基区宽度对NPN BJT中载流子浓度分布的影响

随着市场对射频微波电路性能要求的不断提高,半导体器件的制作工艺受到射频微波工程师们广泛的关注,对于给定结构但实际上无法制作的器件,利用工程方法来获得半导体的结构及特性,能够达到所需的器件指标。本文是在对半导体基础器件内部结构深入了解的情况下,证实了当基区宽度(W)远远小于基区少数载流子扩散长度()的极限条件下准中性基区中载流子浓度的微扰是位置的线性函数。同时通过理论推导证明了当基区宽度(W)等于基区少数载流子扩散长度()的条件下,准中性基区中载流子浓度的微扰近似是位置的线性函数。利用以上推导结果可以简化晶体管参数的计算,也为改善晶体管工艺打下基础。最后编写了Lab-VIEW程序从直观上证明了结论的正确性。     

饱和与非饱和开关线路技术的比較

本文讨论了关于结式晶体管是一种由电荷控制的电流源的概念。饱和与非饱和运用的主要区别在于少数载流子和多数载流子在基区中的分布不同。分析了几种共射开关线路。介绍一个根据晶体管电荷存储性能而得山的最佳值即开关效率。主要是就下列几个方面对饱和与非饱和运用作了比较:开关效率、瞬态波形、电平稳定性、功率损耗、排除及抑止干扰能力以及线路的复杂程度。文中还讨论了普遍采用的抗饱和技术。     

线变基区晶体管开关特性的分析

本文用电荷控制参数讨论了缓变结指数扩散场器件的瞬态特性,同时将这些器件与均匀基区器件作了简单的比较。采用在饱和区内重新分开传送电流的方法解释了大信号参数和小信号参数关系中的误差。文中指出,高速开关器件工作频率的主要限制与其说是由截止频率决定,还不如说是由结电容和存储时间常数决定。     

Halo LDD P-Si TFT工艺参数优化

该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici研究模拟了Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效的抑制热载流子效应;但也会部分地降低驱动能力,因此,要综合考虑,根据具体的条件,得到Halo结构最佳的工艺参数。     

半导体二极管开关特性的一般模型

文中提出一个新的P—N結二極管电荷控制模型,在这个模型中分别采用时常数τ_F和τ_R来使正向电流I_F及反向电流i_R与存儲于基区的电荷Q联系起来。分析了正常开关运用的反向开关瞬态特性,这时存在恆流阶段(存儲阶段)和电流衰减阶段。也分析了过驅动开关运用的反向开关特性,这时不存在恆流阶段。导出了新的开关时間方程式。这些方程用可测量的器件参数τ_F、τ_R、C_j、外线路可变值I_F和I_R、以及一外线路参数R表示。所提出的模型可用于任何类型的P—N結二極管。文中还给出了用各种类型二極管所得到的实驗結果。实驗結果与理論完全符合。     

P+N+器件压磁电效应的研究

用载流子连续方程研究了一个侧面设置坑复合区的双注入Ｐ＾＋πＮ＾＋器件的压磁电效应，给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系，结果表明，当四个Ｐ＾＋πＮ＾＋器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥，制造在Ｃ型硅杯的硅膜片上，不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度，而且可以用来测量磁场的旋转角度。     

CCD 及其在自动化领域中的应用

电荷耦合器件(简称 CCD),是一种新型的半导体器件。它是一种用电荷来表示不同状态的动态移位寄存器,其电荷信息(少数载流子)的转移是以外加电压在热弛豫期间产生的表面势阱的变化而实现的。其制造工艺仍采用 MOS 半导体光刻技术,制成表面沟道或埋沟道的 CCD 器件(P 型或 N 型)。     

仿生微纳导航系统的光电薄膜仿真分析

对用于仿生微纳导航系统的蓝紫光波段的光电薄膜进行了理论建模和特性分析。所建立的光电薄膜理论模型侧重于分析器件本身的结构和工艺参数对器件光电转换效率的影响,给出了光电薄膜不同结构参数和工艺参数与薄膜性能的关系,并利用VC++进行编程,分析计算简便。通过该模型对优化的薄膜结构的仿真计算,在AM1.0光谱条件下,光电流密度约为2 mA/cm2。算例说明了该模型的实用性和可靠性,该模型能够为仿生微纳导航系统中光电转换器件的设计和制作提供重要参考。     

电子的注入与传输对有机光电子器件性能的影响研究

随着有机半导体材料与薄膜光电子学的不断发展,有机光电子学受到了越来越多的关注与重视。有机光电子器件具有成本低、工艺简单、材料广泛等优点,在照明、标签等领域有着广阔的应用前景。载流子的注入与传输对有机光电子器件的性能有着重要的影响,如果有机半导体材料具有载流子浓度与迁移率都较低的特点,其对器件效率提高的阻碍作用就越大。本文以有机太阳能电池为例,对载流子尤其是电子注入与传输对有机光电子器件性能的影响。     

宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同：体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。     

Effective solution of certain problems of theory of schedulings of nets

Cybernetics and Systems Analysis -     

变电站一次设备喷涂PRTV用量的分析

对国网宁夏电力检修公司宁安运维站近2年来一次设备喷涂PRTV用量的统计数据进行分析整理,得出各类一次设备按照标准要求喷涂PRTV时的用量估算值,并针对现存作业中存在的问题,提出相应解决方案。     

机车空调逆变电源设计

本文讨论的是机车空调逆变电源系统的设计与研究。该电源系统主要是由DC/DC的BOOST升压部分和DC/AC三相逆变部分两部分组成。DC/DC部分所得直流电压通过DC/AC部分逆变成三相交流电,供给空调机组工作。同时,为使电源系统能更可靠的运行,也设计了相应的故障检测、保护等辅助电路。     

制造型企业仓储物流管理的RFID应用——卷烟厂按垛出库及到货扫描系统初探

针对国家烟草管理的现状,有关主管部门在全国推行“行业卷烟生产经营决策管理系统工程”,利用条码等自动识别技术手段实时掌握全国的生产经营信息。但某卷烟厂此前的物流环节已经是“件烟成垛”运输,如何在尽可能保持原有企业管理体系的前提下,达到有关部门的数据统计要求,解决成垛卷烟的物流和信息流的交互与统一问题成为技改的核心。该项目成功的将条码识别与射频识别有机结合起来,为烟草行业信息化提供了生动的应用案例。     

煤矿多功能物联网读写器的设计

介绍了物联网的概念和结构组成,分析了物联网在煤矿中的具体应用,详细介绍了一种具有煤矿特色的多功能物联网读写器的设计与实现。该读写器应用在物联网的感知层,能够进行物体识别和各类物理信号与环境参数的传送,为煤矿应用物联网提供了一个很好的感知层解决方案。     

机械臂绝对定位精度测量

提出了用激光跟踪仪标定机械臂的D-H参数、测量机械臂绝对位姿以及对机械臂的绝对定位精度进行分析的方法;用激光跟踪仪测量机械臂各个关节单独运动时得到的一系列离散点,就可确定机械臂各个关节的轴线,由此建立机械臂的D-H坐标系,并对D-H参数进行标定;然后,给出了由6D激光头位姿确定机械臂末端位姿的方法;最后,推出了由测量位姿值与命令位姿值相比较,得到机械臂绝对定位的位置和姿态偏差的方法;这些方法可以有效、迅速地完成对机械臂绝对定位精度的测量.