CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

接触电阻率测量方法的研究

对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述.     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

直排四探针电阻率硅圆片非圆心点直径修正因子F2的简易求法

介绍Si片电阻率和薄层电阻的四探针法测量中,一种简便而精确的求非圆心处F_2值的方法.     

半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究

与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的.文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算.     

探针加力对电阻率测量的影响

电阻率是半导体材料的重要电学参数之一，对于最常见的硅单晶材料而言，也将直接影响到其功能特性，通过对单晶施加的不同探针加力得到所测量单晶的电阻率相对标准偏差与相对误差，探讨四探针法测量连续硅单晶电阻率的准确度问题，150gf加力下测试标准偏差相较于其他加力降幅明显，但120gf加力下测试相对误差相比于其他测试加力降幅最大可达 1％，因此120gf加力附近时，探针与硅片表面的接触相对另外选取几个加力选取值来说可以达到最优状态。     

探针尺寸对四探针法测量薄膜电阻率精度的影响

The four-probe technique is widely used in the characterization of electrical properties of solids and thin films. To investigate the influence of finite size probes with non-planar contact on the standard four-probe method, we have proposed an image method to simulate the potential distribution within the specimen. The numerical results show that for infinitely thick samples, the standard method can only provide accurate determination of resistivity （relative error below 1%） when the ratio of the average inter-electrode spacing to the diameter of the probe is greater than 3. We have also found that disregarding the probe size brings a less dominate error than that introduced by the approximate formula, when the sample＇s thickness is close to the inter-electrode spacing.     

判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法

提出了一个判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的新方法－－环内圆形传输线模型外的支,样品制备简单,无需台面绝缘,测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响,由于结构的对称性,消除了侧向电流聚集效应,通过测试值的直线拟合消除了部分偶然误差,提高了精度。     

测量计算金属-半导体接触电阻率的方法

如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳.综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法.     

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法 ,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试 ,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论 .应用此测试方法得到了 75mm的全片电阻率分布的mapping图 ,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性 ,是一种行之有效的测量方法     

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论.应用此测试方法得到了75mm的全片电阻率分布的mapping图,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性,是一种行之有效的测量方法.     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

金属/半导体接触孔噪声特性研究

通过对1μm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律.实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化.对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍.1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量.     

三,四探针测试双极电路外延层电阻率的分析

在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.     

金属半导体金属光探测器电路模型的研究

本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的ＭＳＭ－ＰＤ电路模型。采用该模型对一个ＧａＡｓ ＭＳＭ－ＰＤ的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。     

外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正

采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。