掺锰硅材料的电流振荡特性

用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性;在一定的电场下,电流振荡波形是固定的,不随时间变化;振荡频率随光照强度的增大而线性增大;调制系数随着光强的增强而减弱;振荡的最大值随着光照强度增大而减小,最小值随着光强增大而缓慢增大.     

开关电源峰值电流模式次谐波振荡研究

对峰值电流模式开关电源的次谐波振荡进行了系统研究,包括其产生原因、导致后果、解决方法及具体电路实现。定性分析了次谐波振荡产生的原因,从2个角度分别定量地对其进行深入研究,分析了上斜坡补偿和下斜坡补偿2种避免次谐波振荡的方法,并基于3种最基本的开关电源拓扑（Buck,Flyback和Boost）给出了具体的斜坡补偿电路,采用Hspice仿真得到不同斜率的斜坡补偿信号和自调节斜坡补偿信号。     

MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２e４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１e１３ｃｍ－３＜ｎ＜１e１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率．     

掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

采用电阻率为5 ·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料。测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好。对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其B值在620 K左右;对p型硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200 ~4300 K之间。     

掺镱光纤激光器的多波长振荡特性

利用Sagnac梳状滤波器,研究了环形腔掺镱光纤激光器(YDFL)在室温和77 K时的多波长振荡行为。结果表明,在室温和77 K时,掺镱光纤(YDF)均呈现明显的非均匀加宽效应,使得掺镱光纤激光器的起振波长数随抽运光功率的提高而增多。但在室温下,因均匀加宽效应强,掺镱光纤增益的非均匀加宽并不能补偿其内禀不平坦的增益谱,造成波长缺失现象,且当波长间隔减小至0.8 nm时,均匀加宽效应引起的波长竞争造成了多波长振荡的稳定性下降。而在77 K时,掺镱光纤非均匀加宽效应明显增强,在0.8 nm的波长间隔下,无波长缺失现象,将起振波长数增加到32个,且多波长振荡稳定。     

电流模式转换器的斜升补偿

从本质来看，在以下两种情况：a．转换器在连续导电模式（CCM）下工作；b．占空比接近或高于50％，峰值电流模式电源容易受到子谐波振荡的干扰。若发生这两种情况，额定开关频率减半时，转换器会产生振荡。可以通过快速建立图形的方法来描述干扰通过周期传播的方式。     

一种基于峰值电流模DC-DC转换器的斜坡补偿电路

设计电流模脉冲宽度调制直流转换器时,人们广泛采用斜坡补偿电路来消除谐波振荡.提出了一种基于峰值电流模直流电压转换器的斜坡补偿电路,在不影响PWM时钟斜率的情况下,该斜坡补偿具有稳定、易于叠加的特点.该电路采用0.6μm线宽的标准CMOS工艺仿真.     

硅反型层中热功率的磁量子振荡

本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果,在振荡位相和幅度两方面都与Oxley等提供的T=5.020K下的最新实验数据定性相符。     

一种带补偿的电流采样电路

采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种电流采样电路。分析了传统senseFET电流采样电路中采样速度与采样范围之间的制约关系。提出了一种带有采样电流补偿的电流采样电路,通过注入补偿电流,加快了采样电路环路响应速度,同时拓展了电流采样下限。该电流采样电路被用于10 MHz开关频率的电流模Buck变换器中。仿真结果显示,所提出的电流采样电路在全负载范围内实现了精确快速的电感电流采样功能。     

