彩电配套用高频大电流二极管SG25J的设计与试制

一、前言 彩电国产化,是电子工业发展的一项重要政策,要整机国产化,首先必须元器件国产化,而整机厂对元器件的要求是:一要保证质量,二要按时配套供应。SG25J硅整流二极管就是为彩电配套的高档管之一。该管主要为JVC机型配套管,也可用于其它彩电,由于参数要求苛刻,目前国内整机厂靠进口管装配,为实现器件国产化,我们通过近一年时间的努力,已试制成功,并先后提供两批给用户使用,初步反应良好。     

夏普彩电变阻管的检测与代换

笔者在检修一些夏普彩电时,往往发现一种外形与普通二极管相似的二极管,用万用表R×1k档测量,正向电阻高达50～500kΩ。这种二极管与普通二极管有较大的区别,它是一种变阻硅晶体二极管,或称压敏二极管。在夏普彩电中,该二极管主要作用是过压保护和限幅。若其阻值变化或损坏,将会使电视机工作失常,甚至损坏电源部分的元器件。例如夏普C1803CK/DK型彩电的开关电源电路中D711就是一只变阻二极管,型     

电视机用阻尼管、提升管长期工作寿命的试验方法

<正>电视机用的阻尼管、提升管是一种高频整流二极管.在整个运行周期64μs中,它有52μs通过正向大电流,12μs承受反向高电压.特别是用于彩电的器件要求其正向能通过1A的平均电流,反向能耐压1000V以上.对于这类二极管的工作寿命试验,目前还没有统一的方     

新的硅外延生长法—两段外延生长技术

一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低     

二极管串联不需均压电阻

一般为适应耐压要求,将两个或更多个二极管串联运用时,在各二极管上并联着所谓均压电阻,用以平衡各管所承受的反向电压.笔者根据对两个二极管串联运用时反向电压的分配所作的分析,并参照有关文献关于二极管P-N结击穿损坏的原理,得出结论:二极管串联运用时毋须并接均压电阻.硅二极管通常有如图1所示的反向伏安特性.在     

用轻载法修复罗兰士3304彩电

<正> 笔者曾修理多台罗兰士3304彩电,故障均是开机即有打火放电现象,其位置似在显像管内部,但又看不清确切位置,且每次均烧坏熔断器FU651、电阻R652、二极管D658,甚至烧毁整流器D654～D657中的二极管和开关电源推动管T713等,而且是屡换屡烧。这种情况往往被误认为是显像管内部打火放电损坏,将彩电判死刑,或打入冷官或卖掉,这样就太可惜了。     

硅稳压管及其应用

在某些文献所刊载的一些电子电路中,我们常看到一连串正接和反接的晶体二极管作为稳压来应用,它们就是面接触型的硅二极管.由于将它在反接情况下作稳压之用,故又称作硅稳压管,也有的称为齐纳管.硅稳压管在反接时的伏安特性顿似辉光稳压管,     

长虹各型彩电I~2C总线系统的调整

<正> 本文所述长虹各型彩电I~2C总线控制调整清单表1～7见 一、长虹R2112T型彩电1.维修状态的进入与退出方法(1)选用型号为K11B的长虹牌遥控器,将其内部二极管V3去掉,用三只二极管(型号同V3)代替,每只二极管的阳极接到原V3管的阳极焊点处,每只二极管的阴极分别接在遥控器发射集成电路的⑥、⑦、⑿脚上。     

VHF/UHF硅外延电调变容管

本文简述了器件原理,并给出VHF/UHF硅电调变容管的设计结果.WB30系列VHF/UHF硅电调谐变容二极管,其管芯为双外延台式钝化结构,采用金属陶瓷微带管壳封装.制得的器件,其变容比 C_3/C_(25)≥4.5,串联电阻 r≤1.5Ω,截止频率f_c≥12GHz(VHF波段);及r_s≤0.8Ω,f_c≥22GHz(UHF).结果表明WB30型VHF/UHF硅电调变容管已与日本NEC公司的VHF/UHF硅外延平面电调变容管1S2209/1S2208的性能相当.电调变容管的统调特性及其串联电阻直接与电视高频头的增益相关.用WB30型电调变容管制作的UHF频段电视机用高频头——一级高放及一级二极管混频,已获得5～6dB的增益.     

耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.     

