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稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷属性和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文综合述评了近几年来ZnO基稀磁半导体纳米材料研究的进展概况,并简介了DMSs器件的潜在应用。 相似文献
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ZnO薄膜生长技术的最新研究进展 总被引:9,自引:3,他引:6
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,目前已研究了开发了许多ZnO薄膜的生长技术,其中,磁控溅射,喷雾热分解,分子束外延,激光脉冲沉积,金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶,原子层外延,化学浴沉积,离子吸附成膜,离子束辅助沉积,薄膜氧化等也进行了深入研究,详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展。 相似文献
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半导体ZnO单晶生长的技术进展 总被引:6,自引:0,他引:6
ZnO单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点。本文综述了ZnO单晶助熔剂法、水热法、气相法等生长技术的研究进展,结合ZnO单晶的化学结构,探讨了该晶体的结晶习性及生长技术发展方向。 相似文献
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ZnO基陶瓷的导电性能研究 总被引:14,自引:2,他引:14
以ZnO为基添加MgO和Al2O3制得了ZnO陶瓷。研究了掺杂含量,烧结温度和降温特性等因素对ZnO基陶瓷的导电性能影响。研究表明,Al2O3含量和烧结温度对ZnO基陶瓷的电阻率具有较大的影响,MgO含量和降温速率对电阻温度系数影响尤为明显。 相似文献
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采用直接沉淀法,通过改变沉淀剂(氨水、NaOH)及反应时间制备纳米ZnO粒子,并通过扫描电子显微镜、荧光显微镜对所得产物的形貌及其荧光性能进行分析表征。结果显示:不同沉淀剂制备的ZnO纳米粒子的形貌和尺寸均不相同,用Zn(NO3)2和NH3.H2O反应可制得花状的纳米粒子,而用Zn(NO3)2和NaOH反应则会生成球状的纳米粒子,其尺寸分别为500和200nm左右;反应前期,反应时间主要影响粒子的尺寸,随反应时间的增加粒子的形貌也发生变化;与以NaOH为沉淀剂制备的纳米ZnO粒子相比,以氨水为沉淀剂制备的纳米ZnO粒子具有好的荧光性能。 相似文献
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ZnO宽带隙半导体及其基本特性 总被引:2,自引:0,他引:2
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战. 相似文献
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S掺杂ZnO薄膜光电特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上生长了ZnO:S薄膜。XRD测试表明所制薄膜为六角纤锌矿结构,具有明显的(002)衍射峰。室温下的透射光谱测量结果表明,随着S掺入量的增加,ZnO:S合金薄膜的吸收边向长波长方向移动,但在可见光部分有较高的透过率。在此基础上计算了各样品的禁带宽度,结果表明,在S掺入量小于8%的范围内,随着S掺入量的增加,禁带宽度减小。样品紫外光电导特性明显,在波长365nm、功率4000μW/cm2紫外光源照射下,紫外光与可见光所对应光电流响应之比可达3。 相似文献
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结合当前掺杂ZnO功能薄膜的制备方法、工艺条件,综述了不同掺杂元素对ZnO薄膜的结构、电学、光学性能、气敏特性以及应用领域等方面的影响,并展望了ZnO功能薄膜的发展趋势. 相似文献
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Co掺杂ZnO块材的晶体结构和磁性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相法制备了Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材,烧结温度和Co含量对Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)块材的晶体结构和室温磁性能影响强烈,当x≤0.1,烧结温度从800增加到1100℃时,Zn1-xCoxO(x=0.05-0.25)呈现出单相结构,但当x〉0.1,烧结温度为800℃时,样品中出现CoO相;随着烧结温度提高到900℃,样品再次获得纯的单相结构。为了获得高的饱和磁化强度Ms,最佳烧结温度应该根据Co含量进行调整。在最佳烧结温度条件下,当x从0.05提高到0.1时,Ms从0.79增加到了1.06μB/Co,但当x继续提高到0.2和0.25时,Ms分别降低到了0.59和0.41μB/Co。 相似文献
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