双间隙输出腔中形成单腔管振荡的可能性分析

 本文采用解析方法推导了2π模双间隙输出腔中电子注的小信号导纳公式,并根据双间隙输出腔形成单腔管振荡的条件,得到了单腔管振荡的起振电流计算公式.利用三维仿真方法定量计算了加载矩形波导的2π模双间隙输出腔的线路导纳,并以此确定2π模双间隙输出腔形成"单腔管振荡"的起振电流和振荡频率.计算结果表明:在电子注加速电压一定的情况下,电子注电流增大到一定程度,双间隙输出腔将会形成危害性较大的单腔管振荡;而且双间隙输出腔的单腔管振荡频率与电子注加速电压和电子注电流存在复杂的关系.与此同时,我们采用MAGIC粒子模拟程序进一步验证了双间隙输出腔中产生单腔管振荡的可能性问题,并得出其起振电流值,这一粒子模拟结果与解析计算结论基本相吻合.这些关于双间隙输出腔中有害的单腔管振荡形成过程和规律的研究结论,对于改善速调管双间隙腔输出电路的稳定性将具有重要意义.     

提高行波管的返波起振电流

本文利用二波理论对三种典型实用的非均匀输出线路的返波起振电流进行了研究并得出相应结论.分析不仅适用于弱的渐变线路,也适用于中等及较强的线路渐变,为研究宽带高功率行波管提供了重要的设计依据.     

一种滞环恒流LED驱动电路的电流采样电路

针对滞环恒流大功率LED驱动芯片,提出一款高性能电流采样电路。该电路采用高压工艺,可承受最高达40 V的输入电压。通过分析滞环控制的特点,采用串联电阻采样技术,结合匹配电流源结构,在保证响应速度和采样精度的同时,降低了电路的复杂度。电路中加入输入电压补偿电路,进一步提高了恒流控制的精度。在Cadence下的仿真结果表明,电路可在800 kHz的频率下正常工作,采样精度达99.78%;当电压从15 V变化至35 V时平均负载电流误差为0.81%;输出电压范围为0~5 V。     

碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究

实验研究了碳掺杂ＧａＡｓ激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。     

压控振荡器组件的改进设计

介绍了某导航设备频率合成器的原理。针对导航设备压控振荡器组件故障率高的缺点,对其进行了改进设计。设计中压控振荡器组件采用改进型电容三点式振荡电路,并对组件的实现方法进行了阐述。经过生产验证,新压控振荡器组件生产性好、调试量小、输出频率稳定、抗震性好、工作可靠、满足整机性能指标,完全可以替代原压控振荡器组件。     

电泵浦垂直外腔面发射激光器振荡特性的理论分析及实验研究

对具有InGaAs/GaAsP量子阱周期增益结构有源区的980 nm电泵浦垂直外腔面发射激光器(EP-VECSEL)的振荡特性进行了理论分析及实验研究.模拟并分析了耦合腔条件下EP-VECSEL的振荡特性与其分布布拉格反射镜(DBR)及外腔镜反射率之间的关系,并根据理论分析结果对器件结构进行了优化设计.在实验上制备出具有不同外腔镜反射率的EP-VECSEL器件,并对其连续波(CW)振荡特性进行了研究.实验结果表明,有源区直径为300 μm的EP-VECSEL器件在外腔镜反射率为90 %时阈值电流为1.2 A,注入电流为4 A时连续激光输出功率为270 mW; 在外腔镜反射率为95%时阈值电流为0.9 A,4 A下输出激光功率为150 mW.实验结果与理论分析结论符合较好,说明本文采用的理论分析方法能有效模拟及优化EP-VECSEL器件的振荡特性.     

峰值电流控制开关电源的反馈补偿问题研究

针对电流控制模式降压型开关电源芯片,探讨了输入电压的不同以及工作温度的差异造成对输出带负载能力和峰值电流的影响。在电流反馈回路的斜坡补偿模块中,加入随输入电压线性变化的基准电流源,以补偿不同输入电压对采样与斜坡补偿峰值电压造成的差异。此外,对反馈环中的比例电阻采用不同的工艺制作,通过电阻的温度系数补偿由采样电阻随温度变化所造成的采样电压的变化,减小温度对电路的带负载能力和峰值电流的影响。改进后,在相同环境温度下,4．7V到30V输入时,输出最大负载电流差异由2A降为0．5A。电阻改进后,从27℃到150℃,输出最大负载电流几乎不变。