掺铬砷化镓汽相外延

使用 Ga/As Cl_3H_2系统,以 CrO_2Cl_2作掺杂剂生长半绝缘掺铬GaAs 外延层,电阻率的数量级可达10~8欧姆·厘米。这表明铬起着深能级受主的作用,其激活能为0.57电子伏,约可补偿浓度为10~(16)厘米~(-3)的浅能级施主。载流子浓度为1.2×10~(17)厘米~(-3)、迁移率为5200厘米~2/伏·秒的掺硫 n 型层可在一次试验中连续生长在半绝缘外延层上。边界层陡峭适用于场效应晶体管。     

高性能高密度平面碲锡铅探测器阵列

在PbSnTe衬底上用液相外延生长铅-锡碲层并通过很好限定的氧化物窗进行杂质扩散,已制备成可再现的高质量光伏探测器。外延层的载流子浓度约为4×10~(16)厘米~(-3),衬底的约为5×10~(18)厘米~(-3)。代替光致抗蚀剂作绝缘层用的氧化物层没有针孔并很好地附着在PbSnTe表面上。采用标准光刻和扩散技术制成了平面单片探测器阵列。在77K时,124(2×2密耳)元阵列的平均阻抗-面积乘积为1.85欧·厘米~2。在300K背景和180°视场时,在11微米不加增透膜情况下的平均量子效率和峰值探测度(D~*)分别为40％和2.6×10~(10)厘米·赫~(1/2)/瓦。     

采用离子注入技术的超高频硅晶体管

据报导,日本东芝公司采用离子注入技术制成一种超高频硅晶体管。其制造程序和工艺过程如下:1.在电阻率为0.005欧姆·厘米的 N~+硅层上,制作厚度约4微米、电阻率为10欧姆·厘米的 N~-层,作为基片材料。     

溅射的碲镉汞光电二极管

在汞等离子体装置中进行三极溅射制成了红外(Hg,Cd)Te光电二极管探测器。采用共溅射技术,用加偏压的金属(金或铝)辅助靶,形成了p型和n型材料。用此法制得了2～14微米光谱区的高灵敏的异质结和同质结二极管。在10.6微米时,约2×10~(-3)厘米面积的光电二极管工作于77K时,呈现的比探测度D_λ~*(10.6,900赫,1赫)为1.5～4×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1),零偏压下的电阻-面积乘积在1.2～3欧·厘米~2,外量子效率为55～60％。在10~5赫频率下测得的噪声电平约10~(-9)伏·赫~(-1╱2)。     

热蒸发制备高质量透明氧化铟导电薄膜

从置于低氧压真空中的 In+In_2O_3源里,借助热蒸发技术已制成高透射率(在可见光范围内透射率超过90%)和高导电性(电阻率(?)2×10~(-4)欧姆·厘米)的氧化铟(非掺杂)薄膜。其特性可与曾报导过的最佳的掺锡氧化铟薄膜相媲美、甚至更好,并有极好的重复性。虽然电子浓度相当高(≥4×10~(20)/厘米~3),但霍尔效应测量表明:低电阻率主要是良好的电子迁移率((?)70厘米~2/伏·秒)所致。X 射线衍射测量清楚地表明:多晶氧化铟结构具有一个从10.07到10.11埃的晶格常数范围。电解质电反射率光谱至少显示出四个临界跃迁。根据这些跃迁我们确定了直接与间接的光学能带隙(分别为(?)3.56和2.69电子伏特)。同时还观察到导带电子密度所致的 Burstein 位移。文章就上述及其他结果与工艺过程细节的讨论一道报导。     

C轴取向ZnO压电薄膜的制备

本文扼要叙述用直流溅射法制备具有较高电阻,C轴取向好的ZnO压电薄膜的方法.沉积条件为:溅射电流密度J=1.2—1.5毫安/厘米~2,溅射气压P=6×10~(-2)—1×10~(-1)毛,基片温度Ts=160—280℃,沉积速率V=0.1—0.4微米/小时,得到的薄膜洁净透明,分散度α<6°,偏离度M≤3°,电阻率ρv=105—10~7欧-厘米,粒度300—500埃.并探索了温度,基片位置,气体组分对薄膜性能的影响.     