FP-3型光功率计

一、原理FP-3型光功率计是应用光-电转换技术来实现光功率测量的,也就是使光辐射强度的变化线性地转换成电流信号的变化.实现这种特性在要求不太严格的情况下,可供选择的器件种类繁多,相应的光电探测器显然要求各自的前置电子电路,要满足阻抗匹配,使其输出满足线性要求.对于硅光电二极管(包括硅光电池,PIN管)而言,采用低阻"短路负载"是合适的.图1表示光敏元件在光辐照下产生光生电流,前置放     

带阻尼行管的测量

现在很多彩电的行管都采用带阻尼二极管的塑封管,并且在该塑封管内部的b、e极间并接一只20Ω电阻。常用带阻尼塑封行管的型号有     

1970、1971和1974年度美帝半导体产品产值估计

(单位:百万美元)类一_年份}另。-一一一一一.~~一__}一︸197019711974毛~.一_年份}*刀lJ一~~~~~__}197019711974八U八曰八口勺‘,‘nJO 23普通分立器件 晶体管 硅双极晶体管 小信号晶体管(耗散功率 小于1瓦) 功率晶休管(耗散功率等 于或大于1瓦) 储双极晶体管 爆效应晶体管 单结晶体管 二极管 错二极管 硅二极管专用分立器件 闹流管 隧道二极管 微波二极管 变容二极管 齐纳二极管 微波晶体管 复合器件(两个的或二极管障 列)单片集成电路 线性集成电路 功能放大器类型 共他类型492。5364。2270.14712353.4260‘3383.329].32]2 .5348。0 68.…     

科锐推出封装型1,700V碳化硅肖特基二极管

科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管,在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1,700V Z-Rec肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗,     

彩色电视机的检修

(1)一台东宝C-541DR型彩电出现"三无"故障,且电源指示灯不亮.拆机检查,发现保险管及遥控变压器均完好,测主板上遥控变压器输出端电压为6 V,断开负载测为10.5 V正常,说明有负载短路现象.检测发现VD11二极管击穿短路(随机的原理图上无此二极管),用一只IN4148代换后故障排除.     

玻璃封装二极管短路失效的原因分析

玻璃封装的二极管,属小功率器件,在应用电路中一般用作开关管和整流管。开关管通常是用硅或锗材料制成,硅管的正向压降比锗管大,但漏电流小,工作结温最高。整流管(如功率管)是一般用途的超小型和标准尺寸的低压型器件,这类管子最     

崩越二极管模拟分析及实验

应用自编的崩越二极管模拟程序,进行了器件的计算机模拟.给出硅8毫米双漂移崩越管的模拟结果及其分析.并给出经计算机优化器件设计的实验结果.     

美用碳纳米管代替硅管制造出高效太阳能电池

<正>美国康奈尔大学研究人员利用碳纳米管代替传统硅管,制造出高效太阳能电池。这一技术的关键是用碳纳米管代替传统硅管制造出光电二极管,后者是太阳能电池的基本元件。研究人员利用不同颜色的激光对这种二极管进行研究发现,在将光能转化成电能的过程中,它可以使电流强度加倍。     

对称齐纳二极管及其应用

齐纳二极管就是大家熟悉的硅稳压二极管的另一种叫法。硅稳压管的特性是,一个方向具有稳定电压的作用,另一方向则具有与普通整流二极管一样的单向导电特性,所以硅稳压管只能应用在直流电路之中。而对称齐纳二极管则相当于两只对接的硅稳压管,因此它无论以何种方式连接于电路中,均可起到稳压管的作用。正是由于对称齐纳二极管没有极性的要求,所以这种新型器件可以直接使用在交流电路之中。我们可以利用硅稳压管的对接法来组成对称齐纳     

直流高压电源的过电压保护

<正> 一、概述目前,在直流高压电源中,已广泛地使用具有许多优点的高反压硅二极管。但是,硅二极管本身固有的弱点是耐受过电压和过电流能力差,即使超过硅管的反向击穿电压不高,时间只有几微秒,都有可能导致管子的损坏。尤其是在高压设备中,由于其内部电磁能量的积聚与转换,不免要在电源中产生过电压。如常见的开关操作过电压,保护电器动作过电压,以及硅管本身固有的物理现象所引起的过电压等。所有这些过电压,都直接危害着电源设备的安全工作。为了更好地发挥硅二极管的优点,克服缺点,保障设备的安全运行,就必须采取保护措施。在此,仅就电源中常见的几种过电压的产生和有关抑制方法论述如下。