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相似文献
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1.
《应用化工》2022,(8):1597-1600
采用溶胶-凝胶法制备NiZn铁氧体薄膜,研究了溶胶配制、甩胶及退火工艺对NiZn铁氧体薄膜性能的影响,系统研究了制备工艺和退火工艺。结果表明,不同的膜厚,改变了样品内的残余应力;在退火工艺上,升温速率直接影响成核数量,退火温度和保温时间决定薄膜的结晶程度和附着力的大小。通过对溶胶-凝胶法制备NiZn铁氧体薄膜技术的研究及工艺优化,得到合理的退火处理工艺为:以2.5℃/min的升温速率升到700℃,保温40 min后随炉自然冷却到室温。同时研究了NiZn铁氧体薄膜的可见光透过和微波损耗特性。  相似文献   

2.
以异丙醇铝为原料,采用溶胶凝胶法和浸渍提拉技术在玻璃载片上进行涂膜并考察了溶剂中乙醇含量对Al2O3膜结构及性能的影响。结果表明:在总溶剂含量为66.4 mL时,水与无水乙醇的体积比为7∶1,经过8 h回流后可得到稳定性良好的溶胶,溶胶的粘度为6.45 mPa.s;Al2O3薄膜的热稳定较好;所采用的烧结制度是0~100℃,升温速率为0.25℃/min,保温120 min;100~170℃,升温速率为0.5℃/min,保温120 min;170~400℃,升温速率为0.5℃/min,保温120 min;400~800℃,升温速率为1℃/min,保温120 min;最后自然冷却至室温即可得到性能良好的薄膜;膜表面光滑平整,薄膜平均孔径约为20.6449 nm。  相似文献   

3.
娄本浊 《陶瓷》2010,(7):29-30,42
利用溶胶-凝胶法制备了CaxSr1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷薄膜,并研究了Ca掺杂量、退火温度以及保温时间对SrBi4Ti4O15陶瓷薄膜铁电性能的影响。研究结果表明,当Ca掺杂含量为0.4%,退火温度为750℃,保温时间为5 min时,样品的铁电性能最好。  相似文献   

4.
工艺参数对TiO2薄膜性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了基本工艺参数(如聚乙二醇的添加量和分子量、热处理制度、薄膜层数)对溶胶凝胶法制备TiO2薄膜性能的影响。结果表明:添加分子量2000的聚乙二醇1.0g(相对于100ml溶胶),以2℃/min的速度缓慢升温至550℃,保温1h,制得的TiO2 10层薄膜,表现出分解稀醋酸的光催化活性较好。  相似文献   

5.
胡忠玉 《安徽化工》2006,32(5):9-13
采用溶胶凝胶合成法制备尖晶石LiMn2O4锂离子电池正极材料,详细研究了合成条件对产物结构和电化学性能的影响。结果表明,在以LiBr为Li源,乙酸锰为锰源,溶胶凝胶法制备尖晶石锂锰氧的最佳工艺条件是:Li/Mn=1.05/2;合成时溶液pH=7.5;采用分段式升温,以8℃/min从室温升温到450℃,保温5小时;再5℃/min的升温速率升温到650℃,再恒温12小时,然后自然冷却到室温,可得到结晶度较高,晶体结构完整,电化学性能较好的尖晶石型LiMn2O4。  相似文献   

6.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了铌元素(Nb)取代Ti元素的Bi4Ti3O12(BTN)铁电薄膜,研究不同掺杂浓度,不同退火温度等工艺对BTN薄膜的微观特性及剩余极化强度、矫顽场等电性能的影响。研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显。铁电性方面,对Ti进行2%掺杂取代的BTN薄膜的铁电性能最佳。从而获得了BTN薄膜制备的合理工艺参数。  相似文献   

7.
通过溶胶-凝胶法制备氧化铝陶瓷铸型,研究了不同烧成温度、保温时间、升温速率和添加剂对铸型强度性能的影响。实验结果表明,固相含量为58vol%的陶瓷坯体在烧成温度为1550℃,保温时间为4h时,烧成后高温抗弯强度可达14MPa,满足机械加工需要。  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备铁电Bi4Ti3O12 (BIT)薄膜,研究退火温度对其微观特性的影响,以掌握制备工艺中最佳退火温度。研究表明,随着退火温度的增加,BIT薄膜的c轴取向生长更明显,晶粒尺寸增加,同时表面粗糙度增加;从退火750℃开始,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显。退火时间对薄膜的相结构和生长取向没有明显影响。  相似文献   

9.
掺杂对钡铁氧体吸波性能影响研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
谭宏斌 《山东陶瓷》2009,32(1):12-14
本实验采溶胶-凝胶法制备钡铁氧体前驱体,煅烧前驱体。用X射线衍射仪(XRD)、微波分光仪对煅烧后产物的物相、微波吸收性能进行研究。结果表明用溶胶-凝胶法制备了钡铁氧体前驱体,二价金属阳离子微过量制备了较纯的铁氧体;铁氧体的烧成温度为800℃,掺杂后烧成温度为900℃。在11GHz,钡铁氧体和掺杂锶的钡铁氧体的反射损耗分别为-12.0dB和-15.9dB。  相似文献   

10.
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO∶Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO∶Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO∶Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92%以上,电阻率仅为13.6Ω· cm.  相似文献   

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