微波放大器

在以低噪声晶体管放大器为中心的微波低噪声放大器中,介绍了各种小功率和大功率放大器的现况。     

微波晶体管放大器

本文介绍了新研制的微波晶体管放大器的设计及性能。LD4085和它的高增益改进型 LD4085A 为2～4千兆赫的低噪声放大器。LD4024A 为一种对过于高的输入信号具有保护电路的 S 波段低噪声放大器。LD4093和 LD4094为1千兆赫频段的功率放大器。     

微波差分放大器

简述本文介绍一种微波差分放大器的设计方法。这种方法采用的是散射矩阵,它在微波频率是非常适用的,而且,差分放大器被看成是一个对称的有源八端网络。实验结果证明这种方法是可行的。最后,提一下这种放大器的应用。     

系列微波宽带放大器

介绍了反馈式放大器、平衡式放大器及行波式放大器等宽带放大器的工作原理,采用多种宽带电路结构设计制作了系列微波宽带放大器,进行了微波仿真,给出了设计过程及测试结果.频率覆盖2～18 GHz,分为2～8 GHz,4～8 GHz,8～12 GHz,12～18 GHz,6～18 GHz和2～18 GHz 6个品种,增益为10～30 dB,增益平坦度小于2 dB,输入输出驻波比小于2.5,1 dB压缩输出功率可达16 dBm.由于采用模块化设计,技术指标可以灵活调整,满足不同需要.该系列微波宽带放大器采用PHEMT管芯,微波薄膜工艺,封装在密封的金属盒体中,具有系列化、模块化和小型化的特点.     

宽带微波晶体管放大器

研制了六种宽带晶体管放大器.LD4015和 LD4048的频率范围分别为0.5～1千兆赫和1～2千兆赫,典型的小讯号增益分别为27分贝和24分贝。LD4015A 和 LD4048A 是上述型号的高增益改进型,在相同的频率范围内,它们的增益分别为54分贝和48分贝。LD4089和 LD4108的频率范围分别为0.66～1.16千兆赫和3.0～4.5千兆赫,典型的小讯号增益分别为30分贝和11分贝。放大器由制作在陶瓷衬底上的具有片电容和电阻的微带电路及微波晶体管组成。本文叙述了放大器的设计和性能。     

微波低噪声晶体管放大器

一、引言六十年代以来,由于半导体材料和器件制造工艺的发展,晶体管性能日益提高,由高频进入了微波频段;同时,也由于微波集成电路的出现,最近几年晶体管放大器在小型化和高频化方面有了很大的发展。目前,在微波频段的低噪声晶体管放大器,在主要资本主义国家的市场上有了大量的出售,性能达到相当高的水平,广泛地应用在各个领域。较早的晶体管放大器受器件高频性能的限制,只能作低频放大,用晶体管作微波放     

大功率场效应管微波放大器

日本某公司已研制成一种用于微波通信的新型放大器.这种放大器使用砷化镓场效应管,频带宽度为4～8千兆赫,输出功率可达5瓦,为常用半导体放大     

微波三极管级联放大器

本文给出了三极管回路带宽限制及采用多调谐回路增大带宽在理论上的可能性。叙述了用微波阻抗匹配网络设计三极管级联放大器的方法。对实际回路进行了数值计算模拟。制造了脉宽为430微秒,工作比为0.02,中心频率为550兆赫,相对带宽为10%,增益为24分贝,输出脉冲峰值功率为2.6千瓦的两级级联放大器。理论计算与实测结果良好地一致。本设计方法可推广应用到多级级联放大器的设计中,亦可作宽带整腔三极管设计参考。     

计算机辅助设计微波放大器

本文初步尝试用计算机辅助设计的方法设计微波晶体管放大器,经历了由源程序的编制、调试,至实验验证的全过程,取得比较满意的结果.编制的通用程序具有一定实用价值.本文介绍程序的算法原理、构成、使用方法,以及实验验证情况.     

