GaAs MESFET和HEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数ＮＤ、ＮＳ、ＶＳ，μ和电参数ＩＤＳ、ｇｍ、Ｖｐ、Ｇ等。     

PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分：PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响

ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国ＶａｒｉａｎｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃ－ｔｒｉｃＣｏｒｐ．以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新产品：四极管，ＭＳＲ：速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＤＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实例。     

PECVDSi_3N_4钝化膜对GaAsMESFET直流特性的影响

用ＰＥＣＶＤ氮化硅薄膜对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ进行钝化，本文讨论了钝化对器件特性的影响，提出了一种改善ＧａＡｓ器件表面的方法，结果表明利用该方法和ＰＥＣＶＤ氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国Ｖａｒｉａｎ‘ｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃｔｒｉｃＣｏｒｐ。以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新呷极管、ＭＳＤＣ速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＯＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实便。     

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应，瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法，涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

功率GaAs MESFET的热阻测试

阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对△ＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。     

GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律.结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感...     

Numerical simulation of neutron radiation effects in avalanchephotodiodes

A new one-dimensional (1-D) device model developed for the simulation of neutron radiation effects in silicon avalanche photodiodes is described. The model uses a finite difference technique to solve the time-independent semiconductor equations across a user specified structure. The model includes impact ionization and illumination allowing accurate simulation with minimal assumptions. The effect of neutron radiation damage is incorporated via the introduction of deep acceptor levels subject to Shockley-Read-Hall statistics. Preliminary analysis of an EG&G reverse APD structure is compared with experimental data from a commercial EG&G C30719F APD     

Modeling of ionizing radiation effect on optoelectronic-integrated devices (OEIDs)

The ionizing radiation effect on the static and dynamic behavior of an optoelectronic-integrated device composed of a hetrojunction phototransistor and light-emitting diode is studied theoretically. First, the device characteristics before irradiation are investigated based on the equivalent circuit of the constituent devices and the optical feedback inside the device. Second, the effect of neutron irradiation flux on transient behavior of this device is theoretically studied. It was noticed that, the neutron irradiation flux reduces the transient response in both the amplification and switching modes. Also, neutron irradiation flux increases the switching voltage of the device and decreases the output current, this means that the ON state device which exposed to this irradiation flux will turn to the OFF state because it will need higher value of switching voltage. Either increasing the amount of input light or the applied voltage is required to turn the device to the ON state again. This type of models can be exploited as optical amplifier, optical switching device and other applications.     

反应堆样品照射控制装置设计

设计采用PHILIPS公司具有ISP功能的单片机P89C669作为控制核心,对反应堆中子活化系统的辐照时间实现自动检测与控制,通过气动传输装置控制样品进入反应堆和离开反应堆。安装在反应堆堆口处的光电传感器检测管道内的样品,精确控制样品的辐照时间并计算样品的冷却时间,通过串行接口实时向计算机传输样品辐照的信息,单片机驱动液晶显示器完成辐照时间、冷却时间的动态数据显示。     

A review of recent results on diamond vacuum lateral field emission device operation in radiation environments

This paper describes the electrical characteristics of lateral field emission vacuum microelectronic devices comprised of nanodiamond in two terminal (diode) and three terminal (transistor) cathode-gate-anode configuration and their resistance to failure in severe radiation conditions that would shut down conventional solid state electronics. This is the first published data on radiation tolerance of three terminal diamond vacuum lateral field emission devices. No changes in device structure or electrical behavior were observed after exposure to high levels of X-ray or neutron radiation.     

Stability of Nitride Microwave Monolytic ICs of a Signal Converter Irradiated by Neutrons and Gamma Radiation

The radiation stability of AlGaN/GaN HEMT millimeter-wave signal converters with highly mobile electrons irradiated by neutron and gamma radiation is investigated. The following characteristics have been chosen as the parameters for estimating the stability: the output microwave signal range, conversion factor, and the total consumed current. The consumed current dependence on the absorbed dose of gamma radiation and the sample temperature is determined. It is shown that the effect of neutron irradiation upon the characteristics is insignificant, although the gamma irradiation results in a considerable increase of the current consumed due to the formation of nitrogen donor vacancies, annealing of growth acceptor defects, and defect ordering. Six months later, the parameters of the devices returned to the initial values, indicating the restoration of the original state of the substrate’s crystal structure.     

电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究

分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV、14MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了CCD辐射敏感参数测试.利用Co-60γ源和反应堆脉冲中子,开展了商用器件总剂量和中子位移损伤效应模拟试验,在不同辐照条件下,给出了暗电流信号、饱和电压信号、电荷转移效率以及像元不均匀性的变化情况.     

硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应

研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为１０＾１１ｃｍ＾－２，能量２．４５ＭｅＶ）和Ｏ＾＋＋＋（注入剂量为１０＾１０ｃｍ＾－２，能量１２ＭｅＶ）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明，两种辐照垃引起器件的光电流下降，暗电流增加，在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而Ｏ＾＋＋＋，辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤国快中子     

反应堆样品照射控制装置设计

设计采用PHILIPS公司具有ISP功能的单片机P89C669作为控制核心，对反应堆中子活化系统的辐照时间实现自动检测与控制，通过气动传输装置控制样品进入反应堆和离开反应堆。安装在反应堆堆口处的光电传感器检测管道内的样品，精确控制样品的辐照时间并计算样品的冷却时间，通过串行接口实时向计算机传输样品辐照的信息，单片机驱动液晶显示器完成辐照时间、冷却时间的动态数据显示。     

紫外天体模拟器辐射参数现场校准技术

紫外天体模拟器为空间探测工程中紫外有效载荷的重要测试和仿真设备。为了解决紫外天体模拟器辐射参数现场校准存在的难题,建立一套便携式紫外天体模拟器辐射参数现场校准装置,实现紫外模拟器瞬态辐射参数校准和高灵敏度辐射参数校准。校准参数包括光谱辐亮度、光谱辐照度等。校准的光谱范围为200~400 nm,该装置的建立完善国内的紫外校准技术研究体系,填补我国现场计量型的紫外标准的空白。