220kV金属氧化物避雷器带电测试异常的处理

介绍了220kV金属氧化物避雷器(MOA)带电测试异常的处理情况,对异常MOA进行停电试验、解体检查发现,MOA的A相上节U1mA变化率为0.85%,0.75U1mA下的泄漏电流和绝缘电阻均符合《规程》的要求,没有故障;A相下节U1mA的变化率为22.4%,0.75U1mA下的泄漏电流为786μA,绝缘电阻值为0.411GΩ,存在故障。分析指出:测量阻性电流可及时准确发现MOA受潮情况;MOA在运行中要严格按照DL/T596—1996进行定期带电测试,以便及时发现缺陷;当MOA内部发生故障时,交流泄漏全电流、泄漏电流阻性分量都会增大,但泄漏全电流没有阻性分量的变化明显。     

氧化锌电阻片及低电压等级避雷器直流参考电压测量中有关问题的探讨

从GBll032-2000及有关标准入手,分析了部分避雷器生产企业在氧化锌电阻片及低电压等级避雷器直流参考电压和泄漏电流测量中存在的一些问题,指出了不合适的测试方法对产品质量的影响,提出采用有直流1mA恒流源和能自动产生直流0.75U1mA的恒压源测试仪器,能方便地进行测量。     

不拆引线测量220kV MOA直流参数的方法

简要阐述了220 kV MOA测量直流1 mA时的直流参考电压U1mA和75%U1mA直流电压下的泄漏电流试验的拆引线与不拆引线两种试验方法接线,并进行了实测结果比较和误差分析。最终结果表明,不拆高压引线的测量效果良好、方法可行。     

关于珠海电厂海斗乙线避雷器缺陷的分析

通过对珠海电厂海斗乙线避雷器解体检查及对电阻片进行直流1mA电压U1mA和75%U1mA电压下直流泄漏电流测量试验,发现避雷器缺陷的主要原因是避雷器密封不良潮气进入,导致电阻片直流1mA参考电压降低和泄漏电压超标;额定电压选择偏低(192kV)导致电阻片荷电率偏高;避雷器外表面积污严重不均匀时导致电压分布不均匀等,从而加速了电阻片的老化以及瓷套内表面受潮。     

500kV氧化锌避雷器上节单元0.75U_(1mA)泄漏电流测试误差分析

500 kV瓷外套式氧化锌避雷器受现场停电检修条件限制,上部金属均压环连接接地。测量避雷器上节单元直流0.75U1mA下泄漏电流值时,受均匀环接地影响,空间电离电流较大,影响了该测量值的精度,甚至产生结果误判。针对该问题的提出,建立合理的有限元计算模型,设置电压值0.75U1mA为150 kV为强制边界条件,再由相应的变分方程计算出避雷器的各单元电位、电离电流密度和空间电离电流。因此在测量避雷器上节单元直流0.75U1mA下泄漏电流值时,应适当地考虑测量值减去空间电离电流值。     

氧化锌压敏电阻变温率及拐点效应研究

在对氧化锌压敏电阻的劣化研究中,由于U1mA和Ileakage存在"拐点效应",从而不能够第一时间判断出氧化锌压敏电阻劣化的情况。为此通过实际的冲击平台,研究在不同冲击时间下,氧化锌压敏电阻阀片内部的温度变化情况,主要得出:距离电极较近位置处的变温率较大,远离电极的一端变温率较小,即氧化锌压敏电阻存在极性现象;当变温率出现明显的变化时,压敏电压U1mA和漏电流Ileakage变化处于正常范围内,当压敏电压U1mA和漏电流Ileakage出现明显变化时,氧化锌压敏电阻已经劣化到一定程度,甚至已经完全损坏,所以变温率可以作为衡量氧化锌压敏电阻劣化的一个量。     

无纬带缠绕芯体的复合外套避雷器质量问题探讨

针对无纬带缠绕芯体的复合外套避雷器在制成后出厂前出现的放置一段时间产生直流参考电压(U1mA)下降,0.75倍U1mA下的漏流增大的质量问题进行了现场调查,对有问题的避雷器进行了相关性能试验、解剖测试,根据调查、解剖、试验结果对原因作了深入分析,确定了该质量问题是由于部分避雷器生产工艺不够严密、无纬带质量波动、天气潮湿三个方面的原因综合而产生。在此基础上提出了纠正预防措施。     

大电流冲击后ZnO压敏电阻交流老化特性的分析

针对ZnO压敏电阻经受多次8/20雷电流冲击后交流老化特性变化的问题,通过对ZnO压敏电阻老化机理的理论分析,并对ZnO压敏电阻样品进行不同次数的冲击老化实验后再进行交流老化实验测量其静态参数的变化,发现适当次数的大电流冲击会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力;ZnO压敏电阻的U1 mA和U0.1 mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势;根据实验结果,得出电子陷阱及离子迁移是交流老化初始和中期的主要老化机理,而热破坏在老化末期起主要作用。     

用化学法掺杂合成粉料制备的ZnO压敏电阻的初步研究

给出了化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻粉料的原则工艺流程；对用化学法粉料制作的压敏电阻作了初步电性能检测，在进行8／20μs雷电冲击时发现其单位体积可承受较大的冲击能量，并具有小的U1mA变化率。     

初探化学合成制粉工艺对ZnO压敏电阻U_(1mA)/mm值的影响

用电子探针对比观测了采用化学共沉淀法制粉和机械混合法制粉的压敏电阻的微观结构；得出化学合成制粉工艺使压敏电阻U1mA／mm升高的原因是由于粉料组分的均匀分布使得其晶界组分的浓度均匀且高于机械混合制粉阀片中的晶界组分贫化区浓度，从整体上抑制了烧结过程中的晶粒长大。