质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器

本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压电阻。这些二极管在4.9微米时的典型峰值探测度在2π,300°K 背景条件下大于3×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,所观察到的最大值是10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦。已观察到接近35％的二极管量子效率。     

新的多层电极——铝-镍-金

目前为了把铝-镍-金应用到高频晶体管中去,已尝试制做薄的铝-镍-金多层电极。结果,下列因素已经清楚,而且具有实用价值。 (1)这些电极与梁式引线型电极相比,更容易制造。它们可以容易地形成精确的图形,它们的宽度和间距是2微米。 (2)不管杂质类型如何,如果扩散的杂质表面密度不小于1×10~(20)厘米~(-3)的话,都可以得到10~(-6)欧姆·厘米~2这样低的接触电阻。 (3)即使对于浅的泡发射极(它的深度为0.2微米)也可以使形成的欧姆接触具有一个低的电阻。     

8～14微米用增透涂层

锗在2.0到11.5微米的宽光谱范围里透过率高,它复盖了常用的3～5、8～12微米两个大气窗口,本征吸收十分低,折射系数高,色散小,MTF好,机械物理性能好,光学性能各向同性,因而常用来作红外光学元件。在30℃以下锗的自由载流子吸收非常低,Harshaw化学公司曾测得电阻率为12.1欧姆·厘米的n型锗,在10.6微米处的吸收系数为0.017±0.002厘米~(-1);Eagle Pi-tcher公司的20欧姆·厘米n型锗,在10.6微米处的吸收系数为0.027±0.004厘米~(-1),     

镥二酞花青膜的阴极电致变色显示

一种迁移界面的技术研究了在绝缘基片上镥二酞花青膜的阴极电致变色显示。通过金接触注入电子以及从液体电解质注入阳离子发生了反应。在含水或有机的碱金属盐溶液中形成淡蓝色生成物,而在盐酸的水溶液中形成深紫色生成物。深紫色材料的载流子迁移率为8×10~(-7)厘米~2/伏×秒并且估计体电阻率为1800欧姆-厘米。还原着色看来象是固态的阳离子导体。     

用电子束微探针测定Cd_xHg_(1-x)Te的均匀度和克分子浓度x

1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)(λ=10微米)、时间常数τ≤1微秒的探测器,工作温度T=77K时,得用载流子浓度n<10~(15)厘米~(-3)、霍尔迁移率μ_H>100000厘米~2·     

四象限和三色碲镉汞探测器

10.6微米四象限光伏探测器,量子效率(零偏压)48％,带宽(100毫伏偏压)>100兆赫,D~*(10.6μ,10千赫、零偏压)1.2×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1),串联电阻10欧,并联电阻806欧,工作温度77°K,单元尺寸0.2×0.2毫米,间隔0.025毫米。三色光导探测器性能如下:     

N/P~+硅外延生长

我们采用 SiCl_4/H_2体系以 PCl_3作汽相掺杂剂,在水平反应器中对 n/p~+硅外延进行了研究。利用衬底背面迁移掩蔽和二步外延生长工艺,较好地抑制了来自重掺硼(0.5～1.5×10~(20)厘米~(-3))衬底的自掺杂效应。稳定地制备了厚度5～8微米、电阻率1～3欧姆·厘米、过渡层小于0.8微米、均匀性较好的 n 型外延层。生长的 n/p~+外延材料用于制作穿通二极管,外延 p-n 结特性好。已作出12千兆赫下输出34毫瓦的穿通二极管。     

锆-铝消气剂的吸气性能及其在行波管中的初步应用

本文扼要叙述了非溅散锆-铝消气剂的特性。通过对它的吸气量和吸气速率的实验测定,表明了在300～700℃范围内,它的吸气性能是令人满意的。对空气而言,在700℃,1×10~(-6)乇时,吸气速率约为310厘米3/2厘米~2·秒。700℃时的吸气量达1.0×10~(-1)～1.4 ×10~(-3)厘米~3·乇/2厘米~2。实验用的锆-铝消气剂是采用氢化锆粉(84％)与铝粉(l6％)配制而成。锆-铝合金的生成是在真空烧结过程中,除了有铝的局部蒸发以外,还由于氢化锆的分解,不断放出氢气而形成的,因而使得消气剂涂层更富于多孔性和更为清洁。邮电部北京506厂,将由Zr与Al直接熔炼而成的Zr-Al消气剂运用于行波管中,涂在灯丝托盘上,群频噪声显著下降,缩短了老炼时间,并且很大地简化了使用工艺,取得了初有成效的进展。本文最后展望了它的发展。     