超频宽薄膜微波放大器

国外最近设计成一种过去组合电路没有达到过的,工作频率最高、频带最宽的放大器.频宽达1000兆赫,工作频率自500～3000兆赫,为性能最佳的晶体管放大器的两倍,其性能相当于或超过许多行波管.由于采用了平衡放大电路,使放大器能具有如此宽的频带.各放大级中使用一对特性相同的晶体管,用3分只的定向耦合器把输入信号和输出信号相连,这     

微波功率分路放大器组件

描述了一种微波功率放大器组件的设计方案及研制结果。采用高可靠设计，实现了输出功率１５０ｍＷ±２ｄＢ，路间隔离损耗≥１８ｄＢ，驻波比ＶＳＷＲ≤２．５：１的指标。     

单片微波集成电路放大器

介绍单片微波等成路的特性     

微波功率GaAs FET放大器

介绍了采用新型GaAs功率FET研制覆盖频率为6～12GHz的宽带微波放大器的方法。本文叙述了一种特殊电路布局,它不仅把边缘耦合传输线用于阻抗匹配,而且还用来作为输入和输出隔直耦合元件。文章还讨论了X波段1W22dB增益GaAsFET放大器的微带电路设计。给出了微波性能特征,例如交调、调幅与调相的变换以及噪声系数等。     

高效率微波自由电子激光放大器

锥形摆动磁场可增加自由电子激光器效率的预言已被实验所证实。试验是在劳伦斯·利弗莫尔国家实验室试验性加速器（ETA )上进行的，激光波段在微波区域。实验表明，单程放大器能量提敢效率由恒定场摆动器的6%上升到摆动场的34%,摆动场强度为输出端峰值场强的40%。     

匹配型微波晶体管放大器

提出了一种采用桥接T型带通滤波器(下面简称为BPF)补偿晶体管增益的匹配型放大器的新方案,报告了设计方法及试验结果。这种匹配型放大器除用在宽频带放大器中表现出阻抗性能良好以外,特别是在多级级联使用时还具有能控制由信号源或负载阻抗变化引起幅频特性变化足够小的优点。这就是说增益补偿电路所采用的桥接T型BPF的特性几乎不随信号源或负载阻抗的变化而变化,因而具有良好的阻抗特性。而且这种结构能广泛适用于具有—6分贝/每倍频程的大部分晶体管。为适用于1.7千兆赫中频放大器,试制指标规定为:带宽400兆赫,增益大于50分贝。结果是四个两级晶体管组成的增益约14分贝的单元放大器串联起来的总增益与各单元放大器增益的简单分贝之和的差在所需带内小于1分贝。大信号输入时的调幅-调相转换增益压缩1分贝时相位变化量小于8°。     

微波FET宽带放大器综述

本文介绍了当前微波FET宽带放大器发展概况和动向,概括说明目前一些主要宽带放大器的机理、特点和设计方法.     

低成本超线性放大器

1951年,美国出版的《声频工程》杂志11月号上发表了超线性放大器电路。从此以后,超线性放大电路成为胆机中最常用的线路。它将帘栅极接在输出变压     

微波功率晶体管和微波集成电路放大器现状

微波功率晶体管现状由于市场的迫切需要和激烈的竞争,微波功率晶体管仍然以飞快的速度发展着。我们可从5瓦连续波器件的频率增长情况来衡量这个发展速度。这个曲线正好是从每一个商品型号的测量值画出来的,用它来分析过去的性能和预示今后的器件性能水平是很有用的。如我们能从图1中看到,5瓦器件的性能已达到4千兆赫。虽然曲线表示出在最近的时期内发展的速度有点缓慢,但可望在1973年初制成5千兆赫下连续功率5瓦的器     

用微波鉴相器测试微波放大器的噪声

1 连续波放大器测量 1.1原理本方法的电路方框图如图1所示。将放大器放大的信号与放大器的激励信号取样后进行比较,调整参考通道的衰减与相位,两通道中的载波可在3 dB混合接头中相互抵消,在“3”端出现的信号仅由放大器及其功率源引进的噪声边带组成。