共聚物在不相容共混体系中界面行为的Monte Carlo模拟

用自由体积扩散(FVD)算法模拟了不同结构的共聚物在不相容熔融共混体系中的界面行为,模拟结果表明,加入少量共聚物后,共混体系的相分离程度明显降低,从其形貌来看,分散相相区尺寸变得更小,更分散.所有这些表明,加了共聚物作为增容剂后,共混体系的相容性有明显的提高.而交替共聚物比相应的二嵌段共聚物增容效果更好,与文献中报道的实验现象基本吻合.     

共聚物在不相容共混体系中界面行为的Monte Carlo模拟EI北大核心

用自由体积扩散 (FVD)算法模拟了不同结构的共聚物在不相容熔融共混体系中的界面行为 ,模拟结果表明 ,加入少量共聚物后 ,共混体系的相分离程度明显降低 ,从其形貌来看 ,分散相相区尺寸变得更小 ,更分散。所有这些表明 ,加了共聚物作为增容剂后 ,共混体系的相容性有明显的提高。而交替共聚物比相应的二嵌段共聚物增容效果更好 ,与文献中报道的实验现象基本吻合。     

高性能聚合物单链体系的Monte Carlo模拟

用计算机模拟３种共混体系：溶剂与溶剂、聚合物与溶剂、聚合物与聚合物。用计算机模拟滞物与淀剂的作用,是因为一些重要的性质直接与之相联系;选择溶剂、定义溶剂的混溶性、导出相图。这里研究不同的单体、不同的溶剂对高性能聚氨酯酰亚胺溶液中单链性质的影响;同时研究不同的软硬段的配比对体系的热力学量的影响,微相分离的变化,探索各组分结构参数对体系相容性的影响。     

共聚物在不相容共混体系中界面行为的MontCarlo模拟

用自由体积扩散算法模拟了不同结构的共聚物在不同相容熔融共混体系中的界面行为,模拟结果表明,加入少量共聚物后,共混体系的相分离程度明显降低,从其形貌来看,分散相区尺寸变得更小。     

高分子共混相分离的蒙特卡罗模拟：相形态和构象性质的研究

本文在L×L=44×44的二维晶格元胞中用蒙特卡罗模拟的方法,研究了二元对称聚合物共混所发生的相分离。在模拟中引入了蛇行运动和自避无规行走。所得到的数值结果证明,不同分子链之间的排斥效应导致了相分离的发生和链尺寸的收缩。本文还讨论了相分离程度、表观相分离速度和高分子链段之间的相互作用。相形态和构象统计的数值结果表明,正如de Gennes所预言那样,链有些轻微溶胀,但却明显地分离。有趣的是链构象的计算表明,在两相平衡状态,链的平均尺寸与温度无关,此结果与Flory-Huggins近似相一致,但却与K.Binder的结论不一致。     

PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟

蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)和分子动力学是模拟薄膜生长的两种基本方法.本文结合各种PVD技术的工艺特点,介绍了薄膜生长的Monte Carlo模拟.详尽地总结了载能粒子沉积薄膜生长的Kinetic Monte Carlo模型和算法.最后指出建立精细的模型、算法并适当应用分子动力学是提高模拟可靠性的方法.     

室内扩散声场的Monte Carlo模拟方法

本文介绍了ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟室内扩散声场的原理，模拟计算了混响室声场中的能量密度衰减曲线、能量脉冲响应、平均自由程及吸声系数等。该方法原理简单，占用内存少，适应于模拟室内声场分布。     

聚砜改性环氧树脂共混体系相结构的控制

研究了双官能团环氧树脂（Ｅ５１，Ｅ３９）与聚砜（ＰＳＦ）共混体系，在用二氨基二苯基砜（ＤＤＳ）固化时相分离结构的控制，在反应初期为均相体系，随固化反应的进行，环氧的分子量增大，体系发生相分离，相差异微镜观察的结果表明，温度较低时相分离进行缓慢，遵循旋节相分离的机理，利用这一特点，在低温进行共混物预固化，调控反应程度，在环氧树脂达到不同的分子量时再行固化，电子显微镜（ＳＥＭ），红外（ＦＴＩＲ）分析，     

