一维硅纳米材料形貌的研究

一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料,由于其形貌不同,导致的电学等特性也不相同,因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一.一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等,同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同.评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法.     

硅中氮离子注入的研究进展

综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展。主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能；介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原子扩散等方面的研究和应用。     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求，同时比较了分子速外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学上淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

一维纳米材料的研究进展

近年来，一维纳米材料倍受人们的关注，其研究也取得了突破性的进展。本文概述了一维纳米材料的研究进展，详细讨论了其分类、制备方法、表征手段。最后扼要介绍了其在各个领域的最新应用。     

一维Si纳米材料的研究进展

基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值.通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连.综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展.     

一维纳米材料的研究进展

一维纳米材料因其优异的光学、电学及力学性能等特性而引起了凝聚物理界、化学界和材料界科学家们的关注,近年来成为纳米材料研究的热点.综述了一维纳米材料的种类,常用制备方法;介绍了一维纳米材料制备的最新进展,以及一维纳米材料的应用.     

一维碳化硅纳米材料的研究进展

介绍了具有一维纳米结构的碳化硅(SiC)如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法,着重介绍了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机理,并对这几种方法的优缺点进行了分析,指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向.     

One-dimensional nanostructures of ferroelectric perovskites

Nanorods, nanowires, and nanotubes of ferroelectric perovskites have recently been studied with increasing intensity due to their potential use in non-volatile ferroelectric random access memory, nano-electromechanical systems, energy-harvesting devices, advanced sensors, and in photocatalysis. This Review summarizes the current status of these 1D nanostructures and gives a critical overview of synthesis routes with emphasis on chemical methods. The ferroelectric and piezoelectric properties of the 1D nanostructures are discussed and possible applications are highlighted. Finally, prospects for future research within this field are outlined.     

热电纳米材料的研究进展

随着热电材料制备技术和性能研究的发展,热电纳米材料越来越受到人们的关注.介绍了几种有应用潜能的热电纳米材料的研究进展,指出了有关热电纳米材料研究存在的主要问题和其可能的发展方向.     

纳米氧化锌材料的最新研究和应用进展

综述了纳米氧化锌材料的表面修饰和改性、特殊形态纳米氧化锌材料的制备和性质、纳米氧化锌材料新的开发和应用前景等,指出了目前存在的一些问题和可能的发展趋势.     

图形化硅纳米线阵列的制备

本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.     

Nano-Structure Observed in Highly Doped Silicon Crystalline

It was reported that due to the non-linear electrical phenomena,the super-saturated arsenic insilicon single crystalline precipitates during post processing at low temperatures to form differentstructures.The structure with spatial period of 1.7 to 2.3 nm was observed firstly by TEM on thesample.     

硅纳米线的制备与生长机理

硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料.本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气-液-固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固-液-固生长机理等作了较为详尽的论述.     

Hybrid Anodic and Metal‐Assisted Chemical Etching Method Enabling Fabrication of Silicon Carbide Nanowires

Silicon carbide (SiC) is one of the most important third‐generation semiconductor materials. However, the chemical robustness of SiC makes it very difficult to process, and only very limited methods are available to fabricate nanostructures on SiC. In this work, a hybrid anodic and metal‐assisted chemical etching (MACE) method is proposed to fabricate SiC nanowires based on wet etching approaches at room temperature and under atmospheric pressure. Through investigations of the etching mechanism and optimal etching conditions, it is found that the metal component plays at least two key roles in the process, i.e., acting as a catalyst to produce hole carriers and introducing band bending in SiC to accumulate sufficient holes for etching. Through the combined anodic and MACE process the required electrical bias is greatly lowered (3.5 V for etching SiC and 7.5 V for creating SiC nanowires) while enhancing the etching efficiency. Furthermore, it is demonstrated that by tuning the etching electrical bias and time, various nanostructures can be obtained and the diameters of the obtained pores and nanowires can range from tens to hundreds of nanometers. This facile method may provide a feasible and economical way to fabricate SiC nanowires and nanostructures for broad applications.     

硅纳米管的理论及制备研究进展

硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.