 Oe. 相似文献
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将位于同型相界附近的固溶体系9.91PZN-0.09PT作为一个组元,与同样位于准同上界的另一个组元Pb(Zr0.53Ti0.47)复合形成新的压电陶瓷体系(1-x)(0.91PZN-0.09PT)-xPb(Zr0.53Ti0.47)O3,实验结果表明新体第具有更好的压电,介电性能,对样品退火处理后,发现压电,介电性能有较大提高,Kp最高达到73%,d33最高达到570pc/N。 相似文献
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采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究.结果表明,Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃.当Sm2O3掺杂量为0.02wt%~0.1wt%时,样品具有典型ABO3型钙钛矿结构.Sm2O3掺杂量为0.02wt%时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590 pC/N、0.52、43、1.3%和3372. 相似文献
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PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷, 并通过添加MnO2、Sb2O3和Cr2O3以及改变Zr/Ti比来达到提高K p和Q m的目的. 同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析. 实验结果表明: 在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下, 添加少量的MnO2、Sb2O3和一部分Cr掺杂, 得到综合性能优良的压电材料: 室温下介电常数ξ33T/ξ0=1669, 压电常数d33=285×10-12C/N, 机械品质因数Q m=2179, 机电耦合系数K p=54.9%, 介电损耗tanδ=0.4%. 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求. 相似文献
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压电陶瓷多层膜的低温共烧特性及压电性能密切依赖于其成分。采用调节压电材料成分,以0.90Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.05Pb(Zn1/3Nb2/3)O3四元体系为研究对象,同时添加烧结助剂CuO来实现多层膜的低温烧结。对多层膜的流延、排胶、烧结、极化等工艺进行探索以优化工艺参数,最终获得850℃烧结温度下的高致密度多层压电陶瓷。压电性能的测试表明三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33达873pC/N,远高于同成分单层陶瓷306 pC/N的d33值。采用多普勒激光测振仪进行扫频实验,测定了多层陶瓷纵向振动速度的频谱,确定了基于该多层膜压电振子的最优谐振频率。 相似文献
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