MOSFET漏源极电压反馈限流

介绍了一种脉宽调制(PWM)电机调速系统的电流控制方法。根据MOSFET的自身导通电压与电流之间的关系特性,对MOSFET漏-源极电压进行采样,并结合控制触发脉冲,实现了对功率器件的脉宽限制,达到了电流限制目的,从而省去了电流直接检测元件,具有很好的实际应用价值。     

MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用

介绍了一种MOSFET的新用法.利用MOSFET截止区的漏电流ID随控制栅极电压UGS成指数关系的特性,将其串联在直流电源和四极管控制栅负载之间,通过UGS的变化来反馈控制MOSFET漏电流的大小,从而改变其负载与四极管控制栅电压的大小,最终实现四极管稳压调节输出恒定的高压给托卡马克加热用的NBI或ECH负载.驱动电源的单独调试和带动实际四极管负载的实验均表明,该设计稳定、可靠,构思巧妙,对托卡马克ECH和NBI加热所需的高压电源设计、研制具有很好的应用前景,同时也扩展了MOSFET的应用领域.     

栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较.结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%.     

MOS晶闸管的新进展

本文介绍了近年来ＭＯＳ晶闸管的新进展，分析了各种新器件的结构特点、工作原理及其主要特性。     

一种新型SiC MOSFET驱动电路的设计

与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理,详述其设计过程,分析了外并电容的抑制串扰驱动电路,最后设计出一种带有信号隔离功能的可抑制栅极串扰的负压驱动电路。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET驱动电路的驱动波形高低电平分明,而且有效抑制了栅极串扰问题,大幅减小器件的开关延时时间,降低了开关损耗。     

用于全桥变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通的上、下开关管易发生串扰问题,严重限制了SiC MOSFET的应用。结合SiC MOSFET的参数特性及驱动要求,设计了一种高效的SiC MOSFET驱动电路,描述了其电路设计过程,并采用了一种栅极有源箝位串扰抑制方法。最后搭建了实验测试平台,验证了驱动电路的功能。     

门极换流晶闸管关键技术的研究

通过对门极换流晶闸管(GCT)关键技术的研究,提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构.借助MEDICI软件,模拟了GCT的各项特性及其在内部的微观现象,对透明阳极、缓冲层、隔离区等关键结构参数进行了优化设计,并对其制作工艺进行分析.研究结果表明,采用透明阳极、缓冲层和沟槽隔离的逆导型GCT结构,不仅可以获得更好的静、动态性能,而且可大大降低制作工艺难度,有望在国内现有工艺装备下进行开发.     

高压晶闸管表面造型技术的改进

论述了采用喷砂造型大正斜角的发展过程及理论依据,分析了有效负斜角公式应用在高压晶闸管制造中的发展过程及其正确应用,研究改进了高压晶闸管的表面造型技术,运用喷砂造型大正斜角及类台面结构等成功研制了高压晶闸管并将其量产化.     

对称门极换向晶闸管的工作原理和设计技术

给出了一种大功率半导体器件--对称门极换向品闸管(SGCT),并对其动态特性和静态特性以及n基层的寿命控制进行了研究;提出了多能量质子寿命控制技术;采用一种改进的双向斜面来保证获得对称、稳定的高阻断电压,并对SGCT关断过程中的电流均匀性和功率损耗情况进行了仿真分析.     

晶闸管投切滤波器TSF的研究

分析了晶闸管投切滤波器TSF(Thyristor Switched Filters)其主接线和特点,采用专家控制系统来避免投切振荡,从仿真试验和实际运行的结果来看采用新控制系统后,不仅装置的投入过渡过程大大减小,而且负荷的电流波形总畸变率有了明显地降低,功率因数达到国家要求.仿真和实验结果表明了TSF在改善电能质量方面的有效性和可行性.     

基于CAN总线的晶闸管投切滤波器系统

设计了基于CAN总线的晶闸管投切滤波器系统,详细介绍滤波器系统中DSP主控制器与各触发保护器之间的CAN总线通信过程,投切过程中的过零检测算法,以及过零投切的实现。     

晶闸管的光纤触发技术

介绍了一种新的晶闸管触发电路，用光纤代替了传统的脉冲变压器，尤其适合应用在高电压的场合。     

HVDC直接光控换流阀中激光发射电路监测中几个问题的探讨

我国贵州-广东Ⅰ回、Ⅱ回±500 kV高压直流输电和西北-华中(灵宝)联网直流背靠背工程中,均采用了用激光脉冲直接触发晶闸管的直接光控晶闸管换流阀(以下简称LTT阀)。为了确保触发光脉冲的可靠性,在阀底部电子设备柜(VBE)中设置了对光发射电路进行在线实时监测的功能。笔者就近年来运行中激光发射监测出现的一些问题进行探讨。     

直接光触发晶闸管(LTT)在SVC的应用

与普通的电触发晶闸管ETT 对比, 直接光触发晶闸管LTT 具有直接光触发和内置BOD 保护两大优点, 使得LTT 阀塔的可靠性大大提高、维护量明显降低、成本显著节省。随着LTT 应用量的不断扩大和成本的进一步降低, LTT 技术在高压直流输配电换流阀和静态无功功率补偿装置( SVC) 等方面的应用前景广阔。     

晶闸管18脉波变流器分析

提出了一种晶闸管18脉波串接式变流器的电路方案.介绍了该变流器的结构和工作原理;详细分析了电路的整流和逆变过程.对换流过程和电压波形进行了分解,并导出了数学模型.通过对逆变区的讨论,定出了安全换流的最小逆变角度.最后给出了在实验设备上实测到的电路整流电压波形,并与常规的6脉波桥进行了比较.     

谈晶闸管投切电容器TSC的触发电路

介绍了晶闸管投切电容器的原理和快速过零触发要求,分析了两类晶闸管的触发电路的特点和存在的问题,指出了一种新型的从主回路晶闸管获取晶闸管电压过零信号的电路框图,以该电路为支撑又产生了一系列触发电路,取得了很好的触发效果。     

晶闸管投切滤波装置在海洋平台电力系统谐波治理中的应用

以海洋平台电力系统这一类特殊的微电网为背景,重点分析海洋平台电力系统的主要特点和特征次谐波。在满足无功补偿要求的前提下,利用晶闸管投切滤波器对海洋平台电力系统的谐波进行治理,根据实地测量的电网谐波,利用遗传算法对晶闸管投切滤波器的参数进行优化设计。Matlab软件的仿真结果表明,晶闸管投切滤波器对海洋平台电力系统谐波的治理效果比较好,并且兼顾了无功补偿的要求。     

谈晶闸管投切电容器TSC的触发电路

介绍了晶闸管投切电容器的原理和快速过零触发要求,分析了两类晶闸管的触发电路的特点和存在的问题,指出了一种新型的从主回路晶闸管获取晶闸管电压过零信号的电路框图,以该电路为支撑又产生了一系列触发电路,取得了很好的触发效果。     

半导体RSD开关预充电路设计与研究

利用快速晶闸管设计了一种可用于触发大电流半导体开关的反向导通型双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)电路.重点介绍了RSD预充电路参数选择和触发脉冲产生电路的设计,解决了预充电路和主回路RSD开关开通后各电气参数的配合问题.实验结果表明,当预充电路的工作电压约为800 V时,RSD开关的预充峰值电流约为600 A,脉冲宽度约为2 μs,流过RSD开关的脉冲峰值电流可达5.3 kA,脉冲宽度约为10 μs.