1～3微米光谱区用(Hg,Cd)Te光电二极管激光接收器

各种组分的(Hg,Cd)Te灵敏高速光电二极管探测器已制成,用于1～3微米的光谱区。这些探测器工作于室温,量子效率为40～70％,比探测度由1.3微米波长的3×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦到3微米波长的5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。冷却光电二极管探测器可改进性能。在77°K下2.2微米波长的比探测度测得为2×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦,接近背景限。对探测器-前置放大器组件进行了响应时间测量,用的是0.9、1.06及1.54微米的脉冲辐射。响应时间约为10毫微秒,似乎与波长无关,但受RC乘积和放大器频带宽的限制。若光电二极管接一频带很宽的放大器,脉冲响应就被RC之积限制到0.5毫微秒,并测得另一时间常数(约为5毫微秒),据说它是由储存的载流子的渡越时间决定的。     

高D~*、快响应钛酸锆酸铅热电探测器

已制得D~*(500°K,1.1)=7×10~8厘米·赫~(1/2)/瓦的大面积PZT探测器和最小响应时间为5毫微秒的快速探测器。热电系数为27毫微库仑/厘米~2°K及对此器件测得的材料灵敏值为2.8×10~(-9)库伦厘米/焦耳。     

GaAs和GaAs_(1-x)P_x外延沉积的多片生长系统

本文描述了在多至8个衬底上同时沉积外延层的系统。在外延层中物理和电学特性均具有高度的均匀性。片内层厚的变化低于10％,而每炉片间层厚的典型变化为±5％。GaAs_(1-x)P_x薄层的组分变化无论是在片内或是每炉片间均低于±1％。用几种技术测定的电学数据表明片内和每炉片间具有极高的掺杂均匀性。对于轻掺杂的GaAs薄层在300°K下的迁移率>6000厘米~2/伏·秒,而且>7000厘米~2/伏·秒的迁移率也经常获得。本文中叙述了载流子浓度为1×10~(15)/厘米~3至3×10~(19)/厘米~3的n型和5×10~(16)/厘米~3至5×10~(19)/厘米~3的P型的材料制备工艺。     

1-3微米光谱区外延HgCdTe/CdTe光电二极管

已经成功地生长出用于1—3微米波段的有不同组分的HgCdTe/CdTe外延层。通过注入硼生长p-型层或两面注入生长p-型和n-型层以形成n~+/p结。在没有增透膜时,短波红外HgCdTe光电二极管的量子效率为55～56％。在室温下,截止波长为1.39微米的二极管,其零偏电阻—面积乘积(R_0A)是4×10~4欧姆-厘米~2。截止波长为2.4微米的光电二极管,在195K下,测量得的R_0A乘积同样是～10~4欧姆一厘米~2。二极管的R_0A乘积与能隙和温度的依赖关系,与受产生—复合模型限制的体晶的结果非常吻合。短波红外二极管的击穿电压可从12伏变到130伏以上,这要看Cd的组分(x)和本底载流子浓度而定。     

高频声表面波压控（调频）振荡器的研制

本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。     

R—600瓷料的试制

以BaTiO_3为基的BaTiO_3-La_2O_3·2TiO_2-SrTiO_3系统的R—600瓷料,性能稳定,介电常数ε≥750,介电常数温度系数α_c为-(4700±800)×10~(-6),介质损耗为(3～5.5)×10~(-4),抗电强度≥8KV/mm,比体积电阻为10~(12)Ω·cm以上,是生产小体积、高电压电容器的较为理想的陶瓷材料。 本文较详细地叙述了该陶瓷材料的配方试验、工艺探索及试验结果。