Monte Carlo方法模拟Landlot振荡反应

本文应用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法化学振荡反应进行了数值模拟，模拟结果与实验结果相当吻合，在此基础上，对Ｌａｎｄｌｏｔ化学振荡反应的机理以及化学平衡与振荡的关系进行了讨论。     

固化促进剂对环氧共混体系相结构的影响

加入促进剂三氟化硼－乙基胺使双酚Ａ缩水甘油醚型环氧树脂（Ｅ５１）／聚砜（ＰＳＦ）／二氨基本基砜（ＤＤＳ）共混体系迅速达到凝胶点，使相分离早期固定，易于获得平均径较小的共混物相结构，促进剂使固化反应速度提高与降低温度相分离速度降低对共混物相结构的影响具有一致性。     

物理气相淀积成膜的计算机模拟

运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。     

中和室脉冲进气的蒙特卡罗模拟及实验验证

对于中和室内的脉冲气体，用蒙特卡罗方法模拟了气体压力沿轴向的分布。并用模拟进气系统和气压瞬时测量系统，对模拟结果进行了验证。得到与模拟结果较为一致的曲线，从而为注入器真空系统的设计提供了可靠的依据。并通过实验结果，给出了气体靶厚的建立时间约为６０ｍｓ。     

基于蒙特卡罗模拟的高效边坡可靠度修正方法

传统的蒙特卡罗模拟方法在分析由于参数不确定性修正而引起的可靠度修正问题时效率较低。为此,提出了一种基于蒙特卡罗模拟的高效边坡可靠度修正方法,该方法主要包括2个关键步骤:1)根据参数初始分布利用蒙特卡罗模拟方法计算边坡的失效概率,并输出蒙特卡罗模拟的失效样本;2)利用参数统计特征值修正后的联合概率密度函数和蒙特卡罗模拟失效样本计算修正后边坡的失效概率。以两个边坡问题为例说明了所提方法的有效性。结果表明:所提出的方法在计算修正的失效概率过程中无需重新执行蒙特卡罗模拟,计算过程简单、计算效率高。此外,所提方法能够适用于隐式表达功能函数的边坡可靠度修正问题,并能够有效地解决单变量和多变量修正的边坡可靠度修正问题。     

剪切场下高聚物共混物相行为的研究进展

剪切场下高聚物共混物相行为的研究已成为高分子科学领域的一个焦点．现有的研究发现，剪切不仅会改善或降低体系的相容性并导致例如双浊点等复杂的相图现象，还会造成各向异性的相行为；理论研究认为，这与剪切场下体系热力学势发生改变以及应力同浓度的动态耦舍密切相关。本文从理论及实验的角度较为详细地回顾了近年来国际上该领域研究的进展，并展望了该领域的研究方向。     

用Monte Carlo法模拟纯铜的静态再结晶

利用Monte Carlo(MC)法进行了纯铜静态再结晶的二维模拟，通过监测存储能量的变化历程发现，当初始存储能量较低的时候，静态再结晶是以非均匀形核（晶界形核）的方式进行的，当初始存储能量充分高的时候，静态再结晶是以均匀形核（晶内形核）的方式进行的。初始存储能量较高的时候，能量释放的速率要比初始存储能量较低的时候的速率高，确定了区分均匀形核和非均匀形核的临界应变。     

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。     

联合分布函数蒙特卡罗模拟及结构可靠度分析

针对复杂极限状态方程可靠度计算问题,提出了基于理论联合分布函数以及2 种近似联合分布函数的结构失效概率蒙特卡罗模拟方法,并给出了计算流程图.采用2 个算例证明了所提方法的有效性.结果表明：所提的失效概率模拟方法的计算精度很高,尤其适用于复杂极限状态方程的可靠度计算问题.2 种联合分布函数近似构造方法得到的失效概率精度相当,近似方法与精确方法结果的差异随失效概率的减小而增大,而且随着变量间相关性的增加而增加.当失效概率小于10^-3时,近似方法的失效概率误